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検索結果 144 件

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  • InAsSbN赤外量子井戸レーザダイオードの発光特性

    河村 裕一, 井上 直久 表面科学講演大会講演要旨集 26 (0), 80-80, 2006

    分子線結晶成長法(MBE)によりInP基板上のInAsSbN赤外量子井戸レーザダイオードを作製し、その発光特性のアニール効果について調べた。その結果、600℃、30秒のアニールにより、低温においては、発光強度は約一桁増大し、ピーク波長も15meV高エネルギー側にシフトした。ただし室温付近においては、発光強度の増大はほとんど観測されずピーク波長のシフトも観測されなかった。またアニールによりレーザ発…

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  • バルクシリコン結晶における分析・評価技術

    井上 直久 応用物理 72 (5), 550-556, 2003-05-10

    <p>半導体大規模集積回路の基板には主に引き上げ法で成長されたバルクシリコン結晶が用いられる.集積回路の微細化・高集積化とともに,回路の歩留まりや性能を制限する結晶欠陥やその原因となる点欠陥が低減されてきた.これには,欠陥や点欠陥などを分析・評価する技術の進歩が役立っている.最近の進歩と今後の課題を,重要性の高い,欠陥と点欠陥の評価技術,窒素不純物濃度の測定技術を例として解説する.また,これらの…

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  • シリコン中窒素による赤外吸収機構の理論的解析

    船尾 大輔, 大久保 一平, 井上 直久, 松尾 有里子, 纐纈 明伯 真空 46 (3), 170-173, 2003

    Nitrogen doping has attracted much attention because it reduces secondary defects. It is important for clarification of this reduction mechanism and for nitrogen concentration measurement to reveal …

    DOI Web Site 参考文献7件

  • シリコン中窒素による赤外吸収機構の解明

    大久保 一平, 原田 英明, 三箇山 毅, 井上 直久 真空 45 (3), 184-187, 2002

    Nitrogen doping has attracted much attention because it reduces secondary defects. It is important for clarification of this reduction mechanism and for nitrogen concentration measurement to reveal …

    DOI Web Site 参考文献4件

  • シリコン中の窒素の構造決定

    原田 英明, 棚橋 克人, 纐纈 明伯, 三箇山 毅, 井上 直久 真空 44 (3), 228-231, 2001

    Nitrogen doping has attracted much attention because it dramatically reduces void defects in as-grown CZ Si. Various forms of nitrogen have been proposed but primary factor on determining these …

    DOI Web Site 参考文献8件

  • シリコン成長各期における点欠陥の平衡濃度

    棚橋 克人, 菊池 通真, 井上 直久, 溝川 悠介 真空 43 (3), 205-208, 2000

    Equilibrium concentration of point defects under various stages in growing silicon crystal is theoretically examined. Formulas of concentration of point defects corresponding to solid-liquid …

