中舎 安宏 NAKASHA Yasuhiro

Articles:  1-20 of 80

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  • Improvement in Noise Characteristics of Zero-bias GaAsSb-based Backward Diodes  [in Japanese]

    高橋 剛 , 佐藤 優 , 芝 祥一 , 中舍 安宏 , 原 直紀 , 岩井 大介 , 岡本 直哉 , 渡部 慶二

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(432), 29-33, 2017-01-26

  • Improvement in Noise Characteristics of Zero-bias GaAsSb-based Backward Diodes  [in Japanese]

    高橋 剛 , 佐藤 優 , 芝 祥一 , 中舍 安宏 , 原 直紀 , 岩井 大介 , 岡本 直哉 , 渡部 慶二

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(431), 29-33, 2017-01-26

  • Compact Terahertz Receiver for Short-range Wireless Communications of Tens of Gbps  [in Japanese]

    中舎 安宏 , 芝 祥一 , 川野 陽一 , 高橋 剛

    Fujitsu 68(1), 9-14, 2017-01

  • Effect of Drain-Side Recess Length on DC and RF Characteristics of Cryogenic InP HEMTs  [in Japanese]

    遠藤 聡 , 渡邊 一世 , 笠松 章史 , 高橋 剛 , 芝 祥一 , 中舍 安宏 , 岩井 大介 , 三村 高志

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(375), 7-12, 2016-12-19

  • Millimeter-Wave/Sub-Millimeter-Wave Monolithic ICs in 75-nm InP HEMT Technology for Short-range Multi-10-Gps Wireless Communications  [in Japanese]

    川野 陽一 , 松村 宏志 , 芝 祥一 , 佐藤 優 , 鈴木 俊秀 , 中舎 安宏 , 高橋 剛 , 牧山 剛三 , 岩井 大介 , 原 直紀

    電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan 2016(36-45), 35-38, 2016-03-28

  • CI-5-8 A 20 Gbit/s, 280 GHz Wireless Transmission in InP-HEMT based Receiver Module  [in Japanese]

    Kawano Yoichi , Matsumura Hiroshi , Shiba Shoichi , Sato Masaru , Suzuki Toshihide , Nakasha Yasuhiro , Takahashi Tsuyoshi , Makiyama Kozo , Iwai Taisuke , Hara Naoki

    Proceedings of the IEICE General Conference 2016年_エレクトロニクス(2), "SS-71", 2016-03-01

  • CI-5-8 A 20 Gbit/s, 280 GHz Wireless Transmission in InP-HEMT based Receiver Module  [in Japanese]

    Kawano Yoichi , Matsumura Hiroshi , Shiba Shoichi , Sato Masaru , Suzuki Toshihide , Nakasha Yasuhiro , Takahashi Tsuyoshi , Makiyama Kozo , Iwai Taisuke , Hara Naoki

    Proceedings of the IEICE General Conference 2016年_エレクトロニクス(1), "SS-52", 2016-03-01

  • Wideband Common-gate Amplifiers with current-reuse-topology MMIC and its application  [in Japanese]

    Sato Masaru , Shiba Shoichi , Kawano Yoichi , Mtsumura Hiroshi , Takahashi Tsuyoshi , Suzuki Toshihide , Nakasha Yasuhiro , Hara Naoki

    本講演ではInP HEMTを用いて実現した広帯域ゲート接地型増幅器の試作結果を紹介する.U帯,W帯,D帯,G帯の各周波数帯で設計した増幅器の性能を述べると共に,この回路を応用した双方向増幅器について報告する.

    IEICE technical report. Microwaves 114(392), 77-81, 2015-01-15

  • Wideband Common-gate Amplifiers with current-reuse-topology MMIC and its application  [in Japanese]

    Sato Masaru , Shiba Shoichi , Kawano Yoichi , Matsumura Hiroshi , Takahashi Tsuyoshi , Suzuki Toshihide , Nakasha Yasuhiro , Hara Naoki

    本講演ではInP HEMTを用いて実現した広帯域ゲート接地型増幅器の試作結果を紹介する.U帯,W帯,D帯,G帯の各周波数帯で設計した増幅器の性能を述べると共に,この回路を応用した双方向増幅器について報告する.

    IEICE technical report. Electron devices 114(391), 77-81, 2015-01-15

  • Improvement in sensitivity at 170 GHz of GaAsSb-based tunnel diodes by adjusting doping concentration  [in Japanese]

    TAKAHASHI Tsuyoshi , SATO Masaru , NAKASHA Yasuhiro , SHIBA Shoichi , HARA Naoki , IWAI Taisuke

    高感度のミリ波受信用デバイスとして、GaAsSbを用いたヘテロ接合型トンネルダイオードの一種であるバックワードダイオードを開発した。InPに格子整合したp-GaAsSbとn-InGaAsで構成されるこのダイオードはゼロバイアスおよび室温で動作し、従来のショットキーダイオードより高い検波特性を持つことが特徴である。ダイオードのドーピング濃度を最適化することで、ショットキーダイオードの理論限界を超える …

    IEICE technical report. Electron devices 114(387), 57-61, 2014-12-22

  • CI-2-6 InP HEMT Amplifiers and Mounting in Submillimeter Waveband  [in Japanese]

    Suzuki T. , Kawano Y. , Matsumura H. , Shiba S. , Sato M. , Nakasha Y. , Takahashi T. , Makiyama K. , Hara N.

