保坂 重敏 HOSAKA Shigetoshi

ID:9000242869618

東京エレクトロン株式会社技術開発センター Technology Development Center, Tokyo Electron Limited (2013年 CiNii収録論文より)

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  • Implementation of High-k Gate Dielectrics in SiC Power MOSFET  [in Japanese]

    HOSOI Takuji , AZUMO Shuji , KASHIWAGI Yusaku , HOSAKA Shigetoshi , NAKAMURA Ryota , NAKANO Yuki , ASAHARA Hirokazu , NAKAMURA Takashi , KIMOTO Tsunenobu , SHIMURA Takayoshi , WATANABE Heiji

    SiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上のため,平面部とトレンチ側壁で厚膜が均一に形成可能であり,また窒素組成を40%までの範囲で制御可能であるアルミニウム酸窒化物(AlON)ゲート絶縁膜技術を開発した.Al_2O_3膜中への窒素添加が電子トラップ低減に効果的であることを示すと共に,シミュレーションと実測を通じて界面SiO_2層とAlON膜厚比率の最適化も行った.AlONゲート絶縁膜を搭載 …

    Technical report of IEICE. SDM 113(87), 77-80, 2013-06-18

  • Performance and Reliability Improvement in SiC Power MOSFETs by Implementing AlON High-k Gate Dielectrics  [in Japanese]

    HOSOI Takuji , AZUMO Shuji , KASHIWAGI Yusaku , HOSAKA Shigetoshi , NAKAMURA Ryota , MITANI Shuhei , NAKANO Yuki , ASAHARA Hirokazu , NAKAMURA Takashi , KIMOTO Tsunenobu , SHIMURA Takayoshi , WATANABE Heiji

    SiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上のため,平面部とトレンチ側壁で厚膜が均一に形成可能であり,また窒素組成を40%までの範囲で制御可能であるアルミニウム酸窒化物(AlON)ゲート絶縁膜技術を開発した Al2O3膜中への窒素添加が電子トラップ低減に効果的であることを示すと共に,シミュレーションと実測を通じて界面S1O2層とAlON膜厚比率の最適化も行ったAlONゲート絶縁膜を搭載した平面 …

    Technical report of IEICE. SDM 112(421), 19-22, 2013-01-30

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