竹内 和歌奈 TAKEUCHI Wakana

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  • 酸素ラジカル照射によるAl₂O₃/SiC MOS界面の改質効果 (シリコン材料・デバイス)  [in Japanese]

    土井 拓馬 , 竹内 和歌奈 , 坂下 満男 , 田岡 紀之 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(110), 33-36, 2018-06-25

  • Ge₁-xSn[x]ゲートスタック構造における欠陥の物性評価 (シリコン材料・デバイス)  [in Japanese]

    金田 裕一 , 池 進一 , 兼松 正行 , 坂下 満男 , 竹内 和歌奈 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(101), 39-42, 2017-06-20

  • Ge基板上エピタキシャルGeSn膜の電気的活性な欠陥の評価 (シリコン材料・デバイス)  [in Japanese]

    金田 裕一 , 兼松 正行 , 坂下 満男 , 竹内 和歌奈 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(118), 37-41, 2016-06-29

  • 招待講演 Sn系Ⅳ族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 (有機エレクトロニクス)  [in Japanese]

    志村 洋介 , 竹内 和歌奈 , 坂下 満男 , 黒澤 昌志 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(2), 23-26, 2016-04-08

  • 招待講演 Sn系Ⅳ族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 (シリコン材料・デバイス)  [in Japanese]

    志村 洋介 , 竹内 和歌奈 , 坂下 満男 , 黒澤 昌志 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(1), 23-26, 2016-04-08

  • 依頼講演 SiO₂/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響 (シリコン材料・デバイス)  [in Japanese]

    竹内 和歌奈 , 山本 建策 , 坂下 満男 [他]

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(108), 27-30, 2015-06-19

  • Invited Talk : Formation of high Sn content SiSn films and its band structure : Aiming for direct-band-gap semiconductor  [in Japanese]

    黒澤 昌志 , 竹内 和歌奈 , 坂下 満男 [他]

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(19), 35-37, 2015-04-29

  • Invited Talk : Formation of high Sn content SiSn films and its band structure : Aiming for direct-band-gap semiconductor  [in Japanese]

    黒澤 昌志 , 竹内 和歌奈 , 坂下 満男 [他]

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(18), 35-37, 2015-04-29

  • Low temperature poly-crystallization of group-IV semiconductor films on insulators : Use of low-melting-point Sn  [in Japanese]

    KUROSAWA Masashi , TAOKA Noriyuki , TAOKA Noriyuki , 池上 浩 , TAKEUCHI Wakana , SAKASHITA Mitsuo , NAKATSUKA Osamu , ZAIMA Shigeaki

    積層型CMOS回路や近赤外・中赤外光フォトディテクタの新規材料として,我々はIV族多元半導体(GeSn,SiSn)に着目している.本報では,絶縁膜上におけるGeSn多結晶薄膜の低温結晶成長に関する最近のトピックス:(1)低融点Snを活用した結晶成長法,(2)水中レーザーアニール法について紹介する.

    Technical report of IEICE. SDM 114(88), 91-95, 2014-06-19

  • Interaction between Sn and Vacancy-rerated Defects in n-type Germanium Single Crystal  [in Japanese]

    TAKEUCHI Wakana , TAOKA Noriyuki , SAKASHITA Mitsuo , NAKATSUKA Osamu , ZAIMA Shigeaki

    Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Transient Spectroscopy(DLTS)法を用いて評価を行った。Sn及びGe注入試料ともに空孔欠陥およびSb-V欠陥が観測される。一方、Snイオン注入試料ではGeイオン注入試料では見られないE_v+0.19eVにトラップを観測した。そのトラップ密度はSnの導入量とともに …

    Technical report of IEICE. SDM 114(58), 113-118, 2014-05-28

  • Interaction between Sn and Vacancy-rerated Defects in n-type Germanium Single Crystal  [in Japanese]

    TAKEUCHI Wakana , TAOKA Noriyuki , SAKASHITA Mitsuo , NAKATSUKA Osamu , ZAIMA Shigeaki

    Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Transient Spectroscopy(DLTS)法を用いて評価を行った。Sn及びGe注入試料ともに空孔欠陥およびSb-V欠陥が観測される。一方、Snイオン注入試料ではGeイオン注入試料では見られないE_v+0.19eVにトラップを観測した。そのトラップ密度はSnの導入量とともに …

    IEICE technical report. Electron devices 114(56), 113-118, 2014-05-28

  • Interaction between Sn and Vacancy-rerated Defects in n-type Germanium Single Crystal  [in Japanese]

    TAKEUCHI Wakana , TAOKA Noriyuki , SAKASHITA Mitsuo , NAKATSUKA Osamu , ZAIMA Shigeaki

    Ge結晶に導入されたSnが、空孔欠陥やドーパントとの複合欠陥等の格子欠陥に与える効果についてDeep-Level Transient Spectroscopy(DLTS)法を用いて評価を行った。Sn及びGe注入試料ともに空孔欠陥およびSb-V欠陥が観測される。一方、Snイオン注入試料ではGeイオン注入試料では見られないE_v+0.19eVにトラップを観測した。そのトラップ密度はSnの導入量とともに …

    IEICE technical report. Component parts and materials 114(57), 113-118, 2014-05-28

  • Clarification of oxidation mechanisms in Al_2O_3/Ge structure and impact of interface reactions on interface properties  [in Japanese]

    SHIBAYAMA Shigehisa , KATO Kimihiko , SAKASHITA Mitsuo , TAKEUCHI Wakana , 田岡 紀之 , NAKATSUKA Osamu , ZAIMA Shigeaki

    現在,Al_2O_3/Ge構造に対するプラズマ酸化で,極薄GeO_x界面層の形成により,低界面準位密度(D_<it>)が実現可能と報告されている.しかしながら,Al_2O_3/Ge構造に対する酸素処理による,界面反応,界面構造の変化,および界面特性との相関関係についての理解は不十分である.本研究では,Al_2O_3/Ge構造に対して熱酸化を行い,その界面反応機構および,界面構造と界面特 …

    Technical report of IEICE. SDM 113(87), 13-18, 2013-06-18

  • Formation of Ultra Thin GeO_2 Film by Tetraethoxy-Germanium  [in Japanese]

    YOSHIDA Teppei , KATO Kimihiko , SHIBAYAMA Shigehisa , SAKASHITA Mitsuo , TAOKA Noriyuki , TAKEUCHI Wakana , NAKATSUKA Osamu , ZAIMA Shigeaki

    高い駆動力を持つ立体GeチャネルMOSFETの実現には,良好な界面特性を持つhigh-kゲート絶縁膜/Ge構造の形成,および均一な厚さのゲート絶縁膜の形成が必要である.GeO_2は,high-kゲート絶縁膜/Ge構造の界面層として期待されていることから、ALDによる極薄GeO_2膜形成を試みた。ALDプロセスにおいて、TEOGの加水分解による化学量論的な極薄GeO_2膜の形成に成功した。また、Ge …

    Technical report of IEICE. SDM 113(87), 7-11, 2013-06-18

  • Control of Pr-Oxide Crystalline Phase by Regulating Oxidant Partial Pressure and Si Diffusion  [in Japanese]

    KATO Kimihiko , SAKASHITA Mitsuo , TAKEUCHI Wakana , TAOKA Noriyuki , NAKATSUKA Osamu , ZAIMA Shigeaki

    Higher-kゲート絶縁膜として着目される六方晶Pr酸化膜の実現に向け,Pr酸化膜形成時のH_2O分圧(P_<H2O>)やPr酸化膜中へのSi拡散が,希土類元素であるPrの価数やPr酸化膜の結晶構造に与える影響を明らかにした.P_<H2O>の減少は,Pr酸化膜中におけるPrO_2(Pr^<4+>)相に対するPr_2O_3(Pr^<3+>)相割合の増 …

    Technical report of IEICE. SDM 113(87), 1-6, 2013-06-18

  • Effect of Reducing Character of Gate Metals on Pr Valence State in Pr Oxide Film on Ge Substrate  [in Japanese]

