黒澤 昌志 KUROSAWA Masashi

ID:9000300662328

名古屋大学大学院工学研究科:日本学術振興会 Graduate School of Engineering, Nagoya University:JSPS (2014年 CiNii収録論文より)

同姓同名の著者を検索

論文一覧:  1件中 1-1 を表示

  • 依頼講演 絶縁膜上におけるⅣ族半導体多結晶薄膜の低温形成 : 低融点Snの活用 (シリコン材料・デバイス)

    黒澤 昌志 , 田岡 紀之 , 池上 浩 [他] , 池上 浩 , 竹内 和歌奈 , 坂下 満男 , 中塚 理 , 財満 鎭明

    積層型CMOS回路や近赤外・中赤外光フォトディテクタの新規材料として,我々はIV族多元半導体(GeSn,SiSn)に着目している.本報では,絶縁膜上におけるGeSn多結晶薄膜の低温結晶成長に関する最近のトピックス:(1)低融点Snを活用した結晶成長法,(2)水中レーザーアニール法について紹介する.

    電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88), 91-95, 2014-06-19

ページトップへ