末光 眞希 Suemitsu M.

ID:9000239569328

東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University (2016年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-20 of 20

  • Study on the current collapse phenomenon in GaN-HEMT using operando microspectroscopy  [in Japanese]

    Omika Keiichi , Suemitsu Maki , Fukidome Hirokazu , Tateno Yasunori , Kouchi Tsuyoshi , Komatani Tsutomu , Nagamura Naoka , Konno Syun , Kotsugi Masato , Horiba Kouji , Oshima Masaharu

    GaN-HEMTの高性能化の課題の一つとして「高電圧ストレスにより電流が減少する」という電流コラプス現象が挙げられる。この現象には表面準位が深く関連していると推論されている。<br> 本発表では、実動作下にあるデバイスの表面を高分解能かつ元素選択的に観察することができるオペランド顕微分光測定を用いて、GaN-HEMTの表面の状態を明らかにすることを目的とした研究結果を報告する …

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 36(0), 340, 2016

    J-STAGE 

  • Characteristics of Si/N-Incorporated DLC Films Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using Hydrogen as a Dilution Gas  [in Japanese]

    Nakamura Kazuki , Ohashi Haruka , Yokoyama Tai , Tajima Keiichiro , Endoh Norihumi , Suemitsu Maki , Enta Yoshiharu , Nakazawa Hideki

    希釈ガスにH<sub>2</sub>を用いたプラズマCVD法により作製したSiおよびNを共添加したDLC(Si-N-DLC)の膜特性を評価した。N添加DLC(N-DLC)に比べて内部応力は低く、スクラッチ試験により得られた臨界荷重および光透過率は高かった。ラマン分光、FTIR、XPSにより、Si-N-DLCには Si-N結合成分が存在し、N-DLCに比べてsp<sup …

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 36(0), 324, 2016

    J-STAGE 

  • 17aCB-6 Real-Time Measurement of Surface Stress Relief during Ge Nanodot Growth on Si(111)  [in Japanese]

    Asaoka H. , Uozumi Y. , Suemitsu M.

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 70.2(0), 2272, 2015

    J-STAGE 

  • 29aXP-6 Analysis of Interfacial Electronic States in Graphene Devices by Using the 3D nano ESCA system  [in Japanese]

    Nagamura N. , Nagashio K. , Toriumi A. , Toyoda S. , Kurosumi S. , Shinohara T. , Horiba K. , Oshima M. , Ide T. , Fukidome H. , Suemitsu M.

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 68.1.4(0), 961, 2013

    J-STAGE 

  • 18pPSB-18 Ultrafast Dynamics of Coherent Phonons in Graphene  [in Japanese]

    Sato K. , Koga S. , Minami Y. , Katayama I. , Takeda J. , Abe S. , Fukidome H. , Suemitsu M. , Kitajima M.

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 67.2.4(0), 685, 2012

    J-STAGE 

  • Growth of Epitaxial Graphene on Si Substrates via SiC Thin Films  [in Japanese]

    Suemitsu Maki , Nakazawa Hideki , Endoh Tetsuo , Miyamoto Yu , Handa Hiroyuki , Saito Eiji , Konno Atsushi , Narita Yuzuru , Fukidome Hirokazu , Ito Takashi , Yasui Kanji

    Si基板上にエピ成長させた3C-SiC薄膜表面からSi原子を熱脱離させることで、Si基板上にエピタキシャルグラフェン(EG)を形成できる。LEED、XPS観察から明らかにされる3C-SiC(111)面上EGの形成過程は、6H-SiC(0001)面上EGのそれとほぼ一致する。一方、3C-SiC(100)や3C-SiC(110)面上EGは、6H-SiC(000-1)面上EGと同様の界面構造を示す。この …

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 31(0), 86-86, 2011

    J-STAGE 

  • Conductivity measurement of graphene and Carbon nanotubes with independent drive four probe measurement  [in Japanese]

    Sekizawa Takumi , Kakefuda Youhei , Fukidome Hirokazu , Suemitsu Maki , Komeda Tadahiro

