竹内 麻美 TAKEUCHI M.

ID:9000046247319

NEC エレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部 Advanced Device Development Division, NEC Electronics Corporation (2008年 CiNii収録論文より)

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  • Embedded DRAM Technology for Consumer Electronics  [in Japanese]

    SHIRAI H. , ISHIKAWA R. , ITOH Y. , KITAMURA T. , TAKEUCHI M. , SAKOH T. , INOUE K. , KAWASAKI T. , KATSUKI N. , HOSHIZAKI H. , KUWABARA S. , NATSUME H. , SAKAO M. , TANIGAWA T.

    コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAMデバイス技術について報告する。我々は150nm世代より低消費電力かつ高速アクセス性能を持つ混載DRAMを実現するために「Full Metal DRAM」技術と呼ぶセル技術を導入した。本技術の特徴はセルの寄生抵抗を低減できることと、標準CMOSロジック性能との完全互換生が得られることである。90nm世代からは、High-k容量絶縁膜(ZrO2)技術を導入し …

    IEICE technical report 108(6), 19-24, 2008-04-10

    References (4)

  • Logic based Embedded DRAM technologies targeting Low Voltage and High Speed Operation  [in Japanese]

    ARAI S. , SAKOH T. , KITAMURA T. , SHIRAI H. , AOKI Y. , SAKAO M. , INOUE K. , TAKEUCHI M. , NARITAKE I. , KAWAMOTO H. , IIZUKA T. , YAMAMOTO T. , KISHI S.

    半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 62, 45-50, 2002-06-06

    References (3) Cited by (2)

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