ツィーシャング ウテ ZSCHIESCHANG Ute

ID:9000046317851

マックス・プランク研究所 Max Planck Institute (2012年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-14 of 14

  • An Insole Pedometer With Piezoelectric Energy Harvester and 2V Organic Circuits  [in Japanese]

    ISHIDA Koichi , HUANG Tsung-Ching , HONDA Kentaro , SHINOZUKA Yasuhiro , FUKETA Hiroshi , YOKOTA Tomoyuki , ZSCHIESCHANG Ute , KLAUK Hagen , GREGORY Tortissier , SEKITANI Tsuyoshi , TAKAMIYA Makoto , TOSHIYOSHI Hiroshi , SOMEYA Takao , SAKURAI Takayasu

    フレキシブルなエネルギーハーベスティング回路を実現できれば、太陽電池やピエゾ圧電フィルムを用いることで、フレキシブルな大面積エレクトロニクスへの給電が可能となる。従来のエネルギーハーベスティング回路に用いられているシリコン集積回路は可塑性という点で靴のようにフレキシブルで凹凸のある面になじまず、コストの面で大面積エレクトロニクスへの分散配置には適さない。そのため、本研究では有機トランジスタを用いた …

    Technical report of IEICE. ICD 112(170), 99-104, 2012-07-26

    References (5)

  • An Insole Pedometer With Piezoelectric Energy Harvester and 2V Organic Circuits  [in Japanese]

    ISHIDA Koichi , HUANG Tsung-Ching , HONDA Kentaro , SHINOZUKA Yasuhiro , FUKETA Hiroshi , YOKOTA Tomoyuki , ZSCHIESCHANG Ute , KLAUK Hagen , GREGORY Tortissier , SEKITANI Tsuyoshi , TAKAMIYA Makoto , TOSHIYOSHI Hiroshi , SOMEYA Takao , SAKURAI Takayasu

    フレキシブルなエネルギーハーベスティング回路を実現できれば、太陽電池やピエゾ圧電フィルムを用いることで、フレキシブルな大面積エレクトロニクスへの給電が可能となる。従来のエネルギーハーベスティング回路に用いられているシリコン集積回路は可塑性という点で靴のようにフレキシブルで凹凸のある面になじまず、コストの面で大面積エレクトロニクスへの分散配置には適さない。そのため、本研究では有機トランジスタを用いた …

    Technical report of IEICE. SDM 112(169), 99-104, 2012-07-26

    References (5)

  • Low Operation Voltage Organic Transistors on Shape-Memory Film with Planarization  [in Japanese]

    Kato Yu , Sekitani Tsuyoshi , Yokota Tomoyuki , Kuribara Kazunori , Zschieschang Ute , Klauk Hagen , Yamamoto Tatsuya , Takimiya Kazuo , Ikeda Masaaki , Kuwabara Hirokazu , Someya Takao

    我々は,熱で形状を記憶するフィルム上に低電圧駆動有機トランジスタを作製した.用いた形状記憶フィルムは150℃以上に加熱することで加熱時の形状を記憶し,伸縮性回路等に応用することができる.形状記憶フィルムはRMS値190nmと表面が粗いことが課題であったが,ポリイミドを用いて平滑化を行うことにより,移動度0.51cm^2/Vsのp型有機トランジスタ,ゲイン92の有機CMOSインバータを得ることができ …

    Technical report of IEICE. OME 111(369), 23-28, 2011-12-21

  • Low Operation Voltage Organic Transistors on Shape-Memory Film with Planarization  [in Japanese]

    KATO Yu , SEKITANI Tsuyoshi , YOKOTA Tomoyuki , KURIBARA Kazunori , ZSCHIESCHANG Ute , KLAUK Hagen , YAMAMOTO Tatsuya , TAKIMIYA Kazuo , IKEDA Masaaki , KUWABARA Hirokazu , SOMEYA Takao

    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 111(369), 23-28, 2011-12-14

    References (22)

  • User Customizable Logic Paper with 2V Organic CMOS and Ink-Jet Printed Interconnects  [in Japanese]

    ISHIDA Koichi , MASUNAGA Naoki , TAKAHASHI Ryo , SEKITANI Tsuyoshi , SHINO Shigeki , ZSCHIESCHANG Ute , KLAUK Hagen , TAKAMIYA Makoto , SOMEYA Takao , SAKURAI Takayasu

