高橋 成也 TAKAHASHI N.

ID:9000045700618

豊橋技術科学大学電気・電子工学系電子デバイス大講座 Electric & Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology (2002年 CiNii収録論文より)

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  • The formation of resonance tunnel device by Al_2O_3/Si multiple structure  [in Japanese]

    ISHIDA M. , KOJI Y. , SHAHJAHAN M. , TAKAHASHI N. , ITO R. , SAWADA K.

    Si基板上に単結晶Al_2O_3絶縁膜を成長するエピタキシャルSi/Al_2O_3/Si積層SOI構造の形成に関する独自の研究を行ってきた。これまで、混成ソースMBE法によりSi(111)上にγ-Al_2O_3をエピタキシャル成長することに成功している.また、MBE成長により、γ-Al_2O_3上にSi極薄膜をエピタキシャル成長することが可能である。絶縁膜にγ-Al_2O_3エピタキシャル薄膜、半 …

    Technical report of IEICE. SDM 101(621), 59-64, 2002-01-22

    References (11)

  • The formation of resonance tunnel device by Al_2O_3/Si multiple structure  [in Japanese]

    ISHIDA M. , KOJI Y. , SHAHJAHAN M. , TAKAHASHI N. , ITO R. , SAWADA K.

    Si基板上に単結晶Al_2O_3絶縁膜を成長するエピタキシャルSi/Al_2O_3/Si積層SOI構造の形成に関する独自の研究を行ってきた。これまで、混成ソースMBE法によりSi(111)上にγ-Al_2O_3をエピタキシャル成長することに成功している.また、MBE成長により、γ-Al_2O_3上にSi極薄膜をエピタキシャル成長することが可能である。絶縁膜にγ-Al_2O_3エピタキシャル薄膜、半 …

    IEICE technical report. Electron devices 101(618), 59-64, 2002-01-22

    References (11)

  • MOS Field Emitters Using Epitaxial Al_2O_3/Si Structure  [in Japanese]

    SAWADA K. , HOSHI T. , KOJI Y. , KIM J. , SHAHJAHAN M. , TAKAHASHI N. , ISHIDA M.

    Al_2O_3絶縁膜に用いたエピタキシャルSi/Al_2O_3/Si積層SOI構造の形成に関する独自の研究を行っている。これまで、混成ソースMBE法によりSi(111)上にγ-Al_2O_3をエピタキシャル成長することに成功している.また、MBE成長により、γ-Al_2O_3上にAl, Si極薄膜をエピタキシャル成長することが可能である。この技術を用い絶縁膜にγ-Al_2O_3エピタキシャル薄膜、 …

    IEICE technical report. Electron devices 101(501), 27-32, 2001-12-14

    References (8)

  • MOS Field Emitters Using Epitaxial Al_2O_3/Si Structure  [in Japanese]

    SAWADA K. , HOSHI T. , KOJI Y. , KIM J. , SHAHJAHAN M. , TAKAHASHI N. , ISHIDA M.

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2001(140), 27-32, 2001-12-14

    References (8)

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