上野 智雄 UENO Tomo

ID:9000301384223

東京農工大学大学院工学府電気電子工学専攻 Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo University of Agriculture & Technology (2010年 CiNii収録論文より)

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論文一覧:  5件中 1-5 を表示

  • TPD/Alq_3構造有機ELへの後処理が素子特性に及ぼす影響

    前田 祐 , 湯口 貴彦 , 向井 直礼 [他] , 岩崎 好孝 , 上野 智雄

    有機ELの電気から光への変換過程において、素子を構成する有機物の膜質が特性に大きな影響を与える。そこで我々は素子の膜質に着目し特性改善を図った。真空蒸着法で作製したTPD/Alq_3構造有機ELの場合、作製過程において有機分子が分解しながら昇華することが分かった。その知見を踏まえて、蒸着の後処理による膜質の改善を目的とし、有機蒸着後の各種雰囲気による低温アニール処理および、室温でのO^*(酸素ラジ …

    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 110(59), 15-19, 2010-05-20

    参考文献5件

  • 交互供給MOCVD法によるBi_4Ti_3O_<12>薄膜の低温作製

    上野 智雄 , 紺野 哲豊 , 上谷 愛 , 岩崎 好孝 ,

    交互供給MOCVD法を用いて、Pt(001)/MgO(001)基板上にBi_4Ti_3O_<12>薄膜の作製を行った。Pt(001)膜上での初期の成長形態が、その後のBIT膜の成長に大きく影響を与えることを見いだした。第1層目にTiを供給してやることにより、成長したBIT膜の表面は、random nulceationによる(117)配向している領域を除いて平坦に形成されていた。基板温度 …

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 98(591), 1-5, 2009-02-16

    参考文献7件

  • 堆積金属酸化法によるHfO_2/Si構造の作成とその高分解能RBS評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

    上野 智雄 , 長里 喜隆 , 小林 晃子 [他] , 入野 真

    high-K/Si構造の作成法として堆積金属酸化法を提案する。Si基板上に超高真空スパッタ法により金属膜を堆積した後、その金属膜の酸化処理を行うことにより、界面低誘電率層形成の抑制が期待できる。実際、本手法を用いてHfO_2/Si構造を作成した際に形成される界面SiO_2層の膜厚は約0.2〜0.3nm程度と見積もられた。さらに高分解能RBSを用いて界面の評価を行ったところ、酸化処理温度が300℃程 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 105(108), 67-72, 2005-06-02

    参考文献8件

  • 交互供給MOCVD法によるBi_4Ti_3O_<12>薄膜の低温作製

    上野 智雄 , 紺野 哲豊 , 上谷 愛 , 岩崎 好孝

    交互供給MOCVD法を用いて、Pt(001)/MgO(001)基板上にBi_4Ti_3O_<12>薄膜の作製を行った。Pt(001)膜上での初期の成長形態が、その後のBIT膜の成長に大きく影響を与えることを見いだした。第1層目にTiを供給してやることにより、成長したBIT膜の表面は、random nulceationによる(117)配向している領域を除いて平坦に形成されていた。基板温度 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 98(593), 1-5, 1999-02-16

    参考文献7件

  • シリコン基板上への有機機能薄膜の作製 : TCNQ薄膜の配向制御

    直井 太郎 , 内田 貴士 , 岩崎 好孝 , 蓮見 真彦 , 上野 智雄 , 黒岩 紘一

    真空蒸着法を用いて、ファンデルワールス結合で結晶化する有機材料(TCNQ)を、共有結合結晶であるSi基板上に作製した。堆積速度や基板温度を変化させることにより、Si基板上での成膜において、TCNQ薄膜の配向性を制御できることが示された。また基板との強い相互作用がある場合に出現するTCNQの(022)配向が、表面にラフネスを形成したSi基板上に作製できることを見いだした。この結果、Si基板上において …

    電子情報通信学会技術研究報告. OME, 有機エレクトロニクス 98(168), 9-15, 1998-07-06

    参考文献5件

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