菊地 良幸 KIKUCHI Yoshiyuki

ID:9000264274911

東京エレクトロンTELテクノロジーセンター仙台:東北大学流体科学研究所 Tokyo Electron Limited, TEL Technology Center Sendai:Institute of Fluid Science, Tohoku University (2014年 CiNii収録論文より)

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  • Large-Radius Neutral Beam Enhanced Chemical Vapor Deposition Process for Non-Porous Ultra-low-k SiOCH  [in Japanese]

    KIKUCHI Yoshiyuki , SAMUKAWA Seiji

    集積回路の配線工程において現在使用されている超低誘電率(ULK)SiOCHは、低誘電率を得るために膜中に空孔(ポア)を導入している。このポアにより膜機械強度の劣化、配線プロセス中の膜剥がれ、配線プロセス後の誘電率劣化などの問題が引き起こされ、半導体微細化の大きな技術障壁となっている。この問題を解決するために、ポア導入ではなく膜分子構造を制御することで、SiOCHを低誘電率化させる中性粒子ビームCV …

    Technical report of IEICE. SDM 113(451), 1-5, 2014-02-28

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