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2014年_エレクトロニクス(2), "SS-28"-"SS-29", 2014-09-09

  • CI-2-6 InP HEMT Amplifiers and Mounting in Submillimeter Waveband  [in Japanese]

    Suzuki T , Kawano Y , Matsumura H , Shiba S , Sato M , Nakasha Y , Takahashi T , Makiyama K , Hara N

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2014年_エレクトロニクス(1), "SS-29"-"SS-30", 2014-09-09

  • Invited Talk : Highly Sensitive GaAsSb-based Backward Diodes for Millimeter-wave Detection  [in Japanese]

    TAKAHASHI Tsuyoshi , SATO Masaru , NAKASHA Yasuhiro , SHIBA Shoichi , HARA Naoki , IWAI Taisuke

    従来のショットキーダイオードに代わる高感度のミリ波受信用デバイスとして、ゼロバイアスで動作するバックワードダイオードを開発した。ダイオードはInPに格子整合したp-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsで構成され、室温で動作する。これらの不純物濃度を最適化することで、ショットキーダイオードの理論限界を超える非線形特性を得ることができた。さらに、94GHzで20,000V/Wの高い検波感度 …

    IEICE technical report. Electron devices 114(168), 1-6, 2014-08-01

  • An F-band Fundamental Mixer Using InP HEMTs for Precise Spectrum Analysis  [in Japanese]

    Shiba Shoichi , Sato Masaru , Matsumura Hiroshi , Takahashi Tsuyoshi , Suzuki Toshihide , Nakasha Yasuhiro , Hara Naoki

    110GHzを超える周波数での高精度スペクトル計測を目的として,InP HEMT技術を用いた広帯域基本波ミキサを開発した.ミキサにはドレイン端子にLO/RF信号とIF信号を分離するデュプレクサを集積しており,レジスティブ動作およびドレインLO注入型動作が可能である.オンウェハでの評価を行い,ドレインLO注入型動作では,LO周波数110GHz,RF周波数116GHzで変換損失3dBが得られた.LOパ …

    IEICE technical report. Electron devices 113(357), 19-23, 2013-12-16

  • Recent Advances and Application on Over 100 GHz Amplifier Technologies  [in Japanese]

    Sato Masaru , Kawano Yoichi , Shiba Shoichi , Matsumura Hiroshi , Takahashi Tsuyoshi , Suzuki Toshihide , Nakasha Yasuhiro , Hara Naoki

    電子デバイス技術の進展に伴い100GHzを超える高周波を用いたセンサ・通信システムの実現の見通しがついてきた.いずれのシステムにおいても増幅器は重要な役割を果たしており,広帯域性,高利得性,低雑音性,安定性などが求められる.本報告ではゲート長75nmのInP HEMTを用いた増幅器設計技術について述べる.ゲート接地型3段増幅器では出力側インダクタを変えることにより,D帯で利得15dB,G帯で利得1 …

    IEICE technical report. Electron devices 113(357), 7-11, 2013-12-16

  • Improvement in Nonlinear Characteristics of GaAsSb-based Backward Diodes  [in Japanese]

    Takahashi Tsuyoshi , Sato Masaru , Nakasha Yasuhiro , Hara Naoki

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2013年_エレクトロニクス(2), 56, 2013-09-03

  • Development of 93-133 GHz Band InP HEMT Amplifier  [in Japanese]

    Sato Masaru , Shiba Shoichi , Matsumura Hiroshi , Takahashi Tsuyoshi , Nakasha Yasuhiro , Suzuki Toshihide , Hara Naoki

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2013年_エレクトロニクス(1), 63, 2013-09-03

  • CI-2-5 Current state and view of high-speed diode technologies  [in Japanese]

    Takahashi Tsuyoshi , Sato Masaru , Nakasha Yasuhiro , Hara Naoki

    Proceedings of the IEICE General Conference 2013年_エレクトロニクス(2), "SS-46"-"SS-47", 2013-03-05

  • C-10-11 F-Band Bidirectional Amplifier Using 75-nm InP HEMTs  [in Japanese]

    Siba Shoichi , Sato Masaru , Suzuki Toshihide , Nakasha Yasuhiro , Takahashi Tsuyoshi , Makiyama Kozo , Hara Naoki

    Proceedings of the IEICE General Conference 2013年_エレクトロニクス(2), 71, 2013-03-05

  • F-Band Bidirectional Amplifier Using 75-nm InP HEMTs  [in Japanese]

    SHIBA Shoichi , SATO Masaru , SUZUKI Toshihide , NAKASHA Yasuhiro , TAKAHASHI Tsuyoshi , MAKIYAMA Kozo , HARA Naoki

    短距離大容量通信システムへの適用に向け,75 nm InP HEMTを用いてF帯(90-140 GHz)で動作する電流再利用型の双方向増幅器を開発した.ゲート接地トランジスタと,インダクタとスイッチから成る小型可変整合回路により,順方向利得12-15 dB,逆方向9-12 dBで50 GHz以上の広帯域で双方向動作することを確認した.比帯域では,順方向39%,逆方向32%と,従来と比べほぼ2倍であ …

    IEICE technical report. Electron devices 112(364), 11-15, 2012-12-17

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