松嶋 秀明 Matsushima Hideaki

ID:9000021576794

信越半導体 (株) Shin- Etsu Handotai Co., Ltd. (1991年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-1 of 1

  • Diamond Synthesis on Substrate Treated by Collision of Particles.  [in Japanese]

    Takarada Takayuki , Ebihara Fukuji , Matsushima Hideaki , Kato Kunio

    Si基板表面に比較的大きな粒子を衝突させることによって基板表面の処理を行い, ダイヤモンド合成に対する効果を検討した.ダイヤモンド合成は, マイクロ波プラズマ法によって行った.<BR>はじめに, 通常のガス-固系流動層を用いて流動化している粒子を5mm角のSi基板表面に衝突させることによって前処理を行ったところ, 粒子析出密度が著しく増大した.処理の効果は, 流動化粒子種類, 流動化粒 …

    KAGAKU KOGAKU RONBUNSHU 17(4), 796-801, 1991

    J-STAGE 

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