荒井 昌和 ARAI Masakazu

ID:9000006331678

NTT先端集積デバイス研究所 NTT Device Technology Laboratories (2015年 CiNii収録論文より)

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  • C-4-13 Intensity and chirp compensation of EADFB laser by integrating short SOA  [in Japanese]

    Kobayashi W. , Fujiwara N. , Kanazawa S. , Hasebe K. , Arai M. , Fujisawa T. , Sato T. , Sanjoh H.

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2015年_エレクトロニクス(1), 150, 2015-08-25

  • C-4-16 Intensity and chirp compensation of 40-Gbit/s EADFB laser by integrating SOA  [in Japanese]

    Kobayashi W. , Arai M. , Fujisawa T. , Sato T. , Ito T. , Yamanaka T. , Sanjoh H.

    Proceedings of the IEICE General Conference 2015年_エレクトロニクス(1), 212, 2015-02-24

  • High-speed operation of 1.3 μm GaAs/InGaAs metamorphic lasers fabricated by using highly-accurate control of crystal lattice relaxation based on in-situ wafer curvature measurement  [in Japanese]

    NAKAO Ryo , ARAI Masakazu , KOBAYASHI Wataru , YAMAMOTO Tsuyoshi , MATSUO Shinji

    メタモルフィック成長技術は,半導体デバイス作製における格子整合の制約を解放し,通信波長帯レーザの高性能化や光電子集積などへの応用が期待される.本報告では,メタモルフィックバッファの結晶成長に際し,成長時その場ウェハ曲率測定を用いることで高精度な格子緩和率制御を可能とする手法を提案する.これにより, GaAs基板上に従来にない薄さを有する膜構造で低転位なInGaAsメタモルフィックバッファ層の形成に …

    Technical report of IEICE. LQE 114(378), 59-64, 2014-12-18

  • High-speed operation of 1.3 μm GaAs/InGaAs metamorphic lasers fabricated by using highly-accurate control of crystal lattice relaxation based on in-situ wafer curvature measurement  [in Japanese]

    NAKAO Ryo , ARAI Masakazu , KOBAYASHI Wataru , YAMAMOTO Tsuyoshi , MATSUO Shinji

    メタモルフィック成長技術は,半導体デバイス作製における格子整合の制約を解放し,通信波長帯レーザの高性能化や光電子集積などへの応用が期待される.本報告では,メタモルフィックバッファの結晶成長に際し,成長時その場ウェハ曲率測定を用いることで高精度な格子緩和率制御を可能とする手法を提案する.これにより, GaAs基板上に従来にない薄さを有する膜構造で低転位なInGaAsメタモルフィックバッファ層の形成に …

    Technical report of IEICE. OPE 114(377), 59-64, 2014-12-18

  • Wavelength and temperature insensitive InP(110) Mach-Zehnder optical modulator  [in Japanese]

    OGISO Yoshihiro , ARAI Masakazu , YAMADA Eiichi , TANOBE Hiromasa , SHIBATA Yasuo , KOHTOKU Masaki

    本稿では,InPマッハ・ツェンダー光変調器において,高速かつ温度・波長無依存な変調動作を低損失に実現したので報告する.(110)面にスライスされたInP基板を用いることで簡便なプレーナ構造と対称電界によるプッシュ・プル動作を両立させた結果,変調帯域30GHzを達成し,C帯全域,及び10- 50℃の温度範囲において,40-Gb/sエラーフリー光変調動作(駆動点調整電圧・駆動電圧一定)を実現した.また …

    Technical report of IEICE. LQE 114(46), 5-8, 2014-05-22

  • 高温動作・低消費電力化を実現するメタモルフィックレーザ (特集 フォトニックネットワークに貢献する光半導体技術)  [in Japanese]

    荒井 昌和 , 小林 亘 , 神徳 正樹

    NTT技術ジャーナル 24(10), 61-64, 2012-10

  • Demonstration on 20 Gbit/s Direct Modulation of 1.3-μm-Range Metamorphic Laser  [in Japanese]

    ARAI Masakazu , KANAZAWA Shigeru , TADOKORO Takashi , KOHTOKU Masaki

    通信用レーザの高速化、低消費電力化の需要が増してきている。GaAs基板上にメタモルフィック成長技術を用いて擬似的なInGaAs基板を作製することで、基板の格子定数の制限から解放された自由度の高い設計が可能となり、InP基板上よりもキャリア閉じ込めがよく、温度特性が良好なレーザの実現が期待される。今回作製した1.3μm帯ファブリペローレーザを用いて20Gbit/s動作を実現した。25℃から85℃で明 …

