春日井 秀紀 KASUGAI Hideki

ID:9000016199421

パナソニック株式会社 Panasonic Corporation (2013年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-19 of 19

  • High-Power Operation and Applications of InGaN Laser Diode  [in Japanese]

    Hagino Hiroyuki , Samonji Katsuya , Yoshida Shinji , Takigawa Shinichi , Morimoto Kiyoshi , Takizawa Toshiyuki , Kasugai Hideki , Yamanaka Kazuhiko , Katayama Takuma

    プロジェクタや車載照明などの固体光源への応用を想定し,ワット級の高い光出力が得られる青紫色半導体レーザアレイを開発した.発光領域を1mm以下に小さくしたレーザアレイの熱設計手法を独自に構築し,水冷を必要としない汎用タイプのパッケージを用いた場合でも,ケース温度25℃で光出力6.3Wの連続発振に成功した.さらに,高輝度白色光源への応用展開として光出力60Wの半導体レーザモジュールを作製し,新規に開発 …

    Technical report of IEICE. LQE 113(331), 1-4, 2013-11-28

  • High-Power Operation and Applications of InGaN Laser Diode  [in Japanese]

    Hagino Hiroyuki , Samonji Katsuya , Yoshida Shinji , Takigawa Shinichi , Morimoto Kiyoshi , Takizawa Toshiyuki , Kasugai Hideki , Yamanaka Kazuhiko , Katayama Takuma

    プロジェクタや車載照明などの固体光源への応用を想定し,ワット級の高い光出力が得られる青紫色半導体レーザアレイを開発した.発光領域を1mm以下に小さくしたレーザアレイの熱設計手法を独自に構築し,水冷を必要としない汎用タイプのパッケージを用いた場合でも,ケース温度25℃で光出力6.3Wの連続発振に成功した.さらに,高輝度白色光源への応用展開として光出力60Wの半導体レーザモジュールを作製し,新規に開発 …

    IEICE technical report. Electron devices 113(329), 1-4, 2013-11-28

  • High-Power Operation and Applications of InGaN Laser Diode  [in Japanese]

    Hagino Hiroyuki , Samonji Katsuya , Yoshida Shinji , Takigawa Shinichi , Morimoto Kiyoshi , Takizawa Toshiyuki , Kasugai Hideki , Yamanaka Kazuhiko , Katayama Takuma

    プロジェクタや車載照明などの固体光源への応用を想定し,ワット級の高い光出力が得られる青紫色半導体レーザアレイを開発した.発光領域を1mm以下に小さくしたレーザアレイの熱設計手法を独自に構築し,水冷を必要としない汎用タイプのパッケージを用いた場合でも,ケース温度25℃で光出力6.3Wの連続発振に成功した.さらに,高輝度白色光源への応用展開として光出力60Wの半導体レーザモジュールを作製し,新規に開発 …

    IEICE technical report. Component parts and materials 113(330), 1-4, 2013-11-28

  • High-power Blue-violet Laser Diodes with Window-structure  [in Japanese]

    KAWAGUCHI Masao , KASUGAI Hideki , SAMONJI Katsuya , HAGINO Hiroyuki , ORITA Kenji , YAMANAKA Kazuhiko , YURI Masaaki , TAKIGAWA Shinichi

    GaN系材料を用いた高出力半導体レーザは、ディスプレイ、光記録、加工などの幅広いアプリケーションのキーデバイスとして期待されている。半導体レーザの高出力化には、光吸収に起因する端面破壊の抑制が特に重要であり、光出射端面の禁制帯を選択的にワイドギャップ化して光非吸収にする端面窓構造の有効性が知られている。我々は、この端面窓構造を有する青紫レーザを、段差溝を設けたGaN基板上にレーザ構造をエピタキシャ …

    IEICE technical report 110(353), 59-62, 2010-12-10

    References (14)

  • Thermal analysis in nitride-based LED by micro-Raman spectroscopy  [in Japanese]

    MISHIMA Syunsuke , ASAI Toshihiro , KASUGAI Hideki , HONSHIO Akira , MIYAKE Yasuto , IIDA Kazuyoshi , KAWASHIMA Takeshi , IWAYA Motoaki , KAMIYAMA Satoshi , AMANO Hiroshi , AKASAKI Isamu , WAKAYAMA Masafumi

