山口 正臣 YAMAGUCHI Masaomi

ID:9000014599230

(株)QDレーザ QD Laser, Inc. (2011年 CiNii収録論文より)

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  • High-Temperature (220℃) CW Operation of 1300-nm-range Quantum Dot Laser  [in Japanese]

    KAGEYAMA Takeo , NISHI Kenichi , YAMAGUCHI Masaomi , MOCHIDA Reio , MAEDA Yasunari , TAKEMASA Keizo , TANAKA Yu , YAMAMOTO Tsuyoshi , SUGAWARA Mitsuru , ARAKAWA Yasuhiko

    高温環境下での半導体レーザ発振動作は,厳しい条件下(宇宙,地中)でのセンシング等実現のために重要であり、特に波長が長波長帯であれば,石英ファイバと組み合わせた伝送,センシングも可能となるため,資源探索等での更なる展開も期待される.量子ドットレーザは,優れた温度安定性を有するため,通信用光源等への実用化が開始されている.我々は,これまでのMBE成長したInAs/GaAs量子ドットの高密度を損なうこと …

    Technical report of IEICE. LQE 111(359), 17-20, 2011-12-09

    References (10)

  • Research and Development of 1.27-μm High-Density Quantum-Dot DFB Lasers  [in Japanese]

    TAKADA Kan , TANAKA Yu , MATSUMOTO Takeshi , KONDO Hayato , MOCHIDA Reio , MAEDA Yasunari , YAMAGUCHI Masaomi , KAGEYAMA Takeo , TAKEMASA Keizo , NISHI Kenichi , NAKATA Yoshiaki , YAMAMOTO Tsuyoshi , SUGAWARA Mitsuru , ARAKAWA Yasuhiko

    光アクセス系で導入が進められている10G-EPONなどの次世代10ギガビット級PON (Passive Optical Network)システムにおける上り用光源への適用に向けて,波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザの研究開発を行っている.高密度量子ドットの適用による高利得化,及び共振器長の調整によって光出力の向上を図り,-10℃から85℃において,単一モード発振での温度安定な電流-光出力特性 …

    IEICE technical report 111(186), 109-112, 2011-08-18

    References (13)

  • Research and Development of 1.27-μm High-Density Quantum-Dot DFB Lasers  [in Japanese]

    TAKADA Kan , TANAKA Yu , MATSUMOTO Takeshi , KONDO Hayato , MOCHIDA Reio , MAEDA Yasunari , YAMAGUCHI Masaomi , KAGEYAMA Takeo , TAKEMASA Keizo , NISHI Kenichi , NAKATA Yoshiaki , YAMAMOTO Tsuyoshi , SUGAWARA Mitsuru , ARAKAWA Yasuhiko

    光アクセス系で導入が進められている10G-EPONなどの次世代10ギガビット級PON (Passive Optical Network)システムにおける上り用光源への適用に向けて,波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザの研究開発を行っている.高密度量子ドットの適用による高利得化,及び共振器長の調整によって光出力の向上を図り,-10℃から85℃において,単一モード発振での温度安定な電流-光出力特性 …

    IEICE technical report 111(185), 109-112, 2011-08-18

    References (13)

  • Research and Development of 1.27-μm High-Density Quantum-Dot DFB Lasers  [in Japanese]

    TAKADA Kan , TANAKA Yu , MATSUMOTO Takeshi , KONDO Hayato , MOCHIDA Reio , MAEDA Yasunari , YAMAGUCHI Masaomi , KAGEYAMA Takeo , TAKEMASA Keizo , NISHI Kenichi , NAKATA Yoshiaki , YAMAMOTO Tsuyoshi , SUGAWARA Mitsuru , ARAKAWA Yasuhiko

    光アクセス系で導入が進められている10G-EPONなどの次世代10ギガビット級PON (Passive Optical Network)システムにおける上り用光源への適用に向けて,波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザの研究開発を行っている.高密度量子ドットの適用による高利得化,及び共振器長の調整によって光出力の向上を図り,-10℃から85℃において,単一モード発振での温度安定な電流-光出力特性 …

    IEICE technical report 111(183), 109-112, 2011-08-18

    References (13)

