吉永 真生 YOSHINAGA Masao

ID:9000006093051

大阪大学 基礎工学研究科 電子光科学領域 Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University (2006年 CiNii収録論文より)

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  • Improved electrical properties of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor by irradiation with a radical  [in Japanese]

    KANASHIMA Takeshi , VAN HAI Le , YOSHINAGA Masao , OKUYAMA Masanori

    近年,大容量,高速,低消費電力不揮発性メモリが求められている.そこで,Pt/SrBi_2Ta_2O_9 (SBT)/SiO_2/n-Siからなるmetal-ferroelectric-insulator-semiconductor (MFIS)構造を作製し,窒素および酸素ラジカル処理によりSBT強誘電体膜の表面を改質しメモリ保持特性の改善を行った.SBTはSiO_2/n-Si(100)基板上にシー …

    IEICE technical report 105(654), 45-50, 2006-03-07

    References (11)

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