    Technical report of IEICE. OPE 112(98), 9-12, 2012-06-15

    References (7)

  • Demonstration on 20 Gbit/s Direct Modulation of 1.3-μm-Range Metamorphic Laser  [in Japanese]

    ARAI Masakazu , KANAZAWA Shigeru , TADOKORO Takashi , KOHTOKU Masaki

    通信用レーザの高速化、低消費電力化の需要が増してきている。GaAs基板上にメタモルフィック成長技術を用いて擬似的なInGaAs基板を作製することで、基板の格子定数の制限から解放された自由度の高い設計が可能となり、InP基板上よりもキャリア閉じ込めがよく、温度特性が良好なレーザの実現が期待される。今回作製した1.3μm帯ファブリペローレーザを用いて20Gbit/s動作を実現した。25℃から85℃で明 …

    Technical report of IEICE. LQE 112(99), 9-12, 2012-06-15

    References (7)

  • C-4-4 Demonstration on 20 Gbps direct modulation of 1.3-μm-Range Laser with Metamorphic Buffer  [in Japanese]

    Arai Masakazu , Kanazawa Shigeru , Tadokoro Takashi , Koutoku Masaki

    Proceedings of the IEICE General Conference 2012年_エレクトロニクス(1), 255, 2012-03-06

  • C-4-25 Study on High-Temperature Operation of 1.3-μm-Range Laser with Metamorphic Buffer  [in Japanese]

    Arai Masakazu , Tadokoro Takashi , Fujisawa Takeshi , Kobayashi Wataru , Nakashima Kiichi , Kondo Yasuhiro

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2011年_エレクトロニクス(1), 240, 2011-08-30

  • Growth of Large InGaAs Single Crystals as Substrates of 1.3 Micron Wavelength Laser Diodes  [in Japanese]

    KINOSHITA Kyoichi , YODA Shinichi , AOKI Hirokatsu , YAMAMOTO Satoshi , HOSOKAWA Tadatoshi , MATSUSHIMA Masaaki , ARAI Masakazu , KAWAGUCHI Yoshihiro , KANO Fumiyoshi , KONDO Yasuhiro

    半導体レーザの基板として均一組成の板状In_xGa_<1-x>As(x:0.10-0.13)単結晶育成に世界で初めて成功した.用いた方法はTraveling liquidus-zone(TLZ)法という新しく開発した方法である.TLZ法で高品質結晶を製造するためのキーポイントは融液内の対流を抑制することと,一定な温度勾配を保つことであった.大型化を進めた結果,50×50mm^2以上の単 …

    IEICE technical report 110(353), 43-46, 2010-12-10

    References (7)

  • CS-5-8 1.55-μm Electroabsorption Modulator Integrated DFB Laser  [in Japanese]

    Kobayashi W. , Fujiwara N. , Fujisawa T. , Tadokoro T. , Yamanaka T. , Arai M. , Tsuzuki K. , Kano F.

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2010年_エレクトロニクス(1), "S-82"-"S-83", 2010-08-31

  • Incident-Power-Dependent Extinction Ratio of 1.3-μm Electroabsorption Modulator Integrated with DFB laser : Theory and Experiment  [in Japanese]

    FUJISAWA T. , YAMANAKA T. , TADOKORO T. , FUJIWARA N. , ARAI M. , KOBAYASHI W. , KAWAGUCHI Y. , TSUZUKI K. , KANO F.

    電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比が変調器への注入光強度に強く依存することを見出し、デバイスシミュレーションによる理論的考察から、変調器内の温度上昇がその主要な要因であることを解明した。電界吸収型変調器の本質的な消光特性算出には、実験結果を元にしたフィッティングパラメータを排除するために、量子力学的多体効果を考慮した量子井戸光学特性解析技術を用い、デバイス内温度分布解析のために熱伝導シミュレー …

    IEICE technical report 110(181), 163-168, 2010-08-19

    References (18)

  • Incident-Power-Dependent Extinction Ratio of 1.3-μm Electroabsorption Modulator Integrated with DFB laser : Theory and Experiment  [in Japanese]

    FUJISAWA T. , YAMANAKA T. , TADOKORO T. , FUJIWARA N. , ARAI M. , KOBAYASHI W. , KAWAGUCHI Y. , TSUZUKI K. , KANO F.

