吉田 知也 YOSHIDA Tomoya

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  • FEA fabrication technique based on ion-induced bending (IIB) phenomenon  [in Japanese]

    YOSHIDA Tomoya , NAGAO Masayoshi , SHIMIZU Takashi , KANEMARU Seigo

    イオン照射誘起薄膜変形(IIB)技術を利用したフィールドエミッタアレイ(FEA)作製プロセスを開発した.IIBとは,薄膜で形成した片持ち梁にイオン照射を施すことで片持ち梁が曲がる現象であり,イオンの照射エネルギーと照射量(ドーズ)で曲げ角度を自在に制御可能,かつ様々な材料に適応可能な曲げ加工技術である.IIB技術をFEA作製に利用するメリットは,数10nmの薄膜を使って高さ数ミクロンの直立薄膜(V …

    IEICE technical report 109(230), 1-6, 2009-10-08

    References (10)

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