    DOI Web Site 参考文献8件

  • サマリー・アブストラクト

    西脇 みちる, 山本 顕弘, 加藤 茂樹, 末次 祐介, 加藤 進, 高橋 明久, 麻蒔 立男, 八木原 美奈, 安達 俊, 関 孝男, 阿部 彰雄, 栗山 大人, 平山 孝人, 荒川 一郎, 宮崎 照宣, 菊地 直人, 沢平 嘉浩, 草野 英二, 南戸 秀仁, 金原 あきら, 松井 慎, 井口 征夫, 鈴木 一弘, 菊池 通真, 東野 徒士之, 棚橋 克人, 大坂 次郎, 河村 裕一, 井上 直久, 本間 芳和, 高柳 邦夫, 平田 正紘, 大田 暢彦, 品部 慎治, 福間 勇人, 塩川 善郎, 市川 昌和, 金澤 健一, 久松 広美, 嶋本 真幸, 佐藤 政行, 白井 満, 今野 牧, 渡邉 祐樹, 小林 信一, 斉藤 芳男, 関川 健太郎, 浅野 清光, 浅利 宏紀, 松島 秀治, 美馬 宏司, 村上 和嗣, 川原 淳史, 増岡 俊夫, 小川 倉一, 杉沼 茂実, HONG S.S., CHUNG K.H., 濱田 晃一, 部坂 正樹, 栗巣 普揮, 山本 節夫, 松浦 満, 柳沢 保徳, 笠原 章, 土佐 正弘, 金 龍成, 吉原 一紘, 寺岡 有殿, 吉越 章隆, 佐野 睦, 加地 博子, 垣谷 公徳, 矢城 陽一朗, 吉森 昭夫, 辻 博司, 佐々木 仁志, 佐藤 弘子, 後藤 康仁, 石川 順三, 木戸 俊介, 吉武 道子, APARNA Yarrama-Reddy, 田中 洋晶, 奥野 公夫, 永井 稔, 富取 正彦, 安部 薫, 継枝 孝行, 斎藤 一也, 松浦 正道, 大谷 寿幸, 長濱 博之, 下村 哲生, 横山 誠一郎, 三橋 雅彦, 大屋 誠志郎, 篠原 小太郎, 船場 一郎, 沖村 邦雄, 荒川 知洋, 竹澤 英朗, 中村 忠, 稲生 親紀, 荒木 康弘, 伊ヶ崎 泰宏, 斎藤 順雄, 仲秋 勇, 岩田 弘, 中村 茂昭, 吉岡 捷爾, 山口 十六夫, 相 龍太, 和佐 清孝, 森川 良樹, 西口 哲也, 宮本 正春, 一村 信吾, 野中 秀彦, 川田 正国, 村上 寛, 長谷川 秀雄, 日置 亜也子, 夏川 一輝, 西沢 伸一, 町田 和雄, 板倉 明子, 成島 哲也, 北島 正弘, BERGER Ruediger, GERBER Christoph, GIMZEWSKI James K., 三重野 哲, 伊藤 裕亮, 川田 洋揮, 山根 未有希, 橘内 浩之, 妻木 伸夫, 山下 学, 鈴木 慎一, 内藤 賀公, 大島 義文, 平山 博之, 田中 虔一, 猪飼 正道, 山本 恵彦, 金持 徹, 森居 隆史, 西浦 正倫, 田中 誠, 安田 幸夫, 池田 浩也, 財満 鎭明, 木村 康男, 庄子 大生, 篠原 正典, 庭野 道夫, 北原 武, 田中 英樹, 脇本 裕之, 水谷 五郎, 潮田 資勝, 見附 孝一郎, 桜井 誠, 五十嵐 慎一, 戸坂 亜希, 井口 大介, 平岡 知己, 柳生 進二郎, 近藤 剛弘, 池内 俊之, 魯 大凌, 斉藤 隆義, 彩木 傑, 福島 和宏, 水野 茂, 田口 信一郎, 佐藤 英樹, 佐々木 雅夫, 佐藤 誠, 中川 行人, Bhuiyan K.Hassan, 井上 英明, 高橋 善和, 池田 佳広, 木内 正人, 松谷 貴臣, 竹内 孝江, 松本 貴士, 美本 和彦, 後藤 誠一 真空 43 (3), 381-454, 2000

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  • サマリー・アブストラクト

    黒河内 智, 岡部 政之, 斎藤 三良, 森田 晋作, 塩川 善郎, 市川 昌和, 菅野 誠一郎, 臼井 建人, 須藤 孝一, 吉信 達夫, 岩崎 裕, 田中 洋晶, 奥野 公夫, 三浦 忠男, 角谷 透, 本多 克也, 田中 俊一郎, 井口 征夫, 鈴木 一弘, 高橋 夏木, 大久保 治, 沢平 嘉浩, 佐藤 彰繁, 菊地 直人, 草野 英二, 南戸 秀仁, 金原 粲, 成島 哲也, 板倉 明子, 河邊 隆也, 北島 正弘, 北河 勝, 大谷 寿幸, 長濱 博之, 横山 誠一郎, 荒川 一郎, 安達 俊, 平山 孝人, 見附 孝一郎, 桜井 誠, 五十嵐 慎一, 阿部 雪子, 入江 泰雄, 神戸 美雪, 戸坂 亜希, 浜松 諭子, 石井 聖土, 則光 良幸, 須東 稔実, 生方 則往, 老沼 良浩, 斉藤 茂, 加藤 正明, 田島 健一, 堀本 大介, 大手 丈夫, 小島 明, 大井 聖也, 塩谷 隆, 小林 和彦, 中島 秀文, 横山 哲志, 小原 宏之, 酒井 創, 大越 康宏, 小池 卓郎, 内村 幸一郎, 田畑 仁, 川合 知二, 日比野 豊, 徐 國春, 鈴木 泰雄, 谷原 正夫, 今西 幸男, 杉沼 茂実, 平田 正紘, 秋道 斉, 竹内 協子, 辻 泰, 土佐 正弘, 笠原 章, 李 京〓, 吉原 一紘, 田中 智成, 澤田 雅, 杉山 渉, 織田 晃祐, 山内 大輔, 佐藤 忍, 田中 正俊, 岸田 将明, 富取 正彦, 朝倉 清高, 田 旺帝, 岩澤 康裕, 垣谷 公徳, 加地 博子, 矢城 陽一朗, 吉森 昭夫, 岡本 昭夫, 野坂 俊紀, 吉竹 正明, 小川 倉一, 中村 茂昭, 斎藤 順雄, 吉岡 捷爾, 仲秋 勇, 長谷川 秀雄, 三原 敏行, 望月 昭一, 田村 繁治, 小林 弘典, 真壁 遼治, 石田 正, 佐藤 義幸, 安藤 昌儀, 小林 哲彦, 日置 亜也子, 夏川 一輝, 井上 幸二, 中山 喜萬, 佐藤 隆幸, 道園 真一郎, 斉藤 芳男, 小林 信一, 国分 清秀, 渡邉 祐樹, 徳高 平蔵, 藤村 喜久郎, 清水 達夫, 西岡 泰城, 田中 英樹, 脇本 裕之, 宮崎 俊彦, 水谷 五郎, 潮田 資勝, 山口 良隆, 高草木 達, 嘉藤 誠, 境 悠治, 黒河 明, 一村 信吾, 中村 健, 青木 孝憲, 戸田 昌吾, 鈴木 晶雄, 松下 辰彦, 奥田 昌宏, 浜路 和昭, 筧 芳治, 四谷 任, 松岡 憲弘, 堤 芳紹, 富岡 秀起, 岡本 良雄, 村井 健介, 安本 正人, 梅咲 則正, 中野 博彦, 立田 利明, 松尾 二郎, 山田 公, 真柄 宏之, 田畑 収, 畑野 東一, 小寺 正敏, 山口 清, 堀井 直宏, 沖村 邦雄, 柴田 明, 村上 寛, 亀山 育也, 祐延 悟, 美本 和彦, 松本 貴士, 吉川 貴文, 木内 正人, 後藤 誠一, 大庭 昌俊, 阿川 義昭, 渋谷 和真, 辻 博司, 後藤 康仁, 石川 順三, 川田 洋揮, 橘内 浩之, 妻木 伸夫, 勝山 雅則, 鈴木 慎一, 棚橋 克人, 河村 裕一, 井上 直久, 本間 芳和, 菊池 通真, 石川 一政, 本間 禎一, 菅沼 由典, LI Nan, 小林 功佳, 榊原 伸義, 上野 祥樹, 青木 賢之, 安井 利明, 森本 圭人, 田原 弘一, 吉川 孝雄, 小寺 秀和, 魚田 雅彦, 佐藤 吉博, 久保 富夫, 持地 広造, 板橋 直志, 清水 宏, 大谷 俊介, 奥野 和彦, 小林 信夫 真空 42 (3), 417-495, 1999

