検索結果 120 件

荒木 努, 出浦 桃子, 藤井 高志, 毛利 真一郎 応用物理 92 (10), 622-626, 2023-10-01

...<p>分子線エピタキシ法（MBE）は，有機金属気相成長法，ハイドライド気相成長法と並ぶ窒化物半導体薄膜結晶成長手法の1つとして，国内外で長きにわたり研究開発が進められている．本稿では，低温成長や窒素プラズマ源を特徴とするRF-MBE法による窒化物半導体結晶成長の筆者らの最近の成果として，成長用基板として再び注目されているScAlMgO₄基板上へのGaN直接成長，窒素プラズマ照射...

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成井 啓修 化学と教育 69 (11), 488-491, 2021-11-20

...この化合物半導体を形成する結晶成長技術として有機金属気相成長法を紹介し，今後世界を大きく変える化合物半導体デバイスも紹介する。</p>...

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遠藤 由大, 関根 佳明, 谷保 芳孝 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 (0), 2874-2874, 2021-02-26

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沈 旭強, 児島 一聡 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 (0), 2586-2586, 2021-02-26

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宮嶋 孝夫, 都築 兼人, 小森 大資, 伊奈 稔哲, 清木 良麻, 鈴木 健太, 竹内 哲也, 宇留賀 朋哉 SPring-8/SACLA利用研究成果集 9 (2), 133-136, 2021-02-25

...低抵抗 p 型伝導性制御を期待される高品質の窒化物系混晶半導体 AlN_1-xSb_x を実現する目的で、有機金属気相成長法で成長した Sb 添加 AlN 中の Sb 原子近傍の局所構造をX線吸収微細構造法で評価した。...

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浅生, 大輝, 大石, 優貴, 今村, 優希, 荒井, 昌和, 前田, 幸治 宮崎大学工学部紀要 49 69-72, 2020-09

InAs/GaSb superlattices(SL) with systematic change of layer thickness grown by metalorganic chemical vapor deposition analyzed by Raman scattering method. As a result, a change in the peak shape of …

機関リポジトリ HANDLE

今村 優希, 大濱 寛仁, 前田 幸治, 荒井 昌和 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 3010-3010, 2020-02-28

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荒井 昌和, 坪山 真之介, 日和田 健介, 大石 圭介 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 (0), 3011-3011, 2020-02-28

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宮嶋 孝夫, 小森 大資, 伊奈 稔哲, 清木 良麻, 新田 清文, 竹内 哲也, 宇留賀 朋哉 SPring-8/SACLA利用研究成果集 8 (1), 41-44, 2020-01-22

...低抵抗 p 型伝導性制御を期待される高品質の窒化物系混晶半導体 GaN_1-xSb_xを実現する目的で、有機金属気相成長法で成長した Sb 添加 GaN 中の Sb 原子近傍の局所構造をX線吸収微細構造法で評価した。...

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今村 優希, 大濱 寛士, 前田 幸治, 荒井 昌和 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 (0), 3425-3425, 2019-09-04

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沈 旭強, 児島 一聡, 奥村 元 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 (0), 3466-3466, 2019-09-04

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ソダーバンル ハッサネット, 生方 映徳, 渡辺 健太郎, 菅谷 武芳, 中野 義昭, 杉山 正和 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 (0), 3375-3375, 2019-09-04

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浅生 大輝, 前田 幸治, 荒井 昌和, 山形 勇也 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 (0), 3100-3100, 2019-02-25

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ソダーバンル ハッサネット, 生方 映徳, 渡辺 健太郎, 菅谷 武芳, 中野 義昭, 杉山 正和 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 (0), 3031-3031, 2019-02-25

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佐藤 陽子, 林 大介, 南 雅和, 村松 昇, 岩谷 素顕 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 (0), 3125-3125, 2019-02-25

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川上 賢人, 高村 昴, 草場 彰, 芳松 克則, 岡本 直也, 寒川 義裕, 柿本 浩一, 白石 賢二 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 (0), 3154-3154, 2019-02-25

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成田 哲生, 冨田 一義, 徳田 豊, 小木曽 達也, 五十嵐 信行, 菊田 大悟, 堀田 昌宏, 加地 徹 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 (0), 29-29, 2018-09-05

