来山 大祐 KITAYAMA Daisuke

ID:9000045821810

東京工業大学フロンティア研究機構 Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology (2010年 CiNii収録論文より)

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  • High Temperature Rapid Thermal Annealing of Rare-Earth Oxides Dielectrics for Highly Scaled Gate Stack of EOT=0.5nm  [in Japanese]

    KITAYAMA Daisuke , KOYANAGI Tomotsune , KAKUSHIMA Kuniyuki , AHMET Parhat , TSUTSUI Kazuo , NISHIYAMA Akira , SUGII Nobuyuki , NATORI Kenji , HATTORI Takeo , IWAI Hiroshi

    EOT=0.5nmを達成するにはSi基板との界面においてSiO_2界面層が形成されないhigh-k/Si直接接合構造の実現が必須である。High-k材料のうち希土類酸化物はSi基板と直接接合が容易に達成できるため次世代high-k材料として期待されている。本研究では絶縁膜としてLa_2O_3/CeO_x積層構造を用いることで達成したhigh-k/Si直接接合の電気特性の評価結果を報告する。具体的に …

    IEICE technical report 110(90), 43-48, 2010-06-15

    References (10)

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