忍田 真希子 OSHIDA Makiko

ID:9000006001551

日本電気 NEC (2007年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-4 of 4

  • Suppression of lateral charge redistribution using advanced impurity trap memory for improving high temperature retention  [in Japanese]

    SUNAMURA Hiroshi , IKARASHI Taeko , MORIOKA Ayuka , KOTSUJI Setsu , OSHIDA Makiko , IKARASHI Nobuyuki , FUJIEDA Shinji , WATANABE Hirohito

    微細化されたSONOS型不揮発性メモリにおける保持力向上のため、ゲート絶縁膜への金属不純物添加によるトラップ形成を提案する。本手法では、エネルギー的に深く密度が制御されたトラップの形成が期待できる。シリコン酸化膜中へのTi添加により電子捕獲効率が高くエネルギー的に深いトラップが形成可能であることを見出した。添加するTiの量を減少させることにより、電荷貯蔵ノードはTiO_2で構成されるフローティング …

    IEICE technical report 107(1), 83-88, 2007-04-05

    References (8)

  • Practical Vth Control Methods for Ni-FUSI/HfSiON MOSFETs on SOI Substrates  [in Japanese]

    TERASHIMA Koichi , MANABE Kenzo , TAKAHASHI Kensuke , WATANABE Koji , OGURA Takashi , SAITOH Motofumi , OSHIDA Makiko , IKARASHI Nobuyuki , TATSUMI Toru , WATANABE Hirohito

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2007(39), 7-11, 2007-03-01

    References (7)

  • Practical Vth Control Methods for Ni-FUSI/HfSiON MOSFETs on SOI Substrates  [in Japanese]

    TERASHIMA Koichi , MANABE Kenzo , TAKAHASHI Kensuke , WATANABE Koji , OGURA Takashi , SAITOH Motofumi , OSHIDA Makiko , IKARASHI Nobuyuki , TATSUMI Toru , WATANABE Hirohito

    SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧(Vth)の制御方法について報告する。NiSi(モノシリサイド)ゲート電極を用いてチャネル濃度を調整することによって、NFETのLSTP用デバイスとLOP用デバイスに合ったVthを得ることができる。また、PFETについては、Ni-FUSIの組成制御によってLSTP用デバイスとLOP用デバイスに適したVthが得られる。さらに …

    IEICE technical report 106(504), 33-36, 2007-01-19

    References (7)

  • Improved Sub-10-nm CMOS Devices with Elevated Source/Drain Extensions by Tunneling Si-Selective-Epitaxial-Growth  [in Japanese]

    WAKABAYASHI Hitoshi , TATSUMI Toru , IKARASHI Nobuyuki , OSHIDA Makiko , KAWAMOTO Hideaki , IKEZAWA Nobuyuki , IKEZAWA Takeo , YAMAMOTO Toyoji , HANE Masami

    Sub-10-nm平面バルク型MOSFETに関して、反転ソース・ドレイン形成(R-S/D)プロセスにおけるシリコントンネルリング選択成長(SEG)により、せり上げソース・ドレインエクステンション(eSDE)構造を実現し、特性の改善を試みた。このプロセスは、ゲート電極側壁膜とシリコン基板間に隙間を形成することにより、選択成長シリコン膜の膜厚を自己制限的に精密に制御できることが特長である。さらに、1度 …

    IEICE technical report 105(541), 9-12, 2006-01-13

    References (13)

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