桑原 愼一 KUWABARA S.

ID:9000046247325

ルネサスエレクトロニクス生産本部 Production and Technology Unit, Renesas Electronics Corporation (2012年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-2 of 2

  • Basic Performance of a Logic-IP Compatible eDRAM with Cylinder Capacitors in Low-k/Cu BEOL Layers  [in Japanese]

    KUME Ippei , INOUE Naoya , HIJIOKA Ken'ichiro , KAWAHARA Jun , TAKEDA Kouichi , FURUTAKE Naoya , SHIRAI Hiroki , KAZAMA Kenya , KUWABARA Shin'ichi , WATARAI Msasatoshi , SAKOH Takashi , TAKAHASHI Takafumi , OGURA Takashi , TAIJI Toshiji , KASAMA Yoshiko , SAKAMOTO Misato , HANE Masami , HAYASHI Yoshihiro

    従来のeDRAMでは、MIとトランジスタの間にシリンダ容量を配置するために、極めて高いコンタクトを設ける必要がある。LSIの微細化に伴い、その高コンタクトに起因する寄生抵抗や寄生容量が大きくなり、ゲート遅延が増加しpure logicとのIP互換性の確保が困難になりつつある。そこで、シリンダ容量をM1〜M2層間に挿入し、コンタクト(CT)高さを低減するLogic-IP compatible(LIC …

    Technical report of IEICE. SDM 111(463), 7-11, 2012-02-27

    References (5)

  • Embedded DRAM Technology for Consumer Electronics  [in Japanese]

    SHIRAI H. , ISHIKAWA R. , ITOH Y. , KITAMURA T. , TAKEUCHI M. , SAKOH T. , INOUE K. , KAWASAKI T. , KATSUKI N. , HOSHIZAKI H. , KUWABARA S. , NATSUME H. , SAKAO M. , TANIGAWA T.

    コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAMデバイス技術について報告する。我々は150nm世代より低消費電力かつ高速アクセス性能を持つ混載DRAMを実現するために「Full Metal DRAM」技術と呼ぶセル技術を導入した。本技術の特徴はセルの寄生抵抗を低減できることと、標準CMOSロジック性能との完全互換生が得られることである。90nm世代からは、High-k容量絶縁膜(ZrO2)技術を導入し …

    IEICE technical report 108(6), 19-24, 2008-04-10

    References (4)

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