中村 和磨 Nakamura K.

ID:9000376933180

九州工大院工 Kyushu Institute of Technology (2016年 CiNii収録論文より)

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  • Effect of Carrier Doping on the Geometrically Frustrated Iridate Ca5Ir3O12  [in Japanese]

    Yasukuni Y. , Fukuoka R. , Maeda S. , Wakesima M. , Hinatsu Y. , Nakamura K. , Yoshimoto Y. , Matsuhira K.

    <p>イリジウム酸化物$\mathrm{Ca_{5} Ir_{3} O_{12}}$ (六方晶)はIrイオンの価数が+4.67と中間価数状態にあり,$\mathrm{Ir O_{6}}$の辺共有からなる1次元鎖が三角格子をなした幾何学的にフラストレートした強相関5d電子系物質である。今回,CaサイトのBiおよび La 置換によるIrサイトへのキャリアドープ(電子ドープ)を行った。磁化, …

    Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan 71.2(0), 1955-1955, 2016

    J-STAGE 

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