    電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比が変調器への注入光強度に強く依存することを見出し、デバイスシミュレーションによる理論的考察から、変調器内の温度上昇がその主要な要因であることを解明した。電界吸収型変調器の本質的な消光特性算出には、実験結果を元にしたフィッティングパラメータを排除するために、量子力学的多体効果を考慮した量子井戸光学特性解析技術を用い、デバイス内温度分布解析のために熱伝導シミュレー …

    IEICE technical report 110(180), 163-168, 2010-08-19

    References (18)

  • Incident-Power-Dependent Extinction Ratio of 1.3-μm Electroabsorption Modulator Integrated with DFB laser : Theory and Experiment  [in Japanese]

    FUJISAWA T. , YAMANAKA T. , TADOKORO T. , FUJIWARA N. , ARAI M. , KOBAYASHI W. , KAWAGUCHI Y. , TSUZUKI K. , KANO F.

    電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比が変調器への注入光強度に強く依存することを見出し、デバイスシミュレーションによる理論的考察から、変調器内の温度上昇がその主要な要因であることを解明した。電界吸収型変調器の本質的な消光特性算出には、実験結果を元にしたフィッティングパラメータを排除するために、量子力学的多体効果を考慮した量子井戸光学特性解析技術を用い、デバイス内温度分布解析のために熱伝導シミュレー …

    IEICE technical report 110(178), 163-168, 2010-08-19

    References (18)

  • Incident-Power-Dependent Extinction Ratio of 1.3-μm Electroabsorption Modulator Integrated with DFB laser : Theory and Experiment  [in Japanese]

    FUJISAWA T. , YAMANAKA T. , TADOKORO T. , FUJIWARA N. , ARAI M. , KOBAYASHI W. , KAWAGUCHI Y. , TSUZUKI K. , KANO F.

    電界吸収型変調器集積レーザの静的消光比が変調器への注入光強度に強く依存することを見出し、デバイスシミュレーションによる理論的考察から、変調器内の温度上昇がその主要な要因であることを解明した。電界吸収型変調器の本質的な消光特性算出には、実験結果を元にしたフィッティングパラメータを排除するために、量子力学的多体効果を考慮した量子井戸光学特性解析技術を用い、デバイス内温度分布解析のために熱伝導シミュレー …

    IEICE technical report 110(179), 163-168, 2010-08-19

    References (18)

  • C-4-26 Ridge Waveguide MQW Lasers for 40G/100G Ethernet  [in Japanese]

    Tadokoro Takashi , Fujisawa Takeshi , Kobayashi Wataru , Arai Masakazu , Fujiwara Naoki , Yamanaka Takayuki , Kano Fumiyoshi

    Proceedings of the IEICE General Conference 2010年_エレクトロニクス(1), 277, 2010-03-02

  • C-4-19 An analysis of incident-power-dependent static extinction ratio of electroabsorption modulator integrated with DFB lasers  [in Japanese]

    Fujisawa T. , Yamanaka T. , Tadokoro T. , Fujiwara N. , Arai M. , Kobayashi W. , Kawaguchi Y. , Tsuzuki K. , Kano F.

    Proceedings of the IEICE General Conference 2010年_エレクトロニクス(1), 270, 2010-03-02

  • 40-km SMF transmission for 100-Gbit/s Ethernet system based on 25-Gbit/s 1.3-um electroabsorption modulator integrated with DFB laser  [in Japanese]

    FUJISAWA T. , ARAI M. , FUJIWARA N. , KOBAYASHI W. , TADOKORO T. , TSUZUKI K. , AKAGE Y. , IGA R. , YAMANAKA T. , KANO F.

    電気学会研究会資料. EMT, 電磁界理論研究会 2010(1), 57-60, 2010-01-28

    References (7)

  • 40-km SMF transmission for 100-Gbit/s Ethernet system based on 25-Gbit/s 1.3-um electroabsorption modulator integrated with DFB laser  [in Japanese]

    FUJISAWA T. , ARAI M. , FUJIWARA N. , KOBAYASHI W. , TADOKORO T. , TSUZUKI K. , AKAGE Y. , IGA R. , YAMANAKA T. , KANO F.

    中、長距離用の100 Gbit/sイーサネットに対応可能な、1.3μm帯の電界吸収型変調器集積レーザを開発した。1.3μm帯での大きな消光比を確保するために、従来のInGaAsP系材料では無く、伝導帯バンドオフセットの大きなInGaAs系の材料を用い、また、引張歪の量子井戸を採用している。レーザと変調器部はバットジョイント構造を用いて結合し、それぞれの層構造の最適化を独立に行うことができるようにし …

    IEICE technical report 109(403), 57-60, 2010-01-21

    References (7)

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