    センサアレイなどの大面積エレクトロニクスのプロトタイピングに適したデバイスとしてUser Customizable Logic Paper(UCLP)を提案する。本デバイスは2V有機CMOSを用いたSea-of Transmission-Gates(SOTG)と呼ぶ論理セルアレイと家庭用インクジェットプリンタを使用した印刷配線技術とで構成され、ユーザの手により有機CMOS集積回路のカスタマイズをす …

    IEICE technical report 110(140), 115-119, 2010-07-15

    References (6)

  • Low operational organic integrated circuits using self-assembled monolayers  [in Japanese]

    FUKUDA Kenjiro , KURIBARA Kazunori , SEKITANI Tsuyoshi , ZSCHIESCHANG Ute , KLAUK Hagen , SOMEYA Takao

    我々は自己組織化単分子膜(SAM)を絶縁膜に用いた低電圧駆動有機トランジスタの集積化応用に向けた取り組みを行っている。今回、SAMに用いるホスホン酸のアルキル鎖長を変更させ、最適化を行った。アルキル鎖長が14のSAM膜を用いたペンタセントランジスタにおいて、移動度は最大で0.7cm^2/Vs、オンオフ比は10^5以上であった。表面観察の結果、C14-SAMが最も平坦な膜形成をしており、その上に堆積 …

    IEICE technical report 110(123), 11-14, 2010-07-05

    References (10)

  • Low operational organic integrated circuits using self-assembled monolayers  [in Japanese]

    FUKUDA Kenjiro , KURIBARA Kazunori , SEKITANI Tsuyoshi , ZSCHIESCHANG Ute , KLAUK Hagen , SOMEYA Takao

    我々は自己組織化単分子膜(SAM)を絶縁膜に用いた低電圧駆動有機トランジスタの集積化応用に向けた取り組みを行っている。今回、SAMに用いるホスホン酸のアルキル鎖長を変更させ、最適化を行った。アルキル鎖長が14のSAM膜を用いたペンタセントランジスタにおいて、移動度は最大で0.7cm^2/Vs、オンオフ比は10^5以上であった。表面観察の結果、C14-SAMが最も平坦な膜形成をしており、その上に堆積 …

    IEICE technical report 110(124), 11-14, 2010-07-05

    References (10)

  • Thermal stability of organic trasistors with self-assembled monolayer dielectrics  [in Japanese]

    KURIBARA Kazunori , FUKUDA Kenjiro , YOKOTA Tomoyuki , SEKITANI Tsuyoshi , SOMEYA Takao , ZSCHIESCHANG Ute , KLAUK Hagen

    我々は自己組織化単分子膜(SAM膜)をゲート絶縁体に用いたトランジスタの熱安定性を調べた。通常のトランジスタではおよそ100℃程度の加熱で移動度が室温時の0.55cm^2/Vsから0.25cm^2/Vsに減少しon/off比の低下などの劣化が見られた、一方でトランジスタ構造の上から高分子膜による封止を行った場合、140℃の加熱でもトランジスタは0.81cm^2/Vsという高い移動度を保持し、劣化は …

    IEICE technical report 109(359), 33-36, 2010-01-05

    References (28)

  • Temperature dependence and air-stability of DNTT transistors using self-assembled-monolayer insulator  [in Japanese]

    UCHIYAMA Naoya , SEKITANI Tsuyoshi , YAMAMOTO Tatsuya , TAKIMIYA Kazuo , SOMEYA Takao , ZSCHIESCHANG Ute , KLAUK Hagen

    DNTT(dinaphtho[2,3-b:2',3'-f]thieno[3,2-b]thiophene)を自己組織化単分子膜上に蒸着し、3V以下で駆動可能な有機薄膜トランジスタを作製した。大気中で測定したところ3V駆動において移動度1.8cm^2/Vs、on/off比10^5、リーク電流は1nA以下であった。これらを180日間大気中に放置しても電界効果移動度は低下しなかった。また、窒素雰囲気中で測 …

    IEICE technical report 109(359), 27-31, 2010-01-05

    References (18)

  • Fabrication and threshold voltage control of organic nonvolatile memory transistors  [in Japanese]