  • Research and Development of 1.27-μm High-Density Quantum-Dot DFB Lasers  [in Japanese]

    TAKADA Kan , TANAKA Yu , MATSUMOTO Takeshi , KONDO Hayato , MOCHIDA Reio , MAEDA Yasunari , YAMAGUCHI Masaomi , KAGEYAMA Takeo , TAKEMASA Keizo , NISHI Kenichi , NAKATA Yoshiaki , YAMAMOTO Tsuyoshi , SUGAWARA Mitsuru , ARAKAWA Yasuhiko

    光アクセス系で導入が進められている10G-EPONなどの次世代10ギガビット級PON (Passive Optical Network)システムにおける上り用光源への適用に向けて,波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザの研究開発を行っている.高密度量子ドットの適用による高利得化,及び共振器長の調整によって光出力の向上を図り,-10℃から85℃において,単一モード発振での温度安定な電流-光出力特性 …

    IEICE technical report 111(184), 109-112, 2011-08-18

    References (13)

  • C-4-4 1.27μm Quantum-dot DFB Lasers for 10G-EPON  [in Japanese]

    Takada Kan , Tanaka Yu , Matsumoto Takeshi , Yamaguchi Masaomi , Kageyama Takeo , Nishi Kenichi , Nakata Yoshiaki , Yamamoto Tsuyoshi , Sugawara Mitsuru , Arakawa Yasuhiko

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2010年_エレクトロニクス(1), 194, 2010-08-31

  • Improved performances of 1.3-μm InAs/GaAs high-density quantum dot Lasers  [in Japanese]

    TANAKA Yu , TAKADA Kan , ISHIDA Mitsuru , MATSUMOTO Takeshi , SONG Hai-Zhi , EKAWA Mitsuru , NAKATA Yoshiaki , YAMAMOTO Tsuyoshi , YAMAGUCHI Masaomi , NISHI Kenichi , SUGAWARA Mitsuru , ARAKAWA Yasuhiko

    高密度InAs/GaAs量子ドットを活性層に適用した波長1.3μm帯量子ドットレーザの最近の開発状況について報告する.分子線エピタキシー法を用いて開発した高密度ドット(密度5.9×10^<10>cm^2)の多層成長開発を進め,8層積層で利得の更なる増加に成功した.この高密度量子ドット活性層を適用してFPレーザを作製して変調帯域の改善と,世界初の室温25Gb/s変調動作を確認した.また同 …

    IEICE technical report 110(181), 157-162, 2010-08-19

    References (17)

  • Improved performances of 1.3-μm InAs/GaAs high-density quantum dot Lasers  [in Japanese]

    TANAKA Yu , TAKADA Kan , ISHIDA Mitsuru , MATSUMOTO Takeshi , SONG Hai-Zhi , EKAWA Mitsuru , NAKATA Yoshiaki , YAMAMOTO Tsuyoshi , YAMAGUCHI Masaomi , NISHI Kenichi , SUGAWARA Mitsuru , ARAKAWA Yasuhiko

    高密度InAs/GaAs量子ドットを活性層に適用した波長1.3μm帯量子ドットレーザの最近の開発状況について報告する.分子線エピタキシー法を用いて開発した高密度ドット(密度5.9×10^<10>cm^2)の多層成長開発を進め,8層積層で利得の更なる増加に成功した.この高密度量子ドット活性層を適用してFPレーザを作製して変調帯域の改善と,世界初の室温25Gb/s変調動作を確認した.また同 …

    IEICE technical report 110(180), 157-162, 2010-08-19

    References (17)

  • Improved performances of 1.3-μm InAs/GaAs high-density quantum dot Lasers  [in Japanese]

    TANAKA Yu , TAKADA Kan , ISHIDA Mitsuru , MATSUMOTO Takeshi , SONG Hai-Zhi , EKAWA Mitsuru , NAKATA Yoshiaki , YAMAMOTO Tsuyoshi , YAMAGUCHI Masaomi , NISHI Kenichi , SUGAWARA Mitsuru , ARAKAWA Yasuhiko

