下村 尚治 SHIMOMURA Naoharu

Articles:  1-20 of 20

  • Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM)  [in Japanese]

    アルタンサルガイ ブヤンダライ , 與田 博明 , 井口 智明 , 大沢 裕一 , 下村 尚治 , 白鳥 聡志 , 杉山 英行 , 加藤 侑志 , 上口 裕三 , 清水 真理子 , 鴻井 克彦 , 及川 壮一 , 石川 瑞恵 , アジヤイ テイワリ , 池上 一隆 , 斉藤 好昭 , 黒部 篤

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(118), 37-40, 2017-07-07

  • Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM)  [in Japanese]

    アルタンサルガイ ブヤンダライ , 與田 博明 , 井口 智明 , 大沢 裕一 , 下村 尚治 , 白鳥 聡志 , 杉山 英行 , 加藤 侑志 , 上口 裕三 , 清水 真理子 , 鴻井 克彦 , 及川 壮一 , 石川 瑞恵 , テイワリ アジヤイ , 池上 一隆 , 斉藤 好昭 , 黒部 篤

    映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 41(21), 37-40, 2017-07

  • Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) Having Potentials of Ultra-Low Energy-Consumption and High-Density  [in Japanese]

    與田 博明 , 下村 尚治 , 大沢 裕一 , 白鳥 聡志 , 加藤 侑志 , 井口 智明 , 上口 裕三 , アルタンサガイ ブヤンダライ , 斉藤 好昭 , 鴻井 克彦 , 杉山 英行 , 及川 壮一 , 清水 真理子 , 石川 瑞恵 , 池上 一隆 , 黒部 篤

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(9), 1-4, 2017-04-20

  • Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) Having Potentials of Ultra-Low Energy-Consumption and High-Density  [in Japanese]

    與田 博明 , 下村 尚治 , 大沢 裕一 , 白鳥 聡志 , 加藤 侑志 , 井口 智明 , 上口 裕三 , アルタンサガイ ブヤンダライ , 斉藤 好昭 , 鴻井 克彦 , 杉山 英行 , 及川 壮一 , 清水 真理子 , 石川 瑞恵 , 池上 一隆 , 黒部 篤

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(448), 25-28, 2017-01-30

  • Low power and high memory density STT-MRAM for embedded cache memory using advanced perpendicular MTJ integrations and asymmetric compensation techniques  [in Japanese]

    IKEGAMI Kazutaka , NOGUCHI Hiroki , KAMATA Chikayoshi , AMANO Minoru , ABE Keiko , KUSHIDA Keiichi , KITAGAWA Eiji , OCHIAI Takao , SHIMOMURA Naoharu , ITAI Shogo , SAIDA Daisuke , TANAKA Chika , KAWASUMI Atsushi , HARA Hiroyuki , ITO Junichi , FUJITA Shinobu

    近年のプロセッサにおける性能向上はキャッシュメモリの増大に頼っている。しかしながら、従来のキャッシュメモリでは、SRAMのリーク電力や大きなセルサイズが課題として知られている。キャッシュメモリの低電力化と省面積化を同時に実現する技術として、MTJの利用が期待されている。MTJを利用したキャッシュメモリでは、書き込み電力の低減とロジックCMOSとのインテグレーションが課題である。本稿では上記の課題を …

    Technical report of IEICE. SDM 114(421), 29-32, 2015-01-27

  • Invited Talk : Normally-Off Computing with Perpendicular STT-MRAM  [in Japanese]

    NOGUCHI Hiroki , IKEGAMI Kazutaka , SHIMOMURA Naoharu , TANAMOTO Tetsufumi , ITO Junichi , FUJITA Shinobu

    低電流での書き込みが可能な垂直磁化型記憶素子Advanced perpendicular magnetic tunnel junction(ap-MTJ)を用いたSpin-transfer torque magnetic RAM (STT-MRAM)で構成されたラストレベルキャッシュ(LLC)を提案する。提案するLLCは、高速読み出し動作を実現するため、デュアルセルでの差動読み出しを行う。さらに、 …

    Technical report of IEICE. ICD 114(345), 107-112, 2014-12-01

  • Invited Talk : Normally-Off Computing with Perpendicular STT-MRAM  [in Japanese]

    NOGUCHI Hiroki , IKEGAMI Kazutaka , SHIMOMURA Naoharu , TANAMOTO Tetsufumi , ITO Junichi , FUJITA Shinobu

    低電流での書き込みが可能な垂直磁化型記憶素子Advanced perpendicular magnetic tunnel junction(ap-MTJ)を用いたSpin-transfer torque magnetic RAM (STT-MRAM)で構成されたラストレベルキャッシュ(LLC)を提案する。提案するLLCは、高速読み出し動作を実現するため、デュアルセルでの差動読み出しを行う。さらに、 …

