小西 久俊 KONISHI Hisatoshi

ID:9000014579063

鳥取大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tottori University (2009年 CiNii収録論文より)

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  • Investigation of SAM treatment on gate insulator in solution processed organic thin-film transistor  [in Japanese]

    HORII Yoshinori , IKAWA Mitsuhiro , SAKAGUCHI Koichi , CHIKAMATSU Masayuki , YOSHIDA Yuji , AZUMI Reiko , MOGI Hiroshi , KITAGWA Masahiko , KONISHI Hisatoshi , YASE Kiyoshi

    ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)薄膜トランジスタのSiO_2ゲート絶縁膜上の自己組織化単分子膜(SAM)処理の検討を行い、絶縁膜の表面自由エネルギーと移動度の相関性を示した。表面自由エネルギーが低いデバイスで高い移動度が得られた。ドコシルトリクロロシラン処理したデバイスにおいては、移動度1.5×10^<-2>cm^2/Vs、オン/オフ比10^5以上が得られた。

    IEICE technical report 109(20), 9-14, 2009-04-17

    References (22)

  • Investigation of SAM treatment on gate insulator in solution processed organic thin-film transistor  [in Japanese]

    HORII Yoshinori , IKAWA Mitsuhiro , SAKAGUCHI Koichi , CHIKAMATSU Masayuki , YOSHIDA Yuji , AZUMI Reiko , MOGI Hiroshi , KITAGWA Masahiko , KONISHI Hisatoshi , YASE Kiyoshi

    ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)薄膜トランジスタのSiO_2ゲート絶縁膜上の自己組織化単分子膜(SAM)処理の検討を行い、絶縁膜の表面自由エネルギーと移動度の相関性を示した。表面自由エネルギーが低いデバイスで高い移動度が得られた。ドコシルトリクロロシラン処理したデバイスにおいては、移動度1.5×10^<-2>cm^2/Vs、オン/オフ比10^5以上が得られた。

    IEICE technical report 109(19), 9-14, 2009-04-17

    References (22)

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