板谷 太郎 ITATANI Taro

ID:9000045821654

産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and technology (AIST) (2010年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-1 of 1

  • Relationships among Interface Composition, Bonding Structures and MIS Properties at High-k/III-V Interfaces  [in Japanese]

    YASUDA Tetsuji , MIYATA Noriyuki , URABE Yuji , ISHII Hiroyuki , ITATANI Taro , MAEDA Tatsuro , YAMADA Hisashi , FUKUHARA Noboru , HATA Masahiko , OHTAKE Akihiro , HOSHII Takuya , YOKOYAMA Masafumi , TAKENAKA Mitsuru , TAKAGI Shinichi

    ゲート長が10nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネルとしたnMISFETが関心を集めている.Inを含むIII-Vチャネル材料の上にALDによりAl_2O_3絶縁膜を形成した界面は,nMIS動作に必要なフェルミレベル変調を比較的容易に得ることができる.本報告では,界面準位の発生とそのエネルギーギャップ内の分布に影響を与える要因を整理し …

    IEICE technical report 110(90), 49-54, 2010-06-15

    References (23)

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