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中野 元太, 中嶋 宇史, 橋爪 洋一郎, 岡村 総一郎 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 (0), 1331-1331, 2018-09-05

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前田 幸治, 若城 玲亮, 山形 勇也, 荒井 昌和 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 (0), 3231-3231, 2018-09-05

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山野邉 咲子, 吉田 健人, 小西 敬太, 熊谷 義直 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 (0), 3772-3772, 2018-09-05

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沈 旭強, 児島 一聡, 清水 三聡, 奥村 元 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 (0), 3282-3282, 2018-09-05

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熊谷 直人, 高橋 言緒, Cong Guangwei, 王 学論, 清水 三聡 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 (0), 3560-3560, 2018-03-05

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関口 一樹, 白川 裕規, 長川 健太, 洗平 昌晃, 寒川 義裕, 柿本 浩一, 白石 賢二 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 (0), 3623-3623, 2018-03-05

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岡田 哲明, 金 ボラム, Supplie Oliver, Pasazuk Agnieszka, Hannappel Thomas, 中野 義明, 杉山 正和 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 (0), 3497-3497, 2018-03-05

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小島 一信, 堀切 文正, 成田 好伸, 吉田 丈洋, 秩父 重英 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.1 (0), 3323-3323, 2018-03-05

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谷川 智之, プラスラットスック キャッティウット, 木村 健司, 窪谷 茂幸, 松岡 隆志 日本結晶成長学会誌 45 (1), n/a-, 2018

<p>  N-polar III-nitride materials have been attracted attention for the application to InGaN-based optical devices and AlGaN-based electronic devices. Most of the III-nitride-based device …

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伊藤 亘, 境 伶王, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2017 (0), 43-43, 2017-09-19

...<p>ワイドギャップ半導体であるGaNは光デバイス等に広く応用されている.現在の成長方法の主流である有機金属気相成長法や分子線エピキタシー法により高品質なGaNが得られるが,本研究では低コスト低温成長が可能なRFスパッタリング法を用いたGaN薄膜成長に注目した.GaN成長は従来からサファイア基板が主に使われているが切断することが困難な上導電性がないのが欠点である.本研究では応用上の優位性への期待等を...

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後藤 七美, Myunghee Kim, 澁谷 弘樹, 佐々井 耕平, 上山 智, 竹内 哲也, 岩谷 素顕, 赤﨑 勇 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 (0), 3380-3380, 2017-08-25

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田中 襲一, 岡田 俊祐, 林 侑介, 三宅 秀人, 平松 和政 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 (0), 3412-3412, 2017-08-25

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熊谷 直人, 板垣 宏知, 金 載浩, 小木曽 久人, 王 学論, 廣瀬 伸吾, 榊田 創 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 (0), 3423-3423, 2017-08-25

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松田 祥伸, 船戸 充, 川上 養一 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 (0), 3398-3398, 2017-08-25

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熊谷 直人, 高橋 言緒, Cong Guangwei, 王 学論, 清水 三聡 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 (0), 3404-3404, 2017-08-25

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関口 一樹, 白川 裕規, 長川 健太, 洗平 昌晃, 寒川 義裕, 柿本 浩一, 白石 賢二 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 (0), 3408-3408, 2017-08-25

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南 祐輔, 吉田 旭伸, 冨岡 克広, 本久 順一 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 (0), 1883-1883, 2017-03-01

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松田 祥伸, 船戸 充, 川上 養一 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 (0), 3402-3402, 2017-03-01

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岡田 俊祐, 岩生 浩季, 三宅 秀人, 平松 和政 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 (0), 3401-3401, 2017-03-01

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ソダーバンル ハッサネット, 渡辺 健太郎, 生方 映徳, 菅谷 武芳, 杉山 正和, 中野 義昭 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 (0), 316-316, 2017-03-01

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川上 賢人, 山本 芳裕, 芳松 克則, 岡本 直也, 寒川 義裕, 柿本 浩一, 白石 賢二 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 (0), 3407-3407, 2017-03-01

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関口 一樹, 白川 裕規, 長川 健太, 洗平 昌晃, 寒川 義裕, 柿本 浩一, 白石 賢二 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 (0), 3406-3406, 2017-03-01

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関口 一樹, 白川 裕規, 長川 健太, 洗平 昌晃, 寒川 義裕, 柿本 浩一, 白石 賢二 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.2 (0), 3160-3160, 2016-09-01

