澤 彰仁 SAWA Akihito

ID:9000045427872

独立行政法人産業技術総合研究所電子光技術研究部門 Electronics and Photonics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (2012年 CiNii収録論文より)

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  • Latest Trends of Technology Development for Resistive Random Access Memory (ReRAM)  [in Japanese]

    SHIMA Hisashi , SAWA Akihito

    遷移金属酸化物を用いた抵抗変化メモリReRAM(Resistive Random Access Memory)は,メモリ動作の省電力性,CMOSプロセスとの高い親和性,スケーラビリティに優れたメモリ技術であり,次世代不揮発性メモリの有力候補である.本稿では,ReRAMの動作性能について技術開発の最新動向を紹介するとともに,実用化に必須なReRAMの信頼性向上や,メモリアレーの更なる高集積化に向けて …

    The Journal of the Institute of Electronics, Information, and Communication Engineers 95(11), 992-997, 2012-11-01

    References (25)

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