埴渕 敏明 Hanibuchi Toshiaki

ID:9000004975060

三菱電機システムLSI開発研究所 System LSI Laboratory,Mitsubishi Electric (1994年 CiNii収録論文より)

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  • 0.5μm Low-power BiCMOS Gate Array for B-ISDN 622Mb/s User-Network Interface  [in Japanese]

    Hayakawa Yasushi , Hanibuchi Toshiaki , Sawada Keiichi , Ueda Masahiro , Suda Kakutaro , Kato Shuichi

    B-ISDN 622Mb, sユーザ・網インタフェース用0.5μmBiCMOSゲートアレイを開発した。本ゲートアレイは、3KゲートのECLマスタと500KゲートのCMOSマスタを備えており、+3.3V/-2Vの両電源方式によってECL/TTL/CMOS混在I/Fを低消費電力で実現できる。さらに、622MHz ECL I/Oバッファの回路をこの電源方式に最適化することにより、入力バッファを10mW、 …

    Technical report of IEICE. ICD 94(175), 9-16, 1994-07-25

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