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三嶋 晃, 池永 和正, 矢野 良樹, 田渕 俊也, 松本 功, 三宅 秀人 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.2 (0), 3178-3178, 2016-09-01

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藤田 直宏, 三宅 秀人, 平松 和政 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 (0), 3463-3463, 2016-03-03

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林 家弘, 三宅 秀人, 平松 和政 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 (0), 3478-3478, 2016-03-03

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古矢 智也, 松村 隆志, 菊地 健介, 鈴木 雄大, 鈴木 摂, 石橋 啓次, 山本 康博 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 (0), 1427-1427, 2016-03-03

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大角 純也, 金山 亮介, 髙西 徹, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤﨑 勇 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 (0), 3473-3473, 2016-03-03

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森 龍, 中鶴 悠太, 庄野 智瑛, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2016 (0), 41-41, 2016

...未開拓電磁波ともいわれるTHz波は，通信から医療まで幅広い分野での応用性があり注目されている．本研究では，高性能なTHzデバイスの作製を目的とする研究の一環として，電気光学結晶材料であるZnTeに注目し，大面積単結晶薄膜成長が可能な有機金属気相成長法（MOVPE）によるc面サファイア基板上への高品質ZnTe単結晶薄膜の成長を試み，従来の基板温度依存性に加え，圧力及び原料供給量が成長薄膜に与える影響を...

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庄野 智瑛, 中鶴 悠太, 松尾 友誠, 友田 晃宏, 齊藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾 光弘 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2016 (0), 40-40, 2016

ZnTeは2.26eVのバンドギャップをもつ直接遷移型半導体であり，緑色LEDの有望な材料である。これまで，膜厚制御に有利で量産化に適した成長法として減圧有機金属化学気相法に注目して，高品質なZnTe膜の作製条件を探ると共に一部燐ドープZnTeエピ膜の特性を評価してきた。そこで，本研究では減圧有機金属化学気相法による燐ドープZnTeエピ膜の特性評価を幅広く行うことで，As-grownとアニール処…

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松本 恵一, 金谷 佳則, 岸川 純也, 山元 雄太, 鋤柄 俊樹, 西山 哲央, 下村 和彦 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.2 (0), 923-923, 2015-08-31

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大角 純也, 石原 耕史, 山本 泰司, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤﨑 勇 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.2 (0), 3112-3112, 2015-08-31

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池永 和正, 三嶋 晃, 田渕 俊也, 松本 功 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.2 (0), 3128-3128, 2015-08-31

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永瀬 成範, 高橋 言緒, 清水 三聡 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.2 (0), 2824-2824, 2015-08-31

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野々田 亮平, 正直 花奈子, 谷川 智之, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 松岡 隆志 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.2 (0), 3105-3105, 2015-08-31

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松本 恵一, 高巣 誠, 金谷 佳則, 岸川 純也, 下村 和彦 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.1 (0), 1061-1061, 2015-02-26

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永瀬 成範, 高橋 言緒, 清水 三聡 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.1 (0), 3053-3053, 2015-02-26

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岸川 純也, 松本 恵一, 金谷 佳則, 下村 和彦 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.1 (0), 1062-1062, 2015-02-26

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岡田 俊祐, 三宅 秀人, 平松 和政, 逢坂 崇, 谷川 智之, 松岡 隆志 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2015.1 (0), 3353-3353, 2015-02-26

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森 英一郎, 阿比留 昌克, 荒木 康博, 田中 大地, 中靏 悠太, 庄野 智瑛, 齋藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾 光弘 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2015 (0), 451-451, 2015

...本研究では原料としてジメチル亜鉛, ジエチルセレン(DESe),ジエチルテルル(DETe)を用いて減圧有機金属気相成長法により(001)ZnTe基板上に390℃と低い基板温度でZnSexTe1-x膜を成長させた。DESeはDETeに比べて熱分解効率が低いので，高いSe組成を有するZnSexTe1-x 膜の成長にはDETe供給量に比べてDESeのそれを非常に大きくする必要があった。...

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下村 和彦 映像情報メディア学会技術報告 39.12 (0), 15-20, 2015

...有機金属気相成長法によるInAs量子ドットの発光波長制御に関して検討を行った。SiO2マスクを用いた選択成長によりアレイ導波路ごとの発光波長御、ダブルキャップ法による量子ドット高さの制御、さらにInAsの下地層であるGaInAsバッファ層の組成制御により量子ドットの発光波長を広帯域で変える成長条件を検討した。...

