小西 久俊 KONISHI Hisatoshi

ID:9000014579063

鳥取大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tottori University (2009年 CiNii収録論文より)

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  • 塗布型有機薄膜トランジスタにおける絶縁膜表面SAM処理の検討

    堀井 美徳 , 井川 光弘 , 坂口 幸一 [他] , 近松 真之 , 吉田 郵司 , 阿澄 玲子 , 茂木 弘 , 北川 雅彦 , 小西 久俊 , 八瀬 清志

    ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)薄膜トランジスタのSiO_2ゲート絶縁膜上の自己組織化単分子膜(SAM)処理の検討を行い、絶縁膜の表面自由エネルギーと移動度の相関性を示した。表面自由エネルギーが低いデバイスで高い移動度が得られた。ドコシルトリクロロシラン処理したデバイスにおいては、移動度1.5×10^<-2>cm^2/Vs、オン/オフ比10^5以上が得られた。

    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 109(20), 9-14, 2009-04-17

    参考文献22件

  • 塗布型有機薄膜トランジスタにおける絶縁膜表面SAM処理の検討

    堀井 美徳 , 井川 光弘 , 坂口 幸一 [他] , 近松 真之 , 吉田 郵司 , 阿澄 玲子 , 茂木 弘 , 北川 雅彦 , 小西 久俊 , 八瀬 清志

    ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)薄膜トランジスタのSiO_2ゲート絶縁膜上の自己組織化単分子膜(SAM)処理の検討を行い、絶縁膜の表面自由エネルギーと移動度の相関性を示した。表面自由エネルギーが低いデバイスで高い移動度が得られた。ドコシルトリクロロシラン処理したデバイスにおいては、移動度1.5×10^<-2>cm^2/Vs、オン/オフ比10^5以上が得られた。

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(19), 9-14, 2009-04-17

    参考文献22件

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