星井 拓也 HOSHII Takuya

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  • GaN FinFETs fabricated by using selective area growth  [in Japanese]

    筒井 一生 , 濱田 拓也 , 高山 研 , 金 相佑 , 星井 拓也 , 角嶋 邦之 , 若林 整 , 高橋 言緒 , 井手 利英 , 清水 三聡

    電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan 2021(24-33), 11-15, 2021-03-03

  • 3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage  [in Japanese]

    更屋 拓哉 , 伊藤 一夫 , 高倉 俊彦 , 福井 宗利 , 鈴木 慎一 , 竹内 潔 , 附田 正則 , 沼沢 陽一郎 , 佐藤 克己 , 末代 知子 , 齋藤 渉 , 角嶋 邦之 , 星井 拓也 , 古川 和由 , 渡辺 正裕 , 執行 直之 , 若林 整 , 筒井 一生 , 岩井 洋 , 小椋 厚志 , 西澤 伸一 , 大村 一郎 , 大橋 弘通 , 平本 俊郎

    電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan 2019(161-172), 61-65, 2019-11-29

  • 3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage  [in Japanese]

    更屋 拓哉 , 伊藤 一夫 , 高倉 俊彦 , 福井 宗利 , 鈴木 慎一 , 竹内 潔 , 附田 正則 , 沼沢 陽一郎 , 佐藤 克己 , 末代 知子 , 齋藤 渉 , 角嶋 邦之 , 星井 拓也 , 古川 和由 , 渡辺 正裕 , 執行 直之 , 若林 整 , 筒井 一生 , 岩井 洋 , 小椋 厚志 , 西澤 伸一 , 大村 一郎 , 大橋 弘通 , 平本 俊郎

    電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan 2019(75-86), 61-65, 2019-11-29

  • Three-dimensional accurate TCAD simulation of trench-gate Si-IGBTs  [in Japanese]

    渡辺 正裕 , 執行 直之 , 星井 拓也 , 古川 和由 , 角嶋 邦之 , 佐藤 克己 , 末代 知子 , 更屋 拓哉 , 高倉 俊彦 , 伊藤 一夫 , 福井 宗利 , 鈴木 慎一 , 竹内 潔 , 宗田 伊里也 , 若林 整 , 中島 昭 , 西澤 伸一 , 筒井 一生 , 平本 俊郎 , 大橋 弘通 , 岩井 洋

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(273), 45-48, 2019-11-07

  • 3300V Scaled IGBT Switched by 5V Gate Drive  [in Japanese]

    平本 俊郎 , 更屋 拓哉 , 伊藤 一夫 , 高倉 俊彦 , 福井 宗利 , 鈴木 慎一 , 竹内 潔 , 附田 正則 , 沼沢 陽一郎 , 佐藤 克己 , 末代 知子 , 齋藤 渉 , 角嶋 邦之 , 星井 拓也 , 古川 和由 , 渡辺 正裕 , 執行 直之 , 若林 整 , 筒井 一生 , 岩井 洋 , 小椋 厚志 , 西澤 伸一 , 大村 一郎 , 大橋 弘通

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(162), 31-34, 2019-08-07

  • 3300V Scaled IGBT Switched by 5V Gate Drive  [in Japanese]

    平本 俊郎 , 更屋 拓哉 , 伊藤 一夫 , 高倉 俊彦 , 福井 宗利 , 鈴木 慎一 , 竹内 潔 , 附田 正則 , 沼沢 陽一郎 , 佐藤 克己 , 末代 知子 , 齋藤 渉 , 角嶋 邦之 , 星井 拓也 , 古川 和由 , 渡辺 正裕 , 執行 直之 , 若林 整 , 筒井 一生 , 岩井 洋 , 小椋 厚志 , 西澤 伸一 , 大村 一郎 , 大橋 弘通

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(161), 31-34, 2019-08-07

  • 3300V Scaled IGBT Switched by 5V Gate Drive  [in Japanese]

    平本 俊郎 , 更屋 拓哉 , 伊藤 一夫 , 高倉 俊彦 , 福井 宗利 , 鈴木 慎一 , 竹内 潔 , 附田 正則 , 沼沢 陽一郎 , 佐藤 克己 , 末代 知子 , 齋藤 渉 , 角嶋 邦之 , 星井 拓也 , 古川 和由 , 渡辺 正裕 , 執行 直之 , 若林 整 , 筒井 一生 , 岩井 洋 , 小椋 厚志 , 西澤 伸一 , 大村 一郎 , 大橋 弘通

    映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 43(25), 31-34, 2019-08

  • Observation of three dimensional atomic arrangements of active and inactive impurities heavy doped in silicon by using photoelectron holography method  [in Japanese]

    筒井 一生 , 松下 智裕 , 名取 鼓太郞 , 小川 達博 , 室 隆桂之 , 森川 良忠 , 星井 拓也 , 角嶋 邦之 , 若林 整 , 林 好一 , 松井 文彦 , 木下 豊彦