    IEICE technical report. Computer systems 114(346), 107-112, 2014-12-01

  • 携帯端末のキャッシュメモリ用途を目指した垂直磁化MTJの開発 (磁気記録・情報ストレージ)  [in Japanese]

    才田 大輔 , 下村 尚治 , 北川 英二 [他]

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(234), 27-31, 2014-10-02

  • 携帯端末のキャッシュメモリ用途を目指した垂直磁化MTJの開発 (マルチメディアストレージ)  [in Japanese]

    才田 大輔 , 下村 尚治 , 北川 英二 [他]

    映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 38(38), 27-31, 2014-10

  • 携帯端末のキャッシュメモリ用途を目指した垂直磁化MTJの開発(ヘッド,スピントロニクス,一般)  [in Japanese]

    才田 大輔 , 下村 尚治 , 北川 英二 , 鎌田 親義 , 矢ヶ部 恵 , 大沢 裕一 , 藤田 忍 , 伊藤 順一

    IEICE technical report. Magnetic recording 114(234), 27-31, 2014-09-25

  • Future Prospects of MRAM Technologies  [in Japanese]

    YUASA Shinji , FUKUSHIMA Akio , YAKUSHIJI Kay , NOZAKI Takayuki , KONOTO Makoto , MAEHARA Hiroki , KUBOTA Hitoshi , TANIGUCHI Tomohiro , ARAI Hiroko , IMAMURA Hiroshi , ANDO Koji , SHIOTA Yoichi , BONELL Frederic , SUZUKI Yoshishige , SHIMOMURA Naoharu , KITAGAWA Eiji , ITO Junichi , FUJITA Shinobu , ABE Keiko , NOMURA Kumiko , NOGUCHI Hiroki , YODA Hiroaki

    本稿では、磁気トンネル接合(MTF)素子のトンネル磁気抵抗効果(TMR効果)、スピントルク(STT)などのスピン操作技術、およびそれらを用いた不揮発性メモリMRAMなどのデバイス応用について、歴史と将来展望を述べる。特に、垂直磁化MTJ素子を用いた高集積不揮発F生メモリSTT-MRAMや新規デバイス応用について議論する。

    Technical report of IEICE. SDM 113(420), 23-28, 2014-01-29

  • Variable Nonvolatile Memory Arrays for Adaptive Computing Systems  [in Japanese]

    NOGUCHI Hiroki , TAKEDA Susumu , Nomura Kumiko , ABE Keiko , IKEGAMI Kazutaka , KITAGAWA Eiji , SHIMOMURA Naoharu , ITO Junichi , FUJITA Shinobu

    高速・低消費電力型の垂直磁化方式STT-MRAMを用いた、容量と速度がアプリケーションに応じて、可変となる新しい混載メモリ回路技術について紹介する。

    Technical report of IEICE. SDM 113(420), 29, 2014-01-22

  • Progress of STT MTJ writing Technology and the Effect on Normally-off Computing Systems  [in Japanese]

    Ito J , yoda H , Fujita S , Shimomura N , Kitagawa E , Abe K , Nomura K , Noguchi H

    スピン注入書き込みMRAMをキャッシュメモリに用いたプロセッサは、通常状態が常に電源オフである"ノーマリーオフコンピューティング"を可能とする近未来の新しいプロセッサである。ノーマリオフコンピューティングにより、プロセッサの低消費電力化を実現するためには、MTJへの書き込みの高速、低電流化が課題である。東芝は垂直磁化のMTJを用いることにより、ノーマリオフコンピューティングが実現可能な、高速、低電 …

    IEICE technical report. Magnetic recording 113(127), 37-41, 2013-07-12

  • Novel Vertical Magnetization STT-MRAM Technologies for Reducing Power of High Performance Mobile Processors  [in Japanese]

    FUJITA Shinobu , ABE Keiko , NOGUCHI Hiroki , 野村 久美子 , KITAGAWA Eiji , SHIMOMURA Naoharu , ITO Junichi , YODA Hiroaki

    プロセッサは低消費電力で高性能化を要求されているが、ここで問題となっているSRAMキャッシュメモリによるリーク電力増大を解決するため、通常状態が常に電源オフである"ノーマリーオフコンピューティング"を目指して、MRAMキャッシュメモリの開発を進めている。プロセッサの低消費電力化を実現するためには、MRAMのメモリ素子であるMTJの書き込み速度の高速化と低電流化を同時に達成することが課題である。東芝 …

    Technical report of IEICE. ICD 113(1), 39-40, 2013-04-04

  • Progress of STT-MRAM Technology and the Effect on Normally-off Computing Systems  [in Japanese]

    Ybda H. , Fujita S. , Shimomura N. , Kitagawa E. , Abe K. , Nomura K. , Noguchi K. , Ito J.

