Kawano Taishi
,
Tada Tomofumi
,
Yamamoto Takahiro
,
Otani Minoru
,
Okada Susumu
,
Watanabe Satoshi
酸素プラズマ処理SiO2基板上グラフェンの電気伝導特性を半経験的電子状態計算により評価した．表面水酸基による静電ポテンシャルのランダムな変調に注目し，これを理想的なグラフェンのオンサイトエネルギーの変化の形で計算モデルに取り込んだ．電子透過率の計算には拡張ヒュッケル法と非平衡グリーン関数法を用いた．その結果オンサイトエネルギーの変調の大きさ，濃度の増加にあわせて透過率が減衰することが確認できた．& …
J-STAGE