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金谷 佳則, 松本 恵一, 岸川 純也, 下村 和彦 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.2 (0), 3161-3161, 2014-09-01

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岸川 純也, 松本 恵一, 金谷 佳則, 下村 和彦 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.2 (0), 3167-3167, 2014-09-01

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有方 卓, 京野 孝史, 藤井 慧, 三浦 広平, 秋田 勝史 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.2 (0), 3129-3129, 2014-09-01

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尾崎 拓也, 船戸 充, 川上 良介 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.2 (0), 3203-3203, 2014-09-01

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永瀬 成範, 高橋 言緒, 清水 三聡 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.1 (0), 3003-3003, 2014-03-03

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原田 善之, 王 剣宇, 関口 隆史, 知京 豊裕, 鈴木 摂, 角谷 正友 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.1 (0), 3781-3781, 2014-03-03

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金谷 佳則, 松本 恵一, 小冷 亮太, 岸川 純也, 下村 和彦 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.1 (0), 3271-3271, 2014-03-03

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岩渕 拓也, 窪谷 茂幸, 谷川 智之, 花田 貴, 片山 竜二, 湊 明郎, 福田 承生, 松岡 隆志 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.1 (0), 3317-3317, 2014-03-03

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豊田 史朗, 寺嶋 亘, 鎌田 憲彦, 平山 秀樹 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.1 (0), 899-899, 2014-03-03

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浦田 健佑, 田中 大地, 荒木 康博, 阿比留 昌克, 森 英一郎, 齋藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾 光弘 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2014 (0), 49-49, 2014

...しかし，量産性に優れた有機金属気相成長法による研究例はほとんど報告されていない．そこで，これまで有機金属気相成長法を用いて基板温度やDESe供給量のZnMgSeTe膜の組成への影響を調べてきた．本研究では， Mg組成の制御を目指して，有機金属気相成長法を用いてZnMgSeTe膜の成長を行い，Mg供給量の組成への影響を明らかにしすると共に，Mg供給量でZnTeとの格子整合が可能であるかを調べた．...

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中嶋 和紀, 中島 洋平, 齋藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2014 (0), 47-47, 2014

...本研究では，有機金属気相成長法(MOVPE :Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)を用いてm-paneにZnTe薄膜を成長し，評価することにより，ZnTe薄膜成長の基板温度依存性を調べた。...

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橋本 健宏, 小山 正和, 稲垣 卓志, 山根 啓輔, 岡田 成仁, 只友 一行 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2013.2 (0), 4011-4011, 2013-08-31

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肥後 昭男, 田村 洋典, 木場 隆之, Thomas Cédric, 王 云鵬, 山下 一郎, 杉山 正和, 仲野 義昭, 村山 明宏, 寒川 誠二 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2013.2 (0), 3689-3689, 2013-08-31

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吉野川 伸雄, 岩渕 拓也, 正直 花奈子, 木村 健司, 谷川 智之, 片山 竜二, 松岡 隆志 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2013.1 (0), 3183-3183, 2013-03-11

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Muhammad Haziq, 弘田 雄太郎, 三好 清太, 山根 啓輔, 岡田 成仁, 只友 一行 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2013.1 (0), 3219-3219, 2013-03-11

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永瀬 成範, 高橋 言緒, 清水 三聡 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2013.1 (0), 2842-2842, 2013-03-11

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伊藤 綾祐, 田中 健人, 浦田 健佑, 中村 保晃, 齋藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾 光弘 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2013 (0), 280-280, 2013

...有機金属気相成長法を用いて，(001)面のGaドープZnTe基板上に四元混晶半導体ZnMgSeTe薄膜を作製した．薄膜と基板の界面を観測すると，直線的となっており比較的良好なZnMgSeTe薄膜が得られていることを確認できた．さらにZnMgSeTeのSe組成制御が可能かどうか検証するために，DESe供給量を変化させた．XRDの結果から，DESe供給量が増加するとZnMgSeTeの(004)回折ピーク...

