今泉 延弘 IMAIZUMI Nobuhiro

ID:9000045430578

(株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. (2012年 CiNii収録論文より)

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  • Low Temperature Cu-Cu Direct Bonding Method Using Fine Crystallization on Top of Bump Surface  [in Japanese]

    SAKAI Taiji , IMAIZUMI Nobuhiro , MIYAJIMA Toyoo , WAKANA Shinichi , MIZUKOSHI Masataka

    高密度・高速三次元積層デバイスで必要不可欠となる金属同士の固相拡散接続をCuバンプで実現するため,超精密切削による表面平たん化をコアとする低温接合技術を開発した.一般的に用いられている機械化学研磨(Chemical Mechanical Polishing ; CMP)で平たん化したバンプと異なり,切削加工の場合,最表層に約100〜200nm厚さの微結晶層が形成され,この微結晶層は低温で再結晶化し …

    The transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C 95(11), 287-295, 2012-11-01

    References (22)

  • 低環境負荷プロセスの実現に向けた低温接合技術の開発  [in Japanese]

    作山 誠樹 , 赤松 俊也 , 今泉 延弘 , 上西 啓介

    溶接学会全国大会講演概要 86, "F-22"-"F-29", 2010-03-29

    References (10)

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