    KATO Kimihiko , SAKASHITA Mitsuo , TAKEUCHI Wakana , TAOKA Noriyuki , NAKATSUKA Osamu , ZAIMA Shigeaki

    本研究では,金属/Pr酸化膜/Geゲートスタック構造の化学結合状態にゲート金属が与える影響について,酸素化学ポテンシャル(μ_O)に基づいて詳細に評価した.還元性を有する金属膜形成はPr酸化膜を還元し,酸化膜中におけるPr^<3+>割合が増大する.ゲート金属の還元性はPr酸化膜/Ge界面構造にも影響を与え,Oと結合するGe(Ge酸化物もしくはPrGe酸化物)密度の減少を引き起こす.これ …

    Technical report of IEICE. SDM 112(92), 37-42, 2012-06-14

    References (15)

  • Clarification of Interfacial Reaction Mechanism in O_2 Annealing or O radical Process for Al_2O_3/Ge Structure  [in Japanese]

    SHIBAYAMA Shigehisa , KATO Kimihiko , SAKASHITA Mitsuo , TAKEUCHI Wakana , 田岡 紀之 , NAKATSUKA Osamu , ZAIMA Shigeaki

    高駆動力Ge MOSFETの実現には,低界面準位密度(D_<it>)かつ低SiO_2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構造を形成することが極めて重要である.現在,Al_2O_3/Ge構造に対するプラズマ酸素処理によって,極薄界面層においても低D_<it>を実現できると報告されている.しかしながら,Al_2O_3/Ge構造に対する酸素処理で,どのような構造が形成され,D …

    Technical report of IEICE. SDM 112(92), 27-32, 2012-06-14

    References (14)

  • Control of Interfacial Reactions in Pr Oxide/Ge Structures Based on Valence State of Pr  [in Japanese]

    KATO Kimihiko , SAKASHITA Mitsuo , TAKEUCHI Wakana , NAKATSUKA Osamu , ZAIMA Shigeaki

    プラセオジム(Pr)酸化腹/GeおよびPr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造において化学結合状態および電気的特性を評価し,Prの価数が界面反応に与える影響を明らかにした.X線光電子分光(XPS)法によるPr_3d_<5/2>およびO1sスペクトルの評価より,PrはPr酸化膜中の深さに応じて異なる価数を有することが見出された.Pr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造においては,界面近傍に金属的なP …

    IEICE technical report 111(114), 57-62, 2011-06-27

    References (17)

  • Effect of O_2 Annealing for Al_2O_3/Ge Structure on Interfacial Properties  [in Japanese]

    SHIBAYAMA Shigehisa , KATO Kimihiko , SAKASHITA Mitsuo , TAKEUCHI Wakana , NAKATSUKA Osamu , ZAIMA Shigeaki

    次世代CMOSの実現に向けて,低い界面準位密度(<10^<11>cm^<-2>-ev^<-1>)と低SiO_2等価膜厚(1nm)とを同時に実現するHigh-kゲート絶縁膜/Ge構造が求められている.Al_2O_3は熱的に安定で,比較的高い比誘電率を有しており,界面層として有望な材料である.しかし,Al_2O_3/Ge構造において,低界面準位密度は実現できて …

    IEICE technical report 111(114), 51-56, 2011-06-27

    References (12)

  • The Crystalline Structures and Electrical Properties of PrAlO formed by Atomic Layer Deposition  [in Japanese]

    FURUTA Kazuya , TAKEUCHI Wakana , SAKASHITA Mitsuo , KONDO Hiroki , NAKATSUKA Osamu , ZAIMA Shigeaki

    本研究ではSi基板上にPr(EtCp)_3,トリメチルアルミニウム(TMA)およびH_2Oを用いた原子層堆積(ALD)法を用いてPrAlO(PAO)膜を形成し,その電気的特性を明らかにした.X線光電子分光(XPS)法から,膜中に界面反応を引き起こしたSiが表面付近に偏析していることが分かり,Al導入によってそれが減少していることが分かった.このことは,Al導入によって界面反応が抑制されていることを …

    IEICE technical report 110(90), 39-42, 2010-06-15

    References (6)

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