井口 敏祐 INOKUCHI Toshihiro

ID:9000004976301

松下電器産業(株)半導体社開発本部 Corporate ,Development Division, Semiconductor Company ,Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. (2002年 CiNii収録論文より)

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  • 0.13um 32Mb/64Mb Embedded DRAM Core with High Efficient Redundancy and Enhanced Testability  [in Japanese]

    TSUJI Takaharu , KIKUKAWA Hirohito , TOMISHIMA Shigeki , KAWASAKI Toshiaki , SAKAMOTO Shouji , FUKUSHIMA Yoshifumi , TANIZAKI Hiroaki , ISHIKAWA Masatoshi , ABE Wataru , KATO Hiroshi , UCHIKOBA Toshitaka , INOKUCHI Toshihiro , SENOH Manabu , NIINO Mitsutaka , MARUTA Masanao , OOISHI Tsukasa , SHIBAYAMA Akinori , HIDAKA Hideto , TAKAHASHI Kazunari

    高効率冗長構成、システムLSI向けのテスト容易化機能を備えた32Mビットおよび64Mビット混載DRAMコアを開発した。高救済効率なフレキシブル冗長構成、0.13μm混載DRAMプロセス技術を採用することにより64Mビット容量で33.4mm2、58.1%のメモリーセル比率を実現した。また、新規のデータ線シフト冗長回路を採用することにより電源電圧1.0Vで230MHzのバーストアクセスを実現した。さら …

    Technical report of IEICE. ICD 102(2), 7-12, 2002-04-04

    References (9)

  • Ultra Small Core Size and Low Power Embedded DRAM Macro for Images Data Processing System LSIs in Mobile Applications  [in Japanese]

    KAWASAKI Toshiaki , TOMISHIMA Shigeki , TSUJI Takaharu , ABE Wataru , ISHIKAWA Masatoshi , INOKUCHI Toshihiro , KATOH Hiroshi , TANIZAKI Hiroaki , SHIBAYAMA Akinori , KIKUKAWA Hirohito , OOISHI Tsukasa , TAKAHASHI Kazunari , HIDAKA Hideto

    携帯機器用画像処理システムLSI向けに小面積・低消費電力の32Mビット混載DRAMマクロを0.13umDRAM混載プロセスにより開発した。このマクロは、新規レベルシフター、メモリーアレイ分散駆動、プリブースト型内部降圧回路等の回路技術と高性能トランジスタ、低抵抗ポリメタルゲート、Cu配線等の0.13umプロセス技術により、1.0V時に230MHzのコラムアクセス実現し、バーストアクセス時消費電力を …

    Technical report of IEICE. ICD 101(1), 35-41, 2001-04-05

    References (6)

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