    高密度InAs/GaAs量子ドットを活性層に適用した波長1.3μm帯量子ドットレーザの最近の開発状況について報告する.分子線エピタキシー法を用いて開発した高密度ドット(密度5.9×10^<10>cm^2)の多層成長開発を進め,8層積層で利得の更なる増加に成功した.この高密度量子ドット活性層を適用してFPレーザを作製して変調帯域の改善と,世界初の室温25Gb/s変調動作を確認した.また同 …

    IEICE technical report 110(178), 157-162, 2010-08-19

    References (17)

  • Improved performances of 1.3μm InAs/GaAs high-density quantum dot Lasers  [in Japanese]

    TANAKA Yu , TAKADA Kan , ISHIDA Mitsuru , MATSUMOTO Takeshi , SONG Hai-Zhi , EKAWA Mitsuru , NAKATA Yoshiaki , YAMAMOTO Tsuyoshi , YAMAGUCHI Masaomi , NISHI Kenichi , SUGAWARA Mitsuru , ARAKAWA Yasuhiko

    高密度InAs/GaAs量子ドットを活性層に適用した波長1.3μm帯量子ドットレーザの最近の開発状況について報告する.分子線エピタキシー法を用いて開発した高密度ドット(密度5.9×10^<10>cm^2)の多層成長開発を進め,8層積層で利得の更なる増加に成功した.この高密度量子ドット活性層を適用してFPレーザを作製して変調帯域の改善と,世界初の室温25Gb/s変調動作を確認した.また同 …

    IEICE technical report 110(179), 157-162, 2010-08-19

    References (17)

  • C-4-30 10.3-Gb/s Operation over a Wide Temperature Range in 1.3-μm Quantum-dot DFB Lasers  [in Japanese]

    Takada Kan , Tanaka Yu , Matsumoto Takeshi , Ekawa Mitsuru , Song Hai-zhi , Nakata Yoshiaki , Yamaguchi Masaomi , Nishi Kenichi , Yamamoto Tsuyoshi , Sugawara Mitsuru , Arakawa Yasuhiko

    Proceedings of the IEICE General Conference 2010年_エレクトロニクス(1), 281, 2010-03-02

  • 1.3μm InAs/GaAs quantum dot lasers : Toward single mode lasing and high speed modulation  [in Japanese]

    TANAKA Yu , TAKADA Kan , ISHIDA Mitsuru , MAEDA Yasunari , MATSUMOTO Takeshi , EKAWA Mitsuru , SONG Hai-Zhi , YAMAGUCHI Masaomi , NAKATA Yoshiaki , NISHI Kenichi , YAMAMOTO Tsuyoshi , SUGAWARA Mitsuru , ARAKAWA Yasuhiko

    波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの最近の開発状況について報告する.伝送距離延長に向けた単一モード化のために活性層直上に回折格子を形成したDFBレーザを開発した.従来に比べて大きい結合係数の確保により,安定な単一モード発振を得ることに成功し,15℃から70℃までの温度安定10.3Gb/s変調特性を実現した.また新たに分子線エピタキシー法を用いた高密度量子ドットの成長に成功した.作製 …

    IEICE technical report 109(92), 67-72, 2009-06-12

    References (20)

  • 1.3μm InAs/GaAs quantum dot lasers : Toward single mode lasing and high speed modulation  [in Japanese]

    TANAKA Yu , TAKADA Kan , ISHIDA Mitsuru , MAEDA Yasunari , MATSUMOTO Takeshi , EKAWA Mitsuru , SONG Hai-Zhi , YAMAGUCHI Masaomi , NAKATA Yoshiaki , NISHI Kenichi , YAMAMOTO Tsuyoshi , SUGAWARA Mitsuru , ARAKAWA Yasuhiko

    波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの最近の開発状況について報告する.伝送距離延長に向けた単一モード化のために活性層直上に回折格子を形成したDFBレーザを開発した.従来に比べて大きい結合係数の確保により,安定な単一モード発振を得ることに成功し,15℃から70℃までの温度安定10.3Gb/s変調特性を実現した.また新たに分子線エピタキシー法を用いた高密度量子ドットの成長に成功した.作製 …

    IEICE technical report 109(93), 67-72, 2009-06-12

    References (20)

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