小山 政俊 KOYAMA Masatoshi

Articles:  1-10 of 10

  • Fabrication of Zinc Oxide-based Thin Films Transistors by a Solution Process and a Direct Patterning of Oxide Thin Films by a Thermal Nanoimprint Method  [in Japanese]

    木村 史哉 , アブドゥラ ハナキ , 孫 屹 , 佐々木 祥太 , 永山 幸希 , 小山 政俊 , 前元 利彦 , 佐々 誠彦

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(472), 13-16, 2017-02-24

  • Fabrication of Zinc Oxide-based Thin Films Transistors by a Solution Process and a Direct Patterning of Oxide Thin Films by a Thermal Nanoimprint Method  [in Japanese]

    木村 史哉 , アブドゥラ ハナキ , 孫 屹 , 佐々木 祥太 , 永山 幸希 , 小山 政俊 , 前元 利彦 , 佐々 誠彦

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(471), 13-16, 2017-02-24

  • A Recent Development in Thin-Film Device Applications using Oxide Semiconductors  [in Japanese]

    前元 利彦 , 孫 屹 , 松田 宗平 , 佐々木 翔太 , 芦田 浩平 , カルトシュタイン オリバー , 小山 政俊 , 小池 一歩 , 矢野 満明 , 佐々 誠彦

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(470), 1-6, 2016-03-03

  • A Recent Development in Thin-Film Device Applications using Oxide Semiconductors  [in Japanese]

    前元 利彦 , 孫 屹 , 松田 宗平 , 佐々木 翔太 , 芦田 浩平 , カルトシュタイン オリバー , 小山 政俊 , 小池 一歩 , 矢野 満明 , 佐々 誠彦

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(469), 1-6, 2016-03-03

  • Nonlinear electron transport properties in InAs/AlGaSb three-terminal ballistic junctions  [in Japanese]

    KOYAMA Masatoshi , INOUE Tatsuya , AMANO Naoki , FUJIWARA Kenji , MAEMOTO Toshihiko , SASA Shigehiko , INOUE Masataka

    InAs/AlGaSbバリスティックデバイスにおける非線形電子輸送特性と整流効果について報告する.InAs/AlGaSbヘテロ構造に3つの量子細線で構成されるT字型3分岐構造を作製し,77Kおよび300Kで左右のブランチに電圧V_L,V_R険を印加した時の中央のブランチの電圧V_Cを測定した.その結果,中央ブランチの電圧V_Cはバリスティック伝導に起因する明瞭な非線形性を示した.また,左右のブラン …

    IEICE technical report 107(474), 29-32, 2008-01-23

    References (18)

  • Nonlinear electron transport properties in InAs/AlGaSb three-terminal ballistic junctions  [in Japanese]

    KOYAMA Masatoshi , INOUE Tatsuya , AMANO Naoki , FUJIWARA Kenji , MAEMOTO Toshihiko , SASA Shigehiko , INOUE Masataka

    InAs/AlGaSbバリスティックデバイスにおける非線形電子輸送特性と整流効果について報告する.InAs/AlGaSbヘテロ構造に3つの量子細線で構成されるT字型3分岐構造を作製し,77Kおよび300Kで左右のブランチに電圧V_L,V_R険を印加した時の中央のブランチの電圧V_Cを測定した.その結果,中央ブランチの電圧V_Cはバリスティック伝導に起因する明瞭な非線形性を示した.また,左右のブラン …

    IEICE technical report 107(473), 29-32, 2008-01-23

    References (18)

  • Ballistic electron transport properties and rectification effects in InAs/AlGaSb mesoscopic structures  [in Japanese]

    KOYAMA Masatoshi , TAKAHASHI Hiroshi , INOUE Tatsuya , MAEMOTO Toshihiko , SASA Shigehiko , INOUE Masataka

    電子情報通信学会技術研究報告. ITS 106(535), 67-71, 2007-02-16

    References (15)

  • Ballistic electron transport properties and rectification effects in InAs/AlGaSb mesoscopic structures  [in Japanese]

    KOYAMA Masatoshi , TAKAHASHI Hiroshi , INOUE Tatsuya , MAEMOTO Toshihiko , SASA Shigehiko , INOUE Masataka

    バリスティック電子輸送を利用したデバイス応用の一つにバリスティック整流デバイスがある.バリステイック電子の伝搬する方向をアンチドット等のエッチング境界面で散乱することにより,デバイス内にポテンシヤルの傾きを生じさせ,整流効果を得るデバイスであり,pn接合を用いたダイオードと動作原理は異なる.本研究では室温で約500nmと比較的長い平均自由行程を有するInAs/AlGaSbヘテロ構造にアンチドットを …

    IEICE technical report 106(521), 67-71, 2007-02-01

  • Ballistic electron transport properties and rectification effects in InAs/AlGaSb mesoscopic structures  [in Japanese]

    KOYAMA Masatoshi , TAKAHASHI Hiroshi , INOUE Tatsuya , MAEMOTO Toshihiko , SASA Shigehiko , INOUE Masataka

    バリスティック電子輸送を利用したデバイス応用の一つにバリスティック整流デバイスがある.バリステイック電子の伝搬する方向をアンチドット等のエッチング境界面で散乱することにより,デバイス内にポテンシヤルの傾きを生じさせ,整流効果を得るデバイスであり,pn接合を用いたダイオードと動作原理は異なる.本研究では室温で約500nmと比較的長い平均自由行程を有するInAs/AlGaSbヘテロ構造にアンチドットを …

    IEICE technical report 106(520), 67-71, 2007-01-25

    References (30)

  • Investigation of Sb-based diode structures for detecting subterahertz waves  [in Japanese]

    井上 達也 , 天野 直樹 , 小山 政俊 [他]

    大阪工業大学紀要 理工篇 52(2), 25-30, 2007

Page Top