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田中 健人, 伊藤 綾祐, 浦田 健佑, 中村 保晃, 齋藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾 光弘 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2013 (0), 282-282, 2013

...Zn_1-xMg_xSe_yTe_1-y4元混晶半導体薄膜が有機金属気相成長法により(001)Gaドープの半絶縁性ZnTe基板の上に作製された。ジメチル亜鉛、ジエチルテルル、ビスメチルシクロペンタジエニルマグネシウム、ジエチルセレンが原料として用いられた。...

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小泉 淳, 李 東建, 久保島 義則, 茂木 隆行, 東 慎太郎, 菊川 薫, 若松 龍太, 大渕 博宣, 本間 徹生, 寺井 慶和, 藤原 康文 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2012.2 (0), 3017-3017, 2012-08-27

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渡邉 翔大, 藤本 悠, 渡辺 健太郎, 肥後 昭男, 今井 康彦, 木村 滋, 杉山 正和, 中野 義昭 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2012.2 (0), 3175-3175, 2012-08-27

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江川 孝志 応用物理 81 (6), 485-488, 2012-06-10

...<p>有機金属気相成長法を用いて成長したSi基板上AlGaN/GaN HEMTにおいて，多層膜構造を用いることによりGaN層の歪【ひずみ】が緩和され厚膜化が可能になった．その結果，総膜厚が約9μmのAlGaN/GaN HEMT構造が成長でき，デバイスの耐圧が改善された．また，耐圧の改善にはリアクタ内の残留GaとSi基板との反応に起因するエッチピットの発生を抑制する必要がある．本研究成果は，パワーデバイス...

DOI Web Site 被引用文献1件 参考文献11件

渡邉 翔大, 渡辺 健太郎, 杉山 正和, 中野 義昭 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2012.1 (0), 3453-3453, 2012-02-29

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舘 忠裕, 難波 秀平, 犬塚 博章, 藤村 直也, 近藤 高輝, 村松 慎也, 和嶋 悠人, 山下 隼, 安形 保則, マダン ニラウラ, 安田 和人 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2012.1 (0), 3451-3451, 2012-02-29

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本田 善央 日本結晶成長学会誌 38 (4), 241-248, 2012

...加工Si基板へ有機金属気相成長法選択成長を試み半極性(1-101)GaN,(11-22)GaNを作製した.半極性面における光学的特性,電気的特性及び不純物濃度等の特性について各結晶面での評価を行った.さらに,半極性GaN上へヘテロ成長したInGaNのIn取り込み及び転位導入過程を,(1-101)GaN面を中心に評価を行ったので本報にて報告する....

DOI Web Site 参考文献27件

村上 尚, 花岡 幸史, 富樫 理恵, 稲葉 克彦, 熊谷 義直, 纐纈 明伯 日本結晶成長学会誌 38 (4), 255-262, 2012

...有機金属気相成長法(MOVPE)およびハライド気相成長法(HVPE)によるIn系窒化物半導体結晶成長を検討した.GaAs(110)基板上MOVPE成長において,半極性{101^^-3}InN結晶の成長を確認し,X線極点図およびX線異常散乱測定により,双晶混入メカニズムおよびInNの極性が結晶成長に与える影響を明らかにした.また,HVPE法によるIn_xGa_<1-x>N混晶厚膜成長を熱力学解析により...

DOI Web Site 参考文献27件

松本 功 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2011.2 (0), 89-89, 2011-08-16

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本間 秀幸, 石井 辰弥, 山口 栄雄 Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｖａｃｕｕｍ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ｊａｐａｎ 54 (3), 166-168, 2011

  We have studied the thermoelectric properties of InSb thin films. They were prepared by metalorganic vapor phase epitaxy on sapphire substrate using sputtered InAs buffer layer. Substrate …

DOI Web Site 参考文献9件

中村 健一, 平子 晃, 大川 和宏 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2010.2 (0), 3246-3246, 2010-08-30

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久保田 春記, 落合 勉, 玉置 聖人, 鍋谷 俊一, 中嶋 宇史, 岡村 総一郎 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2010.2 (0), 1019-1019, 2010-08-30

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瀧野 祐太, 白尾 瑞基, 佐藤 孝司, 西山 伸彦, 荒井 滋久 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2010.2 (0), 865-865, 2010-08-30

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菊地 健彦, クァントゥ ティユ, 加藤 宏盟, 窪谷 茂幸, サクンタム サノーピン, 尾鍋 研太郎 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2010.2 (0), 3089-3089, 2010-08-30