    半導体であるSiや配線材料であるCuの代替材料として期待されるグラフェンやカーボンナノチューブが注目されているが、実験による評価例は少なく、数値計算によるものが多い。そこで本研究ではマイクロメートル程度の局所的な領域における伝導率の評価を行うため、4探針測定法における各探針を独立に駆動できる装置を作製し、異方性や水素などの化学吸着による電気特性の変化を評価する。

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 30(0), 66-66, 2010

    J-STAGE 

  • Chemical Bond of Graphene/Group 10 Metal Contact Interface  [in Japanese]

    Takabayashi Susumu , Kubo Makoto , Takahashi Ryota , Abe Shunsuke , Suemitsu Tetsuya , Fukidome Hirokazu , Suemitsu Maki , Otsuji Taiichi

    近年、ポストシリコン材料として、高移動度特性を有するグラフェンに大きな期待が集まっている。そのFET特性を向上させる際、グラフェン/金属電極オーミックコンタクトは重要な検討要素となっている。これまでのところTiが最も広く使われているが、電気化学分野においてはPt/Cの組み合わせは非常に一般的である。そこで本発表では、Ptをはじめとした10族元素(Ni, Pd)を用いた場合の電極コンタクトを考察した …

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 30(0), 39-39, 2010

    J-STAGE 

  • LEED/PES analyses on the formation of epitaxial graphene on ultrathin 3C-SiC(111) film  [in Japanese]

    Takahashi Ryota , Handa Hiroyuki , Abe Shunsuke , Imaizumi Kei , Saito Eiji , Fukidome Hirokazu , Enta Yoshiharu , Suemitsu Maki

    Si(111)基板上SiC(111)薄膜上のグラフェン形成過程と表面電子構造をLEED及びPESで観察した。6H-SiC(0001)バルク基板上と同様、形成過程は√3×√3-R30→6√3×6√3-R30→グラフェン-1×1と変化し、表面電子構造もグラフェン層数に依存してK点でバンドギャップが発生した。SiC薄膜上グラフェンは原理的にSiCバルク基板上と同程度まで高 …

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 30(0), 347-347, 2010

    J-STAGE 

  • Growth of graphene  [in Japanese]

    Suemitsu Maki

    単結晶SiCを1200℃以上の温度で真空アニールすることにより,表面Si原子が昇華され,グラフェンが形成される(エピタキシャル・グラフェン法).また単結晶Si基板上に3C-SiC薄膜をヘテロエピ成長させ,同様に真空アニールすることにより,Si基板上にグラフェンをエピタキシャルに成長できる(グラフェン・オン・シリコン(GOS)法).本講演では,GOS法を中心に,エピタキシャルグラフェンの成長について …

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 30(0), 200-200, 2010

    J-STAGE 

  • Change of surface morphology and crystallinity of 3C-SiC thin film during the thermal graphitization process  [in Japanese]

    Handa Hiroyuki , Miyamoto Yu , Saito Eiji , Fukidome Hirokazu , Suemitsu Maki

    我々はこれまでSi 基板上に形成した3C-SiC 薄膜の熱改質によるグラフェン形成,いわゆるグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術について報告してきた.グラフェン化処理では,3C-SiC 薄膜を基板温度1200ºC 以上で真空中アニールする.同処理では,SiC 薄膜表面がグラフェン化するだけでなく,SiC薄膜の結晶性も変化するものと予想される.本研究では真空中高温アニール前後の3C-S …

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 29(0), 226-226, 2009

    J-STAGE 

  • Suraface observation of graphene-on-silicon by LEED  [in Japanese]

    Takahashi Ryota , Miyamoto Yu , Handa Hiroyuki , Saito Eiji , Imaizumi Kei , Fukidome Hirokazu , Suemitsu Maki

    シリコン基板上に成長させたエピタキシャル・グラフェン薄膜の構造をRaman分光、低速電子線回折(LEED)、X線光電子分光(XPS)によりナノスケールで評価した。その結果、シリコン基板上にsp2炭素原子のネットワークであるグラフェンが形成されていることが明らかとなった。

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 29(0), 225-225, 2009

    J-STAGE 

  • Low-temperature and ultrahigh-rate growth of single-crystalline 3C-SiC on Si substrate  [in Japanese]

