岸田 悟 KISHIDA Satoru

ID:9000020061104

鳥取大学工学部電子工学科 Department of Electronics, Tottori University (1988年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-1 of 1

  • Thin film growth of Si or Ge on SiC crystal observed by RHEED.  [in Japanese]

    MORIHARA Toshinori , NISHIMORI Katsumi , TOKUTAKA Heizo , KISHIDA Satoru , ISHIHARA Naganori

    (1) SiCを超高真空中で熱処理 (1000℃, 10min) 後, Si面では1×1, C面では3×3像が観察できた.<BR>(2) SiCのSi面とC面上でのSi及びGeのエピタキシー成長を比較した.<BR>(2-1) SiC (T<SUB>s</SUB>=500℃) のSi面上では, Si蒸着膜は層状のエピタキシー成長を示した.しかしGe蒸着 …

    Shinku 31(5), 394-398, 1988

    J-STAGE 

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