    本研究では、III族窒化物半導体LED動作時の内部微細領域における温度分布を、顕微ラマン分光法により測定した。その結果、LEDの面内において温度分布が存在することが確認され、LEDのp電極領域が高温であることが確認された。また、本測定の優位な点として、深さ方向に対する測定も可能であり、半導体デバイスの3次元的な熱解析が可能であることが示唆される結果が得られた。

    IEICE technical report. Electron devices 105(90), 117-121, 2005-05-20

    References (4)

  • Thermal analysis in nitride-based LED by micro-Raman spectroscopy  [in Japanese]

    MISHIMA Syunsuke , ASAI Toshihiro , KASUGAI Hideki , HONSHIO Akira , MIYAKE Yasuto , IIDA Kazuyoshi , KAWASHIMA Takeshi , IWAYA Motoaki , KAMIYAMA Satoshi , AMANO Hiroshi , AKASAKI Isamu , WAKAYAMA Masafumi

    本研究では、III族窒化物半導体LED動作時の内部微細領域における温度分布を、顕微ラマン分光法により測定した。その結果、LEDの面内において温度分布が存在することが確認され、LEDのp電極領域が高温であることが確認された。また、本測定の優位な点として、深さ方向に対する測定も可能であり、半導体デバイスの3次元的な熱解析が可能であることが示唆される結果が得られた。

    IEICE technical report. Component parts and materials 105(92), 117-121, 2005-05-20

    References (4)

  • Thermal analysis in nitride-based LED by micro-Raman spectroscopy  [in Japanese]

    MISHIMA Syunsuke , ASAI Toshihiro , KASUGAI Hideki , HONSHIO Akira , MIYAKE Yasuto , IIDA Kazuyoshi , KAWASHIMA Takeshi , IWAYA Motoaki , KAMIYAMA Satoshi , AMANO Hiroshi , AKASAKI Isamu , WAKAYAMA Masafumi

    本研究では、III族窒化物半導体LED動作時の内部微細領域における温度分布を、顕微ラマン分光法により測定した。その結果、LEDの面内において温度分布が存在することが確認され、LEDのp電極領域が高温であることが確認された。また、本測定の優位な点として、深さ方向に対する測定も可能であり、半導体デバイスの3次元的な熱解析が可能であることが示唆される結果が得られた。

    Technical report of IEICE. SDM 105(94), 117-121, 2005-05-20

    References (4)

  • Violet LED fabricated on R-plane sapphire  [in Japanese]

    IIDA K. , KASUGAI H. , MISHIMA S. , MIYAKE Y. , HONSHIO A. , KAWASHIMA T. , TSUDA M. , IWAYA M. , KAMIYAMA S. , AMANO H. , AKASAKI I.

    無極性面であるGaN(112^-0)面が成長するサファイアR面上にLEDを作製できることは既に報告されている。我々は、サファイアR面上の成長条件を精査し、2μm程度で高品質な結晶を実現し、その結晶を下地結晶として紫色LEDを作製した。その結果として、動作電圧6V(DC20mA) 、発光波長413nmという特性を得た。

    Technical report of IEICE. LQE 104(362), 95-98, 2004-10-22

    References (9)

  • Moth eye light emitting diode  [in Japanese]

    KASUGAI H. , MIYAKE Y. , HONSHIO A. , KAWASHIMA T. , IIDA K. , IWAYA M. , KAMIYAMA S. , AMANO H. , AKASAKI I. , KINOSHITA H. , SHIOMI H.

    6H-SiC基板の裏面にMoth eye構造を有する窒化物系青色発光ダイオードを作製した。光取り出し効率、光出力は従来のLEDの3.8倍であった。RCWA法による理論計算も、ほぼ同じ結果を得た。

    Technical report of IEICE. LQE 104(362), 79-84, 2004-10-22

    References (13)

  • Violet LED fabricated on R-plane sapphire  [in Japanese]

    IIDA K. , KASUGAI H. , MISHIMA S. , MIYAKE Y. , HONSHIO A. , KAWASHIMA T. , TSUDA M. , IWAYA M. , KAMIYAMA S. , AMANO H. , AKASAKI I.

