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  • アモルファスSiO2基板上グラフェンの電気伝導特性の理論計算

    河野 大志, 多田 朋史, 山本 貴博, 大谷 実, 岡田 晋, 渡邉 聡 表面科学学術講演会要旨集 32 (0), 190-, 2012

    ...酸素プラズマ処理SiO2基板上グラフェンの電気伝導特性を半経験的電子状態計算により評価した.表面水酸基による静電ポテンシャルのランダムな変調に注目し,これを理想的なグラフェンのオンサイトエネルギーの変化の形で計算モデルに取り込んだ.電子透過率の計算には拡張ヒュッケル法と非平衡グリーン関数法を用いた.その結果オンサイトエネルギーの変調の大きさ,濃度の増加にあわせて透過率が減衰することが確認できた....

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  • 拡張ヒュッケル法による分子構造最適化の並列処理― 分子構造の簡易高速生成の試み ―

    田島 澄恵, 片桐 孝洋, 金田 康正, 長嶋 雲兵 The Journal of Chemical Software 6 (2), 67-74, 2000

    ...大規模分子軌道計算ための初期分子構造パラメータを簡便に得るために、拡張ヒュッケル法で用いられるスレータ軌道のイクスポーネントを水素、炭素、窒素、酸素について求めた。また、全エネルギーのみを用いて分子構造パラメータを最適化するプログラムを開発した。これを用いると、炭化水素分子の分子構造パラメータを実験値と10%程度の誤差で得ることができた。...

    DOI Web Site Web Site 参考文献6件

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