小村 政則 KOMURA Masanori

ID:9000304007900

東北大学工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University (2005年 CiNii収録論文より)

同姓同名の著者を検索

論文一覧:  5件中 1-5 を表示

  • LC共振法による極薄ゲート絶縁膜の電気的膜厚測定法

    黒田 理人 , 寺本 章伸 , 小村 政則 [他] , 渡辺 一史 , 須川 成利 , 大見 忠弘

    LC共振を用いた極薄ゲート絶縁膜の電気的膜厚測定法を報告する。測定対象であるMOSデバイスと並列に既知の値を持つインダクタLと抵抗Rを別途付加し、MOS回路と付加LR回路とのLC共振を発現させる。決められたゲートバイアス電圧印加時においてMOS回路とLR回路全体のインピーダンスの位相と絶対値の周波数特性を測定する。MOS回路中で未知の素子であるゲート容量、それと並列な抵抗、さらに容量に直列な抵抗を …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 105(318), 21-26, 2005-10-07

    参考文献10件

  • NH^*ラジカルを用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜の界面構造と界面準位密度(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

    樋口 正顕 , 小村 政則 , 寺本 章伸 [他] , 品川 誠治 , 池永 英司 , 小林 啓介 , 野平 博司 , 須川 成利 , 服部 健雄 , 大見 忠弘

    NH^*を用いて形成した直接窒化シリコン窒化膜(1.5nm)のSiの中間窒化状態(サブナイトライド)をSi 2pの光電子分光法を用いて調べることによりSi_3N_4/Si界面遷移構造を明らかにし、その電気的特性との関係を示す。サブナイトライドはサブオキサイドと同様にSi^<n+>(n=1〜3)からなる。直接窒化膜のサブナイトライドから求めた界面反応層の膜厚は1.29モノレイヤーであり、 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 105(109), 7-10, 2005-06-03

    参考文献10件

  • ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御

    河瀬 和雅 , 梅田 浩司 , 井上 真雄 [他] , 諏訪 智之 , 樋口 正顕 , 小村 政則 , 寺本 章伸 , 大見 忠弘

    マイクロ波励起Ar/N_2プラズマによりSiO_2膜をラジカル窒化して形成したSiON膜における,Nの結合状態,及び深さ分布を,XPSを用いて評価した。このSiON膜中には,少なくとも反応性の異なる2種類の窒化種が存在し膜厚が厚い場合,一方は,表面でSi_3≡Nを,他方は表面から膜中で未同定の結合(以後N_<high>)を形成する。N_<high>は400℃の昇温で完全に脱 …

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 104(336), 27-32, 2004-10-14

    参考文献9件

  • ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜 (特集 プロセスクリーン化と新プロセス技術)

    小村 政則 , 樋口 正顕 , 程 イ涛 [他] , 大嶋 一郎 , 寺本 章伸 , 平山 昌樹 , 須川 成人 , 大見 忠弘

    マイクロ波励起高密度プラズマで形成した100nm世代以下向けの直接シリコン窒化ゲート絶縁談の電気的特性を示す。プラズマ中の電子温度を低く抑え、プラズマダメージを極小にすることにより、TDDB特性がドライ酸化膜と比較して30000倍向上した。また400Kの温皮下において、C-V特性においてヒステリシスは観測されない。

    電子情報通信学会技術研究報告 103(373), 39-41, 2003-10-20

  • ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜

    小村 政則 , 樋口 正顕 , 程 イ涛 , 大嶋 一郎 , 寺本 章伸 , 平山 昌樹 , 須川 成人 , 大見 忠弘

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 103(373), 39-41, 2003-10-20

    参考文献4件

ページトップへ