    無極性面であるGaN(112^-0)面が成長するサファイアR面上にLEDを作製できることは既に報告されている。我々は、サファイアR面上の成長条件を精査し、2μm程度で高品質な結晶を実現し、その結晶を下地結晶として紫色LEDを作製した。その結果として、動作電圧6V(DC20mA) 、発光波長413nmという特性を得た。

    IEICE technical report. Electron devices 104(358), 95-98, 2004-10-22

    References (9)

  • Moth eye light emitting diode  [in Japanese]

    KASUGAI H. , MIYAKE Y. , HONSHIO A. , KAWASHIMA T. , IIDA K. , IWAYA M. , KAMIYAMA S. , AMANO H. , AKASAKI I. , KINOSHITA H. , SHIOMI H.

    6H-SiC基板の裏面にMoth eye構造を有する窒化物系青色発光ダイオードを作製した。光取り出し効率、光出力は従来のLEDの3.8倍であった。RCWA法による理論計算も、ほぼ同じ結果を得た。

    IEICE technical report. Electron devices 104(358), 79-84, 2004-10-22

    References (13)

  • Violet LED fabricated on R-plane sapphire  [in Japanese]

    IIDA K. , KASUGAI H. , MISHIMA S. , MIYAKE Y. , HONSHIO A. , KAWASHIMA T. , TSUDA M. , IWAYA M. , KAMIYAMA S. , AMANO H. , AKASAKI I.

    無極性面であるGaN(112^-0)面が成長するサファイアR面上にLEDを作製できることは既に報告されている。我々は、サファイアR面上の成長条件を精査し、2μm程度で高品質な結晶を実現し、その結晶を下地結晶として紫色LEDを作製した。その結果として、動作電圧6V(DC20mA) 、発光波長413nmという特性を得た。

    IEICE technical report. Component parts and materials 104(360), 95-98, 2004-10-22

    References (9)

  • Moth eye light emitting diode  [in Japanese]

    KASUGAI H. , MIYAKE Y. , HONSHIO A. , KAWASHIMA T. , IIDA K. , IWAYA M. , KAMIYAMA S. , AMANO H. , AKASAKI I. , KINOSHITA H. , SHIOMI H.

    6H-SiC基板の裏面にMoth eye構造を有する窒化物系青色発光ダイオードを作製した。光取り出し効率、光出力は従来のLEDの3.8倍であった。RCWA法による理論計算も、ほぼ同じ結果を得た。

    IEICE technical report. Component parts and materials 104(360), 79-84, 2004-10-22

    References (13)

  • Growth of GaN on 4H-SiC with different crystal planes  [in Japanese]

    MIYAKE Yasuto , HONSHIO Akira , KITANO Tsukasa , IMURA Masataka , NAKANO Kiyotaka , KASUGAI Hideki , KAWASHIMA Takeshi , IIDA Kazuyoshi , IWAYA Motoaki , KAMIYAMA Satoshi , AMANO Hiroshi , AKASAKI Isamu , KINOSHITA Hiroyuki , SHIOMI Hiromu

    本研究では、MOVPE法を用いて、様々な面の4H-SiC基板上にGaNを成長させ,その結晶方位、表面平坦性、結晶性などについて研究を行った。その結果、実験を行った全ての面方位で基板とGaNのc軸の方位はそろって成長し、単結晶が得られた。また、X線回折によるGaN(0002)、(101^-0)のモザイク性は、 c軸候斜角に大きく依存していた。また、AlGaNのAlNモル分率や成長速度も依存することが …

    Technical report of IEICE. LQE 104(361), 7-11, 2004-10-21

    References (9)

  • Group III nitrides grown on R-plane sapphire with different off-angle : Off-angle dependence  [in Japanese]

    HONSHIO Akira , IMURA Masataka , IIDA Kazuyoshi , MIYAKE Yasuto , KASUGAI Hideki , KAWASHIMA Takeshi , TSUDA Michinobu , IWAYA Motoaki , KAMIYAMA Satoshi , AMANO Hiroshi , AKASAKI Isamu

