金 容珍 KIM Yong Jin

ID:9000045821737

東京工業大学大学院・理工学研究科電子物理工学 Dept. of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology (2002年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-2 of 2

  • Trial to fabricate a CPP type Spin Transistor  [in Japanese]

    OTA Masazumi , KUBOTA Satoshi , KIM Yong Jin , NAKAGAWA Shigeki

    現在主流のCIP(Current In Plane)方式GMR膜ではMR比(磁気抵抗変化率)を20%以上に高めることが難しくなっているため、より高いMRが得られると期待されるCPP(Current Perpendicular to Plane)構造を用いたスピントランジスタの作製を試みた。スピントランジスタの素子加工を行うためにフォトリソグラフィによるパターン形成の導入を行った。GMRベースとn- …

    ITE technical report 102(500), 7-12, 2002-12-06

    References (8)

  • Trial to fabricate a CPP type Spin Transistor  [in Japanese]

    OTA Masazumi , KUBOTA Satoshi , KIM Yong Jin , NAKAGAWA Shigeki

    現在主流のCIP(Current In Plane)方式GMR膜ではMR比(磁気抵抗変化率)を20%以上に高めることが難しくなっているため、より高いMRが得られると期待されるCPP(Current Perpendicular to Plane)構造を用いたスピントランジスタの作製を試みた。スピントランジスタの素子加工を行うためにフォトリソグラフィによるパターン形成の導入を行った。GMRベースとn- …

    ITE Technical Report 26.80(0), 7-12, 2002

    J-STAGE  References (8)

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