    スピン注入書き込みMRAMをキャッシュメモリに用いたプロセッサは、通常状態が常に電源オフである"ノーマリーオフコンピューティング"を可能とする近未来の新しいプロセッサである。ノーマリオフコンピューティングにより、プロセッサの低消費電力化を実現するためには、MTJへの書き込みの高速、低電流化が課題である。東芝は垂直磁化のMTJを用いることにより、ノーマリオフコンピューティングが実現可能な、高速、低電 …

    Technical report of IEICE. SDM 112(421), 41-42, 2013-01-23

  • Novel Hybrid DRAM/MRAMDesign for Reducing Power of High Performance Mobile CPU  [in Japanese]

    ABE Keiko , NOGUCHI Hiroki , KITAGAWA Eiji , SHIMOMURA Naoharu , ITO Junichi , FUJITA Shinobu

    モバイル用CPUで問題となっているSRAMキャッシュメモリによるリーク電力増大を解決するため、メモリセルにリークパスの無い(ノーマリオフ型メモリセル)、DRAM/MRAMハイブリッドメモリ(D-MRAM)を新たに提案する。D-MRAMはアクセスの状況に応じて消費電力と動作性能のバランスが最適になるようDRAMモード/MRAMモードが選択される仕組みとなっている。

    Technical report of IEICE. SDM 112(421), 39, 2013-01-23

  • Physical Random Number Generation Technology Supporting Security Network [IV] : Physical Random Number Generator Using Advanced Semiconductor Devices  [in Japanese]

    TANAMOTO Tetsufumi , SHIMOMURA Naoharu , MATSUMOTO Mari , OOBA Ryuji , YASUDA Shinichi , IKEGAWA Sumio , FUJITA Shinobu , YODA Hiroaki

    The Journal of the Institute of Electronics, Information, and Communication Engineers 95(2), 137-141, 2012-02-01

    References (9)

  • Fast magnetization reversal by using spin injection in longitudinal and perpendicular magnetic nano-pillars  [in Japanese]

    TOMITA Hiroyuki , NOZAKI Takayuki , SUZUKI Yoshishige , FUKUSHIMA Akio , KUBOTA Hitoshi , YAKUSHIJI Kay , YUASA Shinji , NAGAMINE Toshihiko , KITAGAWA Eiji , KITAGAWA Masahiko , DAIBOU Tadaomi , NAGAMINE Makoto , IKEGAWA Sumio , SHIMOMURA Naoharu , YODA Hiroaki

    Bulletin of Topical Symposium of the Magnetics Society of Japan 175, 25-30, 2010-12-17

    References (4)

  • A 64Mbit MRAM with Clamped-Reference and Adequate-Reference Schemes  [in Japanese]

    TSUCHIDA K. , INABA T. , FUJITA K. , UEDA Y. , 清水 孝文 , ASAO Y. , KAJIYAMA T. , IWAYMA M. , IKEGAWA S. , KISHI T. , KAI T. , AMANO M. , SHIMOMURA N. , YODA H. , WATANABE Y.

    本稿ではMRAM開発の最初動向と、64Mbitスピン注入型MRAMに搭載した回路技術について述べる.開発した64Mbit MRAMは、垂直記憶型TMR素子を採用し0.3584μm^2のセルサイズを実現している。また、スピン注入型MRAMで顕在化する読み出し時のディスターブ問題に対し、特に参照セルでの発生を回避可能にする事を目的としたクランプ参照方式を搭載した。さらに、メモリセル特性のバラツキにより …

    IEICE technical report 110(9), 35-40, 2010-04-15

    References (4) Cited by (2)

  • Experimental proof of spin transfer switching in MRAM cell using TbCoFe/CoFeB layers with perpendicular magnetic anisotropy  [in Japanese]

    NAKAYAMA Masahiko , KAI Tadashi , SHIMOMURA Naoharu , AMANO Minoru , KITAGAWA Eiji , NAGASE Toshihiko , YOSHIKAWA Masatoshi , KISHI Tatsuya , IKEGAWA Sumio , YODA Hiroaki

    ギガビット級大容量MRAMを実現には、小さな情報書き込み電流と十分な情報不揮発性を両立させることが必要である。垂直磁化方式を用いたスピン注入型MRAMは、従来の面内磁化方式と比べて、微細化しても十分な不揮発性を確保し、かつ書き込み電流を小さくすることが可能な技術である。しかしながら、これまでに垂直磁化膜を用いた磁気トンネル素子で、スピン注入反転を実証した報告例は存在していなかった。我々は、大きな垂 …

    IEICE technical report 108(6), 75-78, 2008-04-10

    References (6)

Page Top