    従来、サファイアR面基板上にGaNを成長させる場合、結晶性が比較的良好でかつ平坦な膜を得るために数十μm程度の厚膜成長が必要であった。本報告では、サファイア基板のオフ角を制御することによって、薄膜でも結晶性・平坦性の改善が可能であることを見出したので報告する。

    Technical report of IEICE. LQE 104(361), 1-5, 2004-10-21

    References (13) Cited by (2)

  • Growth of GaN on 4H-SiC with different crystal planes  [in Japanese]

    MIYAKE Yasuto , HONSHIO Akira , KITANO Tsukasa , IMURA Masataka , NAKANO Kiyotaka , KASUGAI Hideki , KAWASHIMA Takeshi , IIDA Kazuyoshi , IWAYA Motoaki , KAMIYAMA Satoshi , AMANO Hiroshi , AKASAKI Isamu , KINOSHITA Hiroyuki , SHIOMI Hiromu

    本研究では、MOVPE法を用いて、様々な面の4H-SiC基板上にGaNを成長させ,その結晶方位、表面平坦性、結晶性などについて研究を行った。その結果、実験を行った全ての面方位で基板とGaNのc軸の方位はそろって成長し、単結晶が得られた。また、X線回折によるGaN(0002)、(101^-0)のモザイク性は、 c軸候斜角に大きく依存していた。また、AlGaNのAlNモル分率や成長速度も依存することが …

    IEICE technical report. Electron devices 104(357), 7-11, 2004-10-21

    References (9)

  • Group III nitrides grown on R-plane sapphire with different off-angle : Off-angle dependence  [in Japanese]

    HONSHIO Akira , IMURA Masataka , IIDA Kazuyoshi , MIYAKE Yasuto , KASUGAI Hideki , KAWASHIMA Takeshi , TSUDA Michinobu , IWAYA Motoaki , KAMIYAMA Satoshi , AMANO Hiroshi , AKASAKI Isamu

    従来、サファイアR面基板上にGaNを成長させる場合、結晶性が比較的良好でかつ平坦な膜を得るために数十μm程度の厚膜成長が必要であった。本報告では、サファイア基板のオフ角を制御することによって、薄膜でも結晶性・平坦性の改善が可能であることを見出したので報告する。

    IEICE technical report. Electron devices 104(357), 1-5, 2004-10-21

    References (13) Cited by (1)

  • Growth of GaN on 4H-SiC with different crystal planes  [in Japanese]

    MIYAKE Yasuto , HONSHIO Akira , KITANO Tsukasa , IMURA Masataka , NAKANO Kiyotaka , KASUGAI Hideki , KAWASHIMA Takeshi , IIDA Kazuyoshi , IWAYA Motoaki , KAMIYAMA Satoshi , AMANO Hiroshi , AKASAKI Isamu , KINOSHITA Hiroyuki , SHIOMI Hiromu

    本研究では、MOVPE法を用いて、様々な面の4H-SiC基板上にGaNを成長させ,その結晶方位、表面平坦性、結晶性などについて研究を行った。その結果、実験を行った全ての面方位で基板とGaNのc軸の方位はそろって成長し、単結晶が得られた。また、X線回折によるGaN(0002)、(101^-0)のモザイク性は、 c軸候斜角に大きく依存していた。また、AlGaNのAlNモル分率や成長速度も依存することが …

    IEICE technical report. Component parts and materials 104(359), 7-11, 2004-10-21

    References (9)

  • Group III nitrides grown on R-plane sapphire with different off-angle : Off-angle dependence  [in Japanese]

    HONSHIO Akira , IMURA Masataka , IIDA Kazuyoshi , MIYAKE Yasuto , KASUGAI Hideki , KAWASHIMA Takeshi , TSUDA Michinobu , IWAYA Motoaki , KAMIYAMA Satoshi , AMANO Hiroshi , AKASAKI Isamu

    従来、サファイアR面基板上にGaNを成長させる場合、結晶性が比較的良好でかつ平坦な膜を得るために数十μm程度の厚膜成長が必要であった。本報告では、サファイア基板のオフ角を制御することによって、薄膜でも結晶性・平坦性の改善が可能であることを見出したので報告する。

    IEICE technical report. Component parts and materials 104(359), 1-5, 2004-10-21

    References (13)

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