入野 仁 IRINO Hitoshi

ID:9000046272043

日本電気(株) デバイス評価技術研究所 Device Analysis Technology Laboratories, NEC Corporation (1999年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-2 of 2

  • A New Behavioral Model of LSI at Power Supply Terminal for EMI Simulation  [in Japanese]

    IRINO Hitoshi , WABUKA Hiroshi , TOHYA Hirokazu

    プリント基板電源層を流れる電流はLSI内部の全回路を流れる高周波電流をすべて含むためEMIの主要因となりうる。そのため適切なLSI電源系のモデルを用いてプリント基板の設計段階で高周波電流を見積もることが必要である。本稿では、抵抗値が時間によって変化する素子でLSI電源系をモデル化し、プリント基板電源配線を流れる電流の波形およびスペクトラムをシミュレーションした。また、シミュレーションにより求めた電 …

    IEICE technical report. Electromagnetic compatibility 98(661), 15-20, 1999-03-16

    References (10)

  • A New Behavioral Model of LSI at Power Supply Terminal for EMI Simulation  [in Japanese]

    IRINO Hitoshi , WABUKA Hiroshi , TOHYA Hirokazu

    プリント基板電源層を流れる電流はLSI内部の全回路を流れる高周波電流をすべて含むためEMIの主要因となりうる。そのため適切なLSI電源系のモデルを用いてプリント基板の設計段階で高周波電流を見積もることが必要である。本稿では、抵抗値が時間によって変化する素子でLSI電源系をモデル化し、プリント基板電源配線を流れる電流の波形およびスペクトラムをシミュレーションした。また、シミュレーションにより求めた電 …

    ITE Technical Report 23.24(0), 15-20, 1999

    J-STAGE  References (10) Cited by (2)

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