白石 賢二 Shiraishi K.

ID:9000331902664

名大未来研:名大院工 IMaSS, Nagoya Univ.:Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ. (2018年 CiNii収録論文より)

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Articles:  1-9 of 9

  • First-principles study on hydrogen absorption and desorption of germanene  [in Japanese]

    Araidai Masaaki , Kurosawa Masashi , Ohta Akio , Shiraishi Kenji

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 73.1(0), 2459-2459, 2018

    J-STAGE 

  • Electronic states of two-dimensional crystals of group IV element on amorphous insulating films  [in Japanese]

    Araidai Masaaki , Kurosawa Masashi , Ohta Akio , Shiraishi Kenji

    <p>炭素より重いIV族元素の二次元結晶(シリセン、ゲルマネン、スタネン)は、バンドギャップ制御、高キャリア移動度やトポロジカル絶縁性の発現などが期待されている究極の薄膜材料である。理論上の産物であったそれらは最近になって金属上で合成できるようになってきたが、応用に向けては絶縁膜上の性質を知ることが必要不可欠である。本講演では、アモルファス絶縁膜上のIV族二次元結晶の吸着状態と電子状態 …

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 72.1(0), 2606-2606, 2017

    J-STAGE 

  • Theoretical Studies on Two Dimensional Materials with Group IV Elements  [in Japanese]

    Shiraishi Kenji

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 72.1(0), 2556-2556, 2017

    J-STAGE 

  • Electronic states of germanene and stanene on Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> surfaces  [in Japanese]

    Araidai Masaaki , Kurosawa Masashi , Ohta Akio , Shiraishi Kenji

    <p>炭素より重いIV族元素の二次元結晶(シリセン、ゲルマネン、スタネン)は、バンドギャップ制御、高キャリア移動度やトポロジカル絶縁性の発現などが期待されている究極の薄膜材料である。理論上の産物であったそれらは最近になって金属上で合成できるようになってきたが、応用に向けては絶縁膜上の性質を知ることが必要不可欠である。本講演では、Al2O3(0001)表面上のゲルマネンとスタネンの電子状 …

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 71.2(0), 2413-2413, 2016

    J-STAGE 

  • Thermodynamic analysis of III-nitride MOVPE::Growth orientation dependence  [in Japanese]

    Kangawa Yoshihiro , Kusaba Akira , Shiraishi Kenji , Kakimoto Koichi , Koukitu Akinori

    <p>  It is known that the growth process of semiconductors depends on the growth conditions such as temperature, partial pressures of gaseous sources, and growth orientation. However, there has …

    Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 43(4), 233-238, 2016

    J-STAGE 

  • Expectation of Two Dimensional Crystal Sheets  [in Japanese]

    SHIRAISHI Kenji

    Hyomen Kagaku 37(11), 525-525, 2016

    J-STAGE 

  • First-principles study on two-dimensional crystals of group IV material on amorphous insulating film  [in Japanese]

    Araidai Masaaki , Kurosawa Masashi , Ohta Akio , Shiraishi Kenji

    炭素より重いIV族元素の二次元結晶(シリセン、ゲルマネン、スタネン)は、バンドギャップ制御、高キャリア移動度やトポロジカル絶縁性の発現などが期待されている究極の薄膜材料である。近年、それらは金属上で合成できるようになってきたが、応用に向けては絶縁膜上の性質を知ることが必要不可欠である。本講演では、アモルファス絶縁膜上のシリセンの電子状態や安定構造や第一原理計算により明らかにする。

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 36(0), 187, 2016

    J-STAGE 

  • 19pPSA-38 First-principles study on two-dimensional crystals of group IV material on insulating film  [in Japanese]

    Araidai M. , Kurosawa M. , Ohta A. , Shiraishi K.

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 71.1(0), 2541, 2016

    J-STAGE 

  • 21pAG-14 Edge states in hydrogenated silicene, germanene, stanene ribbons  [in Japanese]

    Hattori A. , Araidai M. , Hatsugai Y. , Yada K. , Shiraishi K. , Sato M. , Tanaka Y.

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 71.1(0), 1372, 2016

    J-STAGE 

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