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高山 雄大, 冨岡 克広, 福井 孝志, 本久 順一 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2010.1 (0), 3322-3322, 2010-03-03

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笹本 紘平, 森川 貴司, 橋本 明弘, 山本 あき勇 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2010.1 (0), 3434-3434, 2010-03-03

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瀧野 祐太, 白尾 瑞基, 佐藤 孝司, 西山 伸彦, 荒井 滋久 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2010.1 (0), 1012-1012, 2010-03-03

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菊地 健彦, クァントゥ ティユ, 加藤 宏盟, 窪谷 茂幸, サクンタム サノーピン, 尾鍋 研太郎 応用物理学会学術講演会講演予稿集 2010.1 (0), 3372-3372, 2010-03-03

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石井 辰弥, 本間 秀幸, 山口 栄雄, 安原 重雄, 下山 紀男 表面科学学術講演会要旨集 30 (0), 123-123, 2010

InSbは、III-V族化合物半導体の中で最も高い電子移動度（室温で78000[cm<SUP>2</SUP>/Vs]）を有しており、赤外線センサ、ホール素子等へ応用されており、さらに、熱電変換素子への応用が期待できる。今回は、GaAs(100)面基板を使いInSb薄膜を結晶成長させた。その際、InSbと基板の界面に Siをドープした試料の電気的特性の温度依存性を評価した。

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本間 秀幸, 石井 辰弥, 山口 栄雄 表面科学学術講演会要旨集 30 (0), 122-122, 2010

InSb は、現在赤外検出器やホールセンサとして用いられており、また今後高電子移動度トランジスタや、我々が提案してきた熱電変換素子としても期待できる材料である。今回の実験では、バッファ層の依存性を排除するため、GaAs基板上にInSbを直接成長させた。このInSb膜厚を変化させた時のInSb薄膜の電気的特性と結晶性を報告する。

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藤本 健二郎, 河野 高博, 尾上 篤, 田村 正裕, 梅田 優, 都田 昌之 映像情報メディア学会技術報告 33.41 (0), 25-29, 2009

...強誘電体高密度記録の実用化を目的として,多結晶Pb(Zr,,Ti)O_3(PZT)薄膜記録媒体を量産性の見込めるプロセスにより作製し,その記録媒体に対し実験的に記録密度1Tbit/in^2での高密度記録を行うことに成功した.基板としてSiウェハを,下部電極としてSrRuO_3(SRO)薄膜を用い,その上へ結晶性の良い多結晶PZT薄膜を溶液気化有機金属気相成長法(LD-MOCVD)により成膜した.PZT...

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野中 直樹, 井上 祐輔, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 郭 其新, 西尾 光弘 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2008 (0), 394-394, 2008

...我々はこれまでに工業的に有利な有機金属気相成長法(MOVPE)法を用い、アンドープZn_1-xMg_xTeエピ膜の成長特性及び光学的特性を明らかにした。今後、発光デバイス等へ応用していく上で、ドーピングによる光学的及び電気的特性制御が不可欠である。...

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纐纈 明伯, 寒川 義裕, 熊谷 義直, 関 壽 応用物理 74 (5), 561-572, 2005-05-10

...<p>III-V族化合物半導体の気相成長(分子線成長法，有機金属気相成長法，ハイドライド気相成長法)における構成元素の固相への取り込みについて，熱力学の観点から述べる．二元化合物の成長の駆動力および三元や四元混晶における気相原料組成と固相組成の関係を実験値と比較し，議論する．その結果，成長速度および固相組成が熱力学的に解析できることを示す．熱力学的に予測される二元化合物の固相への取り込まれやすさの序列...

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小倉 睦郎, 王 学論, 菅谷 武芳 応用物理 74 (3), 327-332, 2005-03-10

...<p>パターン基板上の1回の有機金属気相成長法(MOCVD)あるいは分子線エピタキシャル法(MBE)による化合物半導体の選択成長により，複数の結晶成長面を組み合わせた三次元量子ナノ構造が自己組織的に形成される．この技術を応用して，回折格子を形成した基板上の1回の選択成長による利得結合分布帰還型(DFB)レーザーや，V溝量子細線上に光キャリア発生部と電荷検出部が一体化した高感度量子細線光電界効果トランジスタ...

