奥川 雄紀 TAKEUCHI Yoshiaki

ID:9000046253800

株式会社東芝セミコンダクター社 Toshiba (2008年 CiNii収録論文より)

Search authors sharing the same name

Articles:  1-1 of 1

  • A 120mm2 16Gb 4-MLC NAND Flash Memory with 43nm CMOS Technology  [in Japanese]

    NAKAMURA Dai , KANDA Kazushige , KOYANAGI Masaru , YAMAMURA Toshio , HOSONO Koji , YOSHIHARA Masahiro , MIWA Toru , KATO Yosuke , MAK Alex , CHAN Siu Lung , TSAI Frank , CERNEA Raul , LE Binh , MAKINO Eiichi , TAIRA Takashi , OTAKE Hiroyuki , KAJIMURA Norifumi , FUJIMURA Susumu , TAKEUCHI Yoshiaki , ITOH Mikihiko , SHIRAKAWA Masanobu , SUZUKI Yuya , NAKAMURA Dai , TAKEUCHI Yoshiaki , KOJIMA Masatsugu , YONEYA Kazuhide , ARIZONO Takamichi , HISADA Toshiki , MIYAMOTO Shinji , NOGUCHI Mitsuhiro , YAEGASHI Toshitake , HIGASHITANI Masaaki , ITO Fumitoshi , KAMEI Teruhiko , HEMINK Gertjan , MARUYAMA Tooru , INO Kazumi , OHSHIMA Shigeo

    43nm CMOSテクノロジを用いた16ギガビット4値NANDフラッシュメモリを開発した.66NANDと新規コントロールゲートドライバー回路を用いた構成とし、アレー上にパワーバス配線を配することでチップサイズ120mm^2を実現し、micro SDカードへ実装可能とした.デュアルステージドライバーを用いることで1.8V VCCQで25nsのサイクルタイムを実現した.

    IEICE technical report 108(6), 25-30, 2008-04-10

    References (4) Cited by (10)

Page Top