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  • 高濃度リンドープシリコン表面のAFM観察

    濱田 利和, 溝川 悠介, 応 文標, 棚橋 克人, 上浦 良友, 井上 直久 表面科学 19 (10), 624-628, 1998

    In proportion to the extent of down-scaling of silicon devices, surface microroughness causes more serious problems in device performance. Scanning probe microscopes were used as a powerful tool to …

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  • シリコン結晶中の成長時導入欠陥について(総論)

    井上 直久 応用物理 66 (7), 715-719, 1997

    シリコン結晶の成長時導入(grown-in)欠陥のうちあるものは,直接観察することができなかったがデバイスの電気特性に影響を与えるため,その検出法・実体・成因などについて精力的に概究が行われてきた.検出法によりCOP, FPD, LSTDなどと呼ばれる欠陥が,最近電子顕微鏡で観察されるようになり,従来例のない空洞であると見られるようになった.本稿では研究の課題と以下の各報告の意義および争点を整理…

    DOI Web Site 参考文献20件

  • InP/InAlAsタイプII超格子の電流磁気効果

    松井 広志, 成島 正基, 河村 裕一, 井上 直久, 岩村 英俊, 遠藤 稔, 飯島 靖博, 夘尾崎 寛, 岡本 一宏, 豊田 直樹 日本物理学会講演概要集. 秋の分科会 1996.2 (0), 114-, 1996

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  • GaAs MBE成長におけるGa液滴の挙動と成長制御

    大坂 次郎, 井上 直久 応用物理 61 (2), 163-166, 1992

    MBE法で成長中のGaAs表面上の過剰なGa原子の挙動は成長機構を理解するためにも,また応用上も非常に興味が持たれる.このような成長機構の研究にはその場観察が有効である.<br> ここでは,まず開発した電子顕微鏡一MBE複合装置と二次電子を用いたGaAs成長表面の成長その場観察法について述べる.次いで,観察により明らかとなったGa液滴の挙動について述べ,その形成機構を考察する.最後に,液滴を制御…

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  • CZシリコン単結晶の微小欠陥

    井上 直久 日本結晶学会誌 21 (1), 11-21, 1979

    Microdefects in Czochralski grown silicon single crystals have been investigated by transmission electron microscopy, infrared absorption spectroscopy, X-ray topography and etching technique. Swirl …

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  • 引上げ法シリコン中の酸素の析出機構

    井上 直久, 大坂 次郎, 和田 一実 応用物理 48 (12), 1126-1141, 1979

    Oxygen precipitation in Czochralski (CZ) grown silicon crystal was quantitatively investigated using transmission electron microscopy (TEM) and etching technique.<br> Oxide precipitate growth was …

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