小林 尚平 KOBAYASHI Shohei

ID:9000017716554

信州大学工学部 Faculty of Engineering, Shinshu University (2010年 CiNii収録論文より)

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  • Estimation of interface state density at nitride/SiC interface using current-voltage characteristics of MIS Schottky contact  [in Japanese]

    MURATA Yusuke , SUZUKI Shinitiro , KOBAYASHI Shohei , YAMAGAMI Tomohiko , HAYASHIBE Rinpei , KAMIMURA Kichi

    n型4H-SiC上にNH_3による直接窒化法で窒化膜を形成してMIS構造を作製した。電流電圧特性から理想係数nを求めた。得られた理想係数nと膜厚から界面準位密度を算出した。その結果、窒化膜を挿入した試料で界面準位密度の低減が確認された。このことから、SiC表面を窒化することにより界面特性が向上することわかった。

    IEICE technical report 110(261), 51-54, 2010-10-21

    References (6)

  • C-6-9 Interface properties of SiCMIS diode prepared by direct nitridation  [in Japanese]

    Murata Yusuke , Suzuki Shinitirou , Kobayashi Syohei , Yamagami Tomohikio , Hayashibe Rinpei , Kamimura Kiichi

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2010年_エレクトロニクス(2), 19, 2010-08-31

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