ハニフ モハマド HANIF Mohd

ID:9000046318505

長岡技術科学大学工学部 Faculty of Engineering Nagaoka University of Technology (2009年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-2 of 2

  • Lowering of the AZO film's resisitivity by hydrogen radical annealing  [in Japanese]

    OSHIMA Yutaka , TAHARA Masami , HANIF Mohd , KATAGIRI Hironori , JINBO Kazuo , KUROKI Yuichiro , TAKATA Masasuke , YASUI Kanji

    第三電極を有するrfマグネトロンスパッタ法を用いて堆積したAlドープZnO(AZO)膜を水素プラズマアニール処理することで、抵抗率の低減と基板面内分布の改善効果が見られることを見出してきた。加熱金属触媒体の表面反応を用いると水素ガスが高効率に分解し、放電を用いた場合に比べ1桁以上高密度の水素ラジカルが生成出来る。そこで今回、AZO膜の更なる低抵抗化を目指して、加熱したタングステンメッシュ表面で生成 …

    IEICE technical report 109(256), 37-41, 2009-10-22

    References (17)

  • C-6-7 Annealing effect of hydrogen radicals generated by heated W-mesh on the properties of ZnO:Al films  [in Japanese]

    Ohshima Yutaka , Hanif Mohd , Katagiri Hironori , Jinbo Kazuo , Kuroki Yuichirou , Takata Masasuke , Akahane Tadashi , Yasui Kanji

    Proceedings of the Society Conference of IEICE 2009年_エレクトロニクス(2), 18, 2009-09-01

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