佐藤 克己 SATOH Katsumi

ID:9000045431223

三菱電機株式会社パワーデバイス製作所 Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation (2012年 CiNii収録論文より)

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  • Technologies and Trends of Latest IGBT Related to Si Power Electronics  [in Japanese]

    SATOH Katsumi

    エネルギー需要は増加の一途であり,パワーエレクトロニクス技術の発展によるエネルギーの効率的な運用が必要不可欠である.パワーエレクトロニクスのキーデバイスであるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は,チップの構造・プロセス設計技術だけでなく,高温化・高信頼性を追及したパッケージ技術も合わせて重要な技術要素を基に成り立っている.これら技術要素を含めた最先端IG …

    The Journal of the Institute of Electronics, Information, and Communication Engineers 95(11), 998-1002, 2012-11-01

    References (8)

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