Kagawa, Ryo, Kawamura, Keisuke, Sakaida, Yoshiki, Ouchi, Sumito, Uratani, Hiroki, Shimizu, Yasuo, Ohno, Yutaka, Nagai, Yasuyoshi, Liang, Jianbo, Shigekawa, Naoteru
Applied Physics Express
15
(4),
041003-,
2022-03-17
...窒化ガリウムを利用したトランジスタは、シリコンに代わる次世代半導体として、携帯電話の基地局などで幅広く使用されているものの、動作時の発熱により性能が大きく制限されており、大型の放熱部材も必要とされていました。研究グループは、2021年9月に世界で初めてGaNとダイヤモンドの直接接合に成功し、1,000 ℃の熱処理にも耐えることを実証しました。...
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