    Saito Eiji , Suemitsu Maki

    その優れた機械的強度、熱的・化学的安定性から、SiCはパワーデバイスや耐環境デバイス等への応用が期待される。もしSi基板上に高品質のSiC薄膜が低温・高速で製膜できれば、SiテクノロジーとこれらSiCデバイスを融合できる。我々はモノメチルシラン単一ソースによる超低圧CVD法を用い、二段階製膜法を採用することで900℃という低温で3μm/hという極めて高速な単結晶SiC製膜に成功したので報告する。

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 29(0), 17-17, 2009

    J-STAGE 

  • XPS real-time monitoring on the development of Si suboxides during formation of thermal oxides on Si(110) surface  [in Japanese]

    YAMAMOTO Yoshihisa , TOGASHI Hideaki , KONNO Atsushi , MATSUMOTO Mitsutaka , KATO Atsushi , SAITO Eiji , SUEMITSU Maki , TERAOKA Yuden , YOSHIGOE Akitaka

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 108(80), 65-70, 2008-06-02

    References (14)

  • ダイヤモンドペースト塗布基板を用いたダイヤモンド薄膜の形成  [in Japanese]

    大橋 弘幸 , 佐藤 圭 , 阿部 俊三 , 半田 浩之 , 末光 眞希

    Tohoku-Section Joint Convention Record of Institutes of Electrical and Information Engineers, Japan 2008(0), 163-163, 2008

    J-STAGE 

  • SiC/MoおよびPt/Mo基板を用いた方形断面を持つMoO<SUB>2</SUB>ナノチューブの成長  [in Japanese]

    青山 耕右 , 櫻井 琢武 , 菅原 和也 , 阿部 俊三 , 半田 浩之 , 末光 眞希

    Tohoku-Section Joint Convention Record of Institutes of Electrical and Information Engineers, Japan 2008(0), 164-164, 2008

    J-STAGE 

  • 不活性ガスカーテン法によるa-SiC/Si{511}上への高品質大粒径ダイヤモンドの形成  [in Japanese]

    阿部 俊三 , 大河原 貴広 , 松本 英明 , 大羽 克彦 , 末光 眞希 , 佐藤 徳芳

    Tohoku-Section Joint Convention Record of Institutes of Electrical and Information Engineers, Japan 2003(0), 51-51, 2003

    J-STAGE 

  • Recent Progress in Theoretical Study of Formation of Semiconductor Surfaces and Interfaces Based on Microscopic Processes. Reaction Kinetics during Initial Stage of Thermal Oxidation on Si(100) Surface.  [in Japanese]

    SUEMITSU Maki

    Autocatalytic-reaction model, a chemical-kinetics model that provides an integrated description of various dynamical processes in the very initial oxidation of Si(100) surface, is illustrated. The non …

    Hyomen Kagaku 23(2), 95-103, 2002

    J-STAGE 

  • Use of Surface Hydrogen in Si Surface Cleaning and Si Epitaxy. HF/UVOC and Silane ALE.:HF/UVOC and Silane ALE  [in Japanese]

    SUEMITSU Maki

    Siプロセスにおける表面水素の役割を,種々の吸着に対する保護膜として位置附けて論じた。表面水素を酸化(酸素,水の吸着)あるいは汚染吸着に対する保護膜として考えるのがいわゆるHF処理だが,その保護性は不完全である。HF処理の欠点を補うために,HF処理の後にUVオゾンクリー二ングを行うHF/UVOC法を開発した。表面水素はエピタキシー原料ガスに対しても吸着保護膜としてはたらく。これはCVDやGSMBE …

    Hyomen Kagaku 13(6), 332-338, 1992

    J-STAGE 

  • Vacuum property of aluminum alloy MBE chamber.  [in Japanese]

    SUEMITSU Maki , MIYAMOTO Nobuo

    A molecular beam epitaxy (MBE) chamber has been constructed with aluminum alloy featuring an ethanol lathing in its inner surface treatment. It showed a remarkable low outgassing rate which is less th …

    Shinku 29(8), 375-379, 1986

    J-STAGE 

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