小関 史朗 KOSEKI Shiro

ID:9000252845307

日本電気技術情報システム開発(株) NEC Scientific Information System Development Ltd. (1991年 CiNii収録論文より)

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  • Formation of ultra thin silicon nitride films:Quantum chemical analysis and process optimization

    ISHITANI Akihiko , KOSEKI Shiro , ANDO Ko-ichi

    非経験的分子軌道法を用いて,シリコン窒化膜CVDのメ力ニズムを考察した.その結果,シリコン窒化膜は,挿入反応と脱離反応の繰り返しで成長する,というモヂルを得た.このCVDメカニズムから予想される膜構造を,分光エリプソメーターを用いて,実験的に確認した.このようなCVDシリコン窒化膜を,シリコン超LSIのキャパシターに適用した場合,膜厚を薄くするとともに,リーク電流が増大する.このリーク電流を抑制す …

    OYOBUTURI 60(11), 1131-1135, 1991

    J-STAGE 

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