毎田 修 Maida Osamu

ID:9000347215396

応用物理学会 Japan Society of Applied Physics (2015年 CiNii収録論文より)

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  • Semiconducting properties of multilayered single-crystalline CVD diamond having heavily boron-doped thin layers with different structures

    Tabuchi Tomohiro , Maida Osamu , Ito Toshimichi

    我々は、深い準位を有するホウ素ドープダイヤモンドにおける室温キャリア濃度と移動度との明瞭なトレードオフの関係の改善を目指し研究を行っている。本研究では、マイクロ波プラズマCVD時の総流量の増大や水素プラズマエッチングの適正化を行うことで、急峻な濃度勾配を有する高濃度ホウ素ドープ薄膜層を形成し、アンドープ層との積層構造を作製した。その後、当該構造をアンドープ層内に分散させ、その半導体特性を評価した。

    Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan 35(0), 127, 2015

    J-STAGE 

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