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福井 孝志, 本久 順一 応用物理 73 (5), 593-598, 2004-05-10

...<p>電子一個一個を操作する単電子デバイス，ナノスケールで光場を制御するフォトニック結晶や単一光子光源，半導体人工格子によるスピン制御など，ナノ構造の自在な制御が可能になると，まったく新しい研究分野が開けてくる．ここでは，有機金属気相成長法を用いたナノ構造の作製と，化合物半導体の単電子トランジスタおよびその集積回路への応用，さらに，ナノワイヤ，フォトニック結晶，二次元人工格子に関して紹介する．...

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山下 徹夫, 斉藤 勝彦, 田中 徹, 西尾 光弘, 郭 其新, 小川 博司 電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2004 (0), 304-304, 2004

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藤田, 恭久 島根大学総合理工学部紀要. シリーズA 35 107-112, 2001-12-24

Zn0 films have been grown by photo−assisted metalorganic chemical vapor deposition with the use of dimethylzinc and diethylether as source materials. The reaction and the decomposition of source …

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森本 恵造, 夏目 新, 井上 直久 日本結晶成長学会誌 27 (1), 24-, 2000

The inclination of subflow tube gives a large influence on the lateral growth rate of GaN. Under the optimum inclination, the reactant gas stays long on the substrate surface , which leads to the …

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夏目 新, 森本 恵造, 井上 直久 真空 43 (9), 897-899, 2000

We have investigated a method for obtaining GaN films with smooth surface using two-flow metalorganic vapor phase epitaxy, in which one main flow carries a reactant gas parallel to the substrate, …

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藤田, 恭久 島根大学総合理工学部紀要. シリーズA 33 89-99, 1999-12-24

The epitaxial layers of ZnSe have been grown by photo-assisted metalorganic che㎜cal vapor deposi tion with the use of dimethylzinc and dimethylselenide as sourse materials and the growth mechanism …

機関リポジトリ Web Site

吉村 和正, 山田 陽一, 田口 常正 日本結晶成長学会誌 26 (2), 27-, 1999

Mg_XZn_<1-X>S mixed mms with the zincblende structure have been grown by low-pressure metal organic chemical vapor deposition system using bis (cyclopentadienyl) magnesium as a Mg source. With …

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渡辺, 英史, 山下, 龍也, 山田, 陽一, 田口, 常正 山口大学工学部研究報告 49 (1), 65-70, 1998

...CdS-Zn_xCd_<1-x>S量子井戸構造を減圧有機金属気相成長法により作製し,その光学的性質をフォトルミネッセンス分光法により評価した。作製された量子井戸構造は,室温においても青色から緑色波長領域に明瞭な励起子発光を呈し,この系が可視短波長領域における発光デバイスとして有望であることが明らかにされた。...

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天明 二郎, 倉持 栄一, 須郷 満, 西谷 昭彦, Nötzel Richard, 玉村 敏昭 応用物理 65 (2), 163-167, 1996

...GaAs (311) B基板上で,有機金属気相成長法を用いてひずみInGaAS薄膜を成長し,高温で適切な成長中断を行うとオーダリングを伴いながらInGaAsが再配列し, InGaAsを内蔵するナノクリスタル(極微細閉じ込め構造:量子ディスク)アレーが基板表面に自然に形成される自己組織化現象を発克した.ひずみ量子ディスクは,そのラテラルサイズを150～30nmレンジで制御でき,室温で極めて良好な光学的性質...

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安藤 精後, 小林 直樹, 安藤 弘明 応用物理 65 (7), 728-731, 1996

...GaAs (111) B 基板上で,有機金属気相成長法による選択成長を用いると,側面が(110)面で構成されたGaAs/AlGaAsの六角柱構造を成長できる.この (110) 面は,基板に垂直で原子レベルの平坦性を持つため,これを光の反射器として利用した六角柱ファセットレーザーを製作した.この六角形のリング共振器型レーザーは,光の閉じ込めが強いという特徴を持ち,低しきい値でシングルモード発振する.さらに...

