角田 浩司 TSUNODA Kouji

ID:9000240238645

超低電圧デバイス技術研究組合 Low-power Electronics Association & Project (LEAP) (2015年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  10件中 1-10 を表示

  • 招待講演 双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価 (シリコン材料・デバイス)

    角田 浩司 , 青木 正樹 , 能代 英之 [他] , 射場 義久 , 吉田 親子 , 山崎 裕一 , 高橋 厚 , 畑田 明良 , 中林 正明 , 杉井 寿博

    STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて,メモリアレイのデータ保持特性を測定して統計的な解析を行った.解析に際して双方向遷移モデルを用いることで,16kbitアレイにおける"0"状態と"1"状態のデータ遷移確率の時間変化を個別にフィッティングすることができ,それぞれの状態のΔとばらつきを正確に求めることに成功した.またメモリアレイの抵抗とばらつきを …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(469), 23-28, 2015-03-02

  • 招待講演 混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発 (集積回路)

    杉井 寿博 , 射場 義久 , 青木 正樹 [他] , 能代 英之 , 角田 浩司 , 畑田 明良 , 中林 正明 , 山崎 裕一 , 高橋 厚 , 吉田 親子

    本論文では,エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ,不揮発,無限回書き換え,高速動作,低電圧動作などの特徴により,現状のメモリ階層のキャッシュSRAMや混載DRAMを置き換えが期待されている,スピン注入型MRAM(Spin Transfer Torque Magnetic RAM, STT-MRAM)を紹介する.次に,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(175), 35-38, 2014-08-04

  • 招待講演 混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発 (シリコン材料・デバイス)

    杉井 寿博 , 射場 義久 , 青木 正樹 [他] , 能代 英之 , 角田 浩司 , 畑田 明良 , 中林 正明 , 山崎 裕一 , 高橋 厚 , 吉田 親子

    本論文では,エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ,不揮発,無限回書き換え,高速動作,低電圧動作などの特徴により,現状のメモリ階層のキャッシュSRAMや混載DRAMを置き換えが期待されている,スピン注入型MRAM(Spin Transfer Torque Magnetic RAM, STT-MRAM)を紹介する.次に,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(174), 35-38, 2014-08-04

  • 0.38V動作可能なプロセスばらつき耐性を有する65nm 8Mb STT-MRAM読出しセンスアンプ (集積回路)

    梅木 洋平 , 柳田 晃司 , 吉本 秀輔 [他] , 和泉 慎太郎 , 吉本 雅彦 , 川口 博 , 角田 浩司 , 杉井 寿博

    本稿では65nmプロセスを用いた単一0.38V電源で動作可能なプロセスばらつき耐性を持つSTT-MRAM(磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリ)向け読出しセンスアンプを提案する.提案センスアンプはnMOSによる負荷回路とpMOSを用いた負性抵抗回路により読出し電流を供給し,全てのプロセスコーナにおいて読出しマージンを持つ.提案回路を用いた8Mb STT-MRAMマクロを試作したところ,0.38Vに …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(13), 47-51, 2014-04-17

  • 磁性変化型メモリの書き込み速度を改善するメモリアーキテクチャ(ポスターセッション,学生・若手研究会)

    森 陽紀 , 柳田 晃司 , 梅木 洋平 , 吉本 秀輔 , 和泉 慎太郎 , 吉本 雅彦 , 川口 博 , 角田 浩司 , 杉井 寿博

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 113(419), 27, 2014-01-21

  • 垂直磁化MTJを積層した多値MRAM素子 (光や磁気を用いた3次元新機能デバイス)

    青木 正樹 , 能代 英之 , 角田 浩司 [他]

    社団法人日本磁気学会研究会資料 = Bulletin of Topical Symposium of the Magnetics Society of Japan 194, 1-6, 2014-01-10

  • 招待講演 STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ (集積回路)

    角田 浩司 , 能代 英之 , 吉田 親子 [他] , 山崎 裕一 , 高橋 厚 , 射場 義久 , 畑田 明良 , 中林 正明 , 長永 隆志 , 青木 正樹 , 杉井 寿博

    CMOS混載用のスピン注入型MRAMに適した新しい磁気トンネル接合(MTJ)を開発した.このMTJはCoFeB/MgO界面に誘起される垂直磁気異方性を利用しており,新たに2重トンネル接合とダミー磁化自由層を設けることで,書き換え電流と熱安定性のトレードオフ改善を目指している.この垂直磁化型MTJを65nm世代のCMOSプロセスにて300mmウエハ上に試作した結果,直径53nmのMTJでスイッチング …

    電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 113(1), 5-10, 2013-04-11

  • 招待講演 混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション (集積回路)

    杉井 寿博 , 射場 義久 , 青木 正樹 [他] , 能代 英之 , 角田 浩司 , 畑田 明良 , 中林 正明 , 山崎 裕一 , 高橋 厚 , 吉田 親子

    本論文では,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)で開発中の混載SRAM置き換え用STT-MRAMに関して,開発の背景と狙い,高性能と高信頼化に向けた取り組み,多層配線へのインテグレーションを報告する.高性能化に向けては,トップピンMTJ構造とプロセス歪導入を紹介する.高信頼化向けては,トンネル絶縁膜の成膜方法を紹介する.良質なトンネル絶縁膜の開発を通して,SRAM置き換えとして必須の無限回書き …

    電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 112(365), 17-20, 2012-12-17

  • システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション

    杉井 寿博 , 射場 義久 , 青木 正樹 [他] , 能代 英之 , 角田 浩司 , 畑田 明良 , 中林 正明 , 山崎 裕一 , 高橋 厚 , 吉田 親子

    本論文では,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)で開発中の,システムLSI混載用STT-MRAMの低消費電力化,高信頼化に向けた取り組みと, BEOLへのインテグレーションについて報告する.低消費電力化に向けては,トップピンMTJ構造とプロセス歪導入の紹介をする.高信頼化向けては,トンネル絶縁膜の成膜方法,絶縁破壊耐性,書き換え耐性などを紹介する.良質なトンネル絶縁膜の開発を通して,ワークメモ …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(169), 55-58, 2012-07-26

    参考文献5件

  • システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション

    杉井 寿博 , 射場 義久 , 青木 正樹 [他] , 能代 英之 , 角田 浩司 , 畑田 明良 , 中林 正明 , 山崎 裕一 , 高橋 厚 , 吉田 親子

    本論文では,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)で開発中の,システムLSI混載用STT-MRAMの低消費電力化,高信頼化に向けた取り組みと, BEOLへのインテグレーションについて報告する.低消費電力化に向けては,トップピンMTJ構造とプロセス歪導入の紹介をする.高信頼化向けては,トンネル絶縁膜の成膜方法,絶縁破壊耐性,書き換え耐性などを紹介する.良質なトンネル絶縁膜の開発を通して,ワークメモ …

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 112(170), 55-58, 2012-07-26

    参考文献5件

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