    NAKAGAWA Takashi , YOKOTA Tomoyuki , SEKITANI Tsuyoshi , TAKEUCHI Ken , SOMEYA Takao , ZSCHIESCHANG Ute , KLAUK Hagen

    自己組織化単分子膜(SAM)を絶縁層に用いることで,低電圧駆動フローティング(浮遊)ゲート型有機メモリトランジスタを作製した.書き込み,消去に必要な電圧は,-6V,3Vであり,これはシリコンで作製されるフローティングゲートトランジスタと比べても低い.浮遊ゲート層にキャリアを蓄積することで不揮発性メモリ機能を示し,保持時間は10^4s程度であった.また,保持時間の改善を目指し,閾値制御技術に取り組ん …

    IEICE technical report 109(359), 7-11, 2010-01-05

    References (12)

  • User Customizable Logic Paper with 2V Organic CMOS and Ink-Jet Printed Interconnects  [in Japanese]

    ISHIDA Koichi , SAKURAI Takayasu , MASUNAGA Naoki , TAKAHASHI Ryo , SEKITANI Tsuyoshi , SHINO Shigeki , ZSCHIESCHANG Ute , KLAUK Hagen , TAKAMIYA Makoto , SOMEYA Takao

    センサアレイなどの大面積エレクトロニクスのプロトタイピングに適したデバイスとしてUser Customizable Logic Paper(UCLP)を提案する。本デバイスは2V有機CMOSを用いたSea-of Transmission-Gates(SOTG)と呼ぶ論理セルアレイと家庭用インクジェットプリンタを使用した印刷配線技術とで構成され、ユーザの手により有機CMOS集積回路のカスタマイズをす …

    ITE Technical Report 34.29(0), 115-119, 2010

    J-STAGE  References (6)

  • Low operational organic integrated circuits using self-assembled monolayers  [in Japanese]

    Fukuda Kenjiro , Kuribara Kazunori , Sekitani Tsuyoshi , Zschieschang Ute , Klauk Hagen , Someya Takao

    我々は自己組織化単分子膜(SAM)を絶縁膜に用いた低電圧駆動有機トランジスタの集積化応用に向けた取り組みを行っている。今回。SAMに用いるホスホン酸のアルキル鎖長を変更させ、最適化を行った。アルキル鎖長が14のSAM膜を用いたペンタセントランジスタにおいて、移動度は最大で0.7cm^2/Vs、オンオフ比は10^5以上であった。表面観察の結果、C14-SAMが最も平坦な膜形成をしており、その上に堆積 …

    ITE Technical Report 34.27(0), 11-14, 2010

    J-STAGE  References (10)

  • Feasibility Study on EMI Measurement "furoshiki" using 2V Organic CMOS and Silicon CMOS  [in Japanese]

    ISHIDA Koichi , MASUNAGA Naoki , ZHOU Zhiwei , YASUFUKU Tadashi , SEKITANI Tsuyoshi , ZSCHIESCHANG Ute , KLAUK Hagen , TAKAMIYA Makoto , SOMEYA Takao , SAKURAI Takayasu

    電子機器が高性能化され、高密度に部品が実装されるのに伴い、EMIの発生源を特定するのが難しくなってきている。この問題を解決するために、電子機器を包むようにしてその表面の磁界及び電界の分布を測定するツール「EMI測定用風呂敷」の原理検証を行ったので報告する。

    IEICE technical report 109(214), 1-6, 2009-09-24

    References (10)

  • Feasibility Study on EMI Measurement "furoshiki" using 2V Organic CMOS and Silicon CMOS  [in Japanese]

    ISHIDA Koichi , SAKURAI Takayasu , MASUNAGA Naoki , ZHOU Zhiwei , YASUFUKU Tadashi , SEKITANI Tsuyoshi , ZSCHIESCHANG Ute , KLAUK Hagen , TAKAMIYA Makoto , SOMEYA Takao

    電子機器が高性能化され、高密度に部品が実装されるのに伴い、EMIの発生源を特定するのが難しくなってきている。この問題を解決するために、電子機器を包むようにしてその表面の磁界及び電界の分布を測定するツール「EMI測定用風呂敷」の原理検証を行ったので報告する。

    ITE Technical Report 33.39(0), 1-6, 2009

    J-STAGE  References (10)

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