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森本 恵造, 河村 裕一, 井上 直久 表面科学 17 (5), 276-281, 1996

Nitrogen-doped ZnSe layers have been grown using dimethylzinc and H<SUB>2</SUB>Se as precursors and N<SUB>2</SUB> or N<SUB>2</SUB>+3H<SUB>2</SUB> plasma as a dopant. With decreasing the VI/II flow …

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安田 和人 応用物理 64 (2), 141-144, 1995

...有機金属気相成長法によるHgCdTeの成長についてその成長特性を概説する.この材料の成長には原料として有機カドミウム,有機テルル,金属水銀が用いられている.しかしながら金属水銀を原料として使用するため成長装置はIII-V族半導体の成長装置とは異なった構成になるとともに,HgCdTeの成長特性もIII-V族半導体の場合には生じないような特異な性質;を示すようになる.ここではHgOdTe成長原料,成長特性...

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青木 雅博 応用物理 64 (7), 660-666, 1995

光エレクトロニクスの発展は性能が高く生産性に優れた光デバイスの進展に大きく依存する.機能の異なる光デバイスをワンチップ化した集積光デバイスはこのキーテクノロジーとして期待が大きい.本小論では高性能,多機能な半導体集積光デバイスの一実現法として,有機金属気相成長での選択成長を用いた新しい光デバイスの集積化技術とこの応用集積光デバイスについて解説する.

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中村 修二 応用物理 64 (7), 717-718, 1995

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安藤 精後, 小林 直樹, 安藤 弘明 表面科学 16 (10), 638-643, 1995

...有機金属気相成長法による選択成長を用いて,(111)B面上で成長条件を最適化すると六角柱の成長が得られることを示す。この六角柱の側面の(110)ファセットは,基板に完全に垂直でかつ劈開面に匹敵する平坦性をもつためにレーザーの反射ミラーとして応用することができる。作製したレーザーは,低しきい値で発振し,そのモードは内接する六角形のシングルモードであった。...

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吉川 俊英, 米野 純次 応用物理 62 (8), 806-809, 1993

...実用炉への応用を目的とする有機V族原料を用いた有機金属気相成長法(MOVPE法)について述べる.有機V族原料の直接供給法を用いることにより,多数枚同時成長が可能な減圧バレル型炉への,多量の有機V族原料の安定供給が可能であることを示した.この方法を用いて成長させたInGaP/GaAs系ヘテロ結晶は,高品質かつ高均一な結晶特性を示した.さらに,InGaP/lnGaAs系低雑音高電子移動度トランジスター...

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福井 孝志, 安藤 精後 応用物理 61 (2), 141-144, 1992

...有機金属気相成長法による選択成長を用いた新しい量子細線・量子ドット構造として,ファセット量子細線,ラテラル量子細線および四面体量子ドット構造を作製した.他の方法と比較した利点は,lOnm以下の半導体極微構造が,加工ひずみなしに得られることにある....

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横川 俊哉, 成沢 忠 応用物理 58 (9), 1351-1359, 1989

...われわれは,有機金属気相成長法によるZnSe/ZnSひずみ超格子成長技術の開発と,このZn/SeZnSひずみ超格子からなる,可視光領域で低損失な光導波路の開発を行ってきた.本稿では,GaAs基板およびSi基板上に良質なZnSe/ZnSひずみ超格子が得られたのでその評価結果と,さらに作製したZnSe/ZnSひずみ超格手光導波路の導波特性について紹介する....

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止境, 伸明, 大内, 敦, 大塚, 俊介, 池田, 英治, 大野, 英男, 長谷川, 英機 北海道大學工學部研究報告 136 89-97, 1987-07-31

記事分類: 電気工学--電子工学--電子部品--固体素子

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宮本 恭幸, 古屋 一仁 応用物理 56 (3), 357-360, 1987

...Inを含む四元混晶の有機金属気相成長法 (OMVPE) は,当初の困難を克服し,現在,いくつかの研究機関でレーザー発振に成功し,さらに埋め込み成長や分布帰還型レーザー作製などのデバイス技術が開発され,有用なデバイス作製技術として,また,極薄層ヘテロ構造デバイスの作製手段として注目されるようになってきた,通信用半導体レーザーの材料であるInGaA8P/lnPに焦点を絞って, OMVPE技術の状況と展望...

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池田, 英治, 赤津, 祐史, 大野, 英男, 長谷川, 英機 北海道大學工學部研究報告 114 25-32, 1983-05-31

記事分類: 物理学--分子・物性--半導体

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