椿 大輔 TSUBAKI Daisuke

ID:9000046318699

名城大学理工学部 Faculty of science & engineering, Meijo University (2010年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-2 of 2

  • Development of high brightness, high-emittance electron gun  [in Japanese]

    TSUBAKI Daisuke , MURATA Hidekazu , ROKUTA Eiji , SHIMOYAMA Hiroshi

    これまで、我々は、次世代の電子線露光装置用の電子銃の設計および開発を行ってきている。電子線露光装置では、高い電流密度の電子ビームが、試料の微小な領域を照射するために必要となる。その電子銃の性能は、輝度およびエミッタンスに拠る。電子ビームに収差が含まれていると、見かけ上のエミッタンスは増えるが、輝度は低下する。そのため、エミッタンスは、電子ビームのクロスオーバでの、収差の影響を無視できる領域の半径と …

    IEICE technical report 110(249), 27-32, 2010-10-18

  • In-situ, real time observation of operating condition of multi emitters  [in Japanese]

    SAKAI Kentaro , TSUBAKI Daisuke , MURATA Hidekazu , SHIMOYAMA Hiroshi , SAKEMURA Kazuto , NEGISHI Nobuyasu , WATANABE Atsushi

    これまで我々は、マルチエミッタの動作状態や性能を評価するためのマルチエミッタ評価装置を開発してきた。本装置はLEEM/FEEM像およびPEEM/FEEM像の同時観察が可能であり、エミッタの電子放出状態と表面形状のその場・real time観察が行える。しかしながら、素子からの放出電流が増加すると、電子放出状態を示すFEEM像の像強度がLEEM像またはPEEM像の像強度より桁違いに大きくなるため、同 …

    IEICE technical report 109(230), 11-16, 2009-10-08

    References (6)

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