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(96), 23-27, 2019-06-21

  • 招待講演 5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 (シリコン材料・デバイス)  [in Japanese]

    更屋 拓哉 , 伊藤 一夫 , 高倉 俊彦 , 福井 宗利 , 鈴木 慎一 , 竹内 潔 , 附田 正則 , 沼沢 陽一郎 , 佐藤 克己 , 末代 知子 , 齋藤 渉 , 角嶋 邦之 , 星井 拓也 , 古川 和由 , 渡辺 正裕 , 執行 直之 , 筒井 一生 , 岩井 洋 , 小椋 厚志 , 西澤 伸一 , 大村 一郎 , 大橋 弘通 , 平本 俊郎

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(429), 39-44, 2019-01-29

  • Experimental Verification of a 3D Scaling Principle for Low V[CEsat] IGBTs  [in Japanese]

    筒井 一生 , 角嶋 邦之 , 星井 拓也 , 中島 昭 , 西澤 伸一 , 若林 整 , 宗田 伊理也 , 佐藤 克己 , 末代 知子 , 齋藤 渉 , 更屋 拓哉 , 伊藤 一夫 , 福井 宗利 , 鈴木 慎一 , 小林 正治 , 高倉 俊彦 , 平本 俊郎 , 小椋 厚志 , 沼沢 陽一郎 , 大村 一郎 , 大橋 弘通 , 岩井 洋

    電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan 2017(173-185), 1-6, 2017-11-21

  • Experimental Verification of a 3D Scaling Principle for Low V[CEsat] IGBTs  [in Japanese]

    筒井 一生 , 角嶋 邦之 , 星井 拓也 , 中島 昭 , 西澤 伸一 , 若林 整 , 宗田 伊理也 , 佐藤 克己 , 末代 知子 , 齋藤 渉 , 更屋 拓哉 , 伊藤 一夫 , 福井 宗利 , 鈴木 慎一 , 小林 正治 , 高倉 俊彦 , 平本 俊郎 , 小椋 厚志 , 沼沢 陽一郎 , 大村 一郎 , 大橋 弘通 , 岩井 洋

    電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan 2017(74-86), 1-6, 2017-11-21

  • Capacitance Analyses of p-ch GaN MOS Structure on Polarization-Junction Substrate  [in Japanese]

    高山 留美 , 星井 拓也 , 中島 昭 , 西澤 伸一 , 大橋 弘通 , 角嶋 邦之 , 若林 整 , 筒井 一生

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(101), 31-34, 2017-06-20

  • Relationships among Interface Composition, Bonding Structures and MIS Properties at High-k/III-V Interfaces  [in Japanese]

    YASUDA Tetsuji , MIYATA Noriyuki , URABE Yuji , ISHII Hiroyuki , ITATANI Taro , MAEDA Tatsuro , YAMADA Hisashi , FUKUHARA Noboru , HATA Masahiko , OHTAKE Akihiro , HOSHII Takuya , YOKOYAMA Masafumi , TAKENAKA Mitsuru , TAKAGI Shinichi

    ゲート長が10nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネルとしたnMISFETが関心を集めている.Inを含むIII-Vチャネル材料の上にALDによりAl_2O_3絶縁膜を形成した界面は,nMIS動作に必要なフェルミレベル変調を比較的容易に得ることができる.本報告では,界面準位の発生とそのエネルギーギャップ内の分布に影響を与える要因を整理し …

    IEICE technical report 110(90), 49-54, 2010-06-15

    References (23)

  • Si上InGaAsの微小領域選択MOVPEにおける横方向成長促進と均一性向上  [in Japanese]

    出浦 桃子 , 星井 拓也 , 竹中 充 , 高木 信一 , 中野 義昭 , 杉山 正和

    化学工学会 研究発表講演要旨集 2009(0), 8-8, 2009

    J-STAGE 

  • 微小領域選択MOVPEにおけるSi上InGaAsの原子構造と光学特性解析  [in Japanese]

    出浦 桃子 , 近藤 佳幸 , 星井 拓也 , 竹中 充 , 高木 信一 , 中野 義昭 , 杉山 正和

    化学工学会 研究発表講演要旨集 2009f(0), 2-2, 2009

    J-STAGE 

  • 微小領域選択成長によるSi上III/V化合物半導体層の形成  [in Japanese]

    出浦 桃子 , 星井 拓也 , 杉山 正和 , 中根 了昌 , 菅原 聡 , 竹中 充 , 高木 信一 , 中野 義昭

    化学工学会 研究発表講演要旨集 2008(0), 208-208, 2008

    J-STAGE 

  • Fabrication of SiO_2/Ge MIS structures by plasma oxidation of ultrathin Si films grown on Ge

    KUMAGAI Hiroshi , SHICHIJO Masato , ISHIKAWA Hiroto , HOSHII Takuya , SUGAHARA Satoshi , UCHIDA Yasutaka , TAKAGI Shinichi

    Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2006, 398-399, 2006-09-13

    References (3)

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