山下 敦史 YAMASHITA Atsushi

ID:9000300662287

東京農工大学大学院工学府 Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture & Technology (2014年 CiNii収録論文より)

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  • p-Cu₂O/SiOx/n-SiC構造pnメモリダイオードの低温形成 (シリコン材料・デバイス)

    山下 敦史 , 塚本 貴広 , 須田 良幸

    我々が近年提案した最密クロスポイント配列のための不揮発性メモリ機能と整流特性を併せ持った2端子抵抗変化型のp-Cu_2O/SiO_x/n-SiC構造のpnメモリダイオードについて,低温化作製プロセスを検討した.SiC層を従来の1113Kに変えて室温でスパッタ成膜し,電子捕獲SiO_x層を従来の1073KでのSiCの熱酸化に変えて室温でスパッタ成膜した.Cu_2OはCuを473Kで熱酸化形成した.作 …

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88), 43-47, 2014-06-19

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