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老泉 博昭 応用物理 90 (12), 770-770, 2021-12-01
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大川 達也, 鈴木 健太, 今井 郷充 精密工学会学術講演会講演論文集 2021A (0), 363-364, 2021-09-08
...<p>インクジェットを用いた光ナノインプリントは次世代リソグラフィ技術として注目されているが、光硬化性樹脂の微小液滴のモールドへの充填の高速化が課題となっている。本研究では、モールドへの充填を促進する効果がある混合凝縮性ガスを導入する技術を、インクジェットを用いた光ナノインプリントに採用し、充填性の評価を行った。...
古澤 孝弘 表面科学学術講演会要旨集 2018 (0), 343-, 2018
...半導体製造用の次世代リソグラフィとして極端紫外光が期待されている。過去十年間の世界規模の開発により極端紫外光リソグラフィの解像度はすでに13 nmハーフピッチまで到達している。しかし、極端紫外光リソグラフィの今後の拡張性を考えると、10 nm未満を解像できる微細加工材料の開発が急務である。...
中川 勝 応用物理 85 (6), 480-484, 2016-06-10
...<p>型押し成形方式のナノ造形技術であるナノインプリント技術を採用して，光学部品などの製造が広がりつつある中，今度は半導体関連企業が次世代リソグラフィ技術として採用する動きが出てきた．本稿では，リソグラフィ応用に向けた光硬化性液体を基板上に配置する各方法（インクジェット，スピン塗布，孔版印刷）の特徴を紹介してナノインプリントリソグラフィの現状を概説する．基板とレジスト樹脂との界面で機能する密着分子層...
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瀬下, 武広, Seshimo, Takehiro 2016-03
identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:50311545
機関リポジトリ
瀬下 武広, Seshimo Takehiro 2016-03
加藤 弘行, 岸良 子文, Ali Safdar, Sokell Emma, Sheil John, 中村 信行 日本物理学会講演概要集 71.2 (0), 470-470, 2016
...これらのイオンの極端紫外域スペクトルは、次世代リソグラフィ光源への応用が期待されており、それらの基礎データとして重要である。得られたスペクトルを理論スペクトルと比較し議論する。</p>...
佐々木 明 日本物理学会講演概要集 70.2 (0), 2620-, 2015
古澤 孝弘 応用物理 83 (10), 816-819, 2014-10-10
...<p>高解像度化のために短波長化が繰り返されてきた半導体リソグラフィの光源は，次世代の極端紫外光（EUV）リソグラフィにおいて，初めて電離放射線領域に入る．シングルナノの解像度が求められる次世代リソグラフィの材料設計指針を得るため，我々は電子線形加速器からの超短パルス電子線を利用した過渡吸収分光と空間的な高分解能が得られるリソグラフィ露光機を組み合わせることで，反応機構の解明に取り組んできた．電離放射線領域...
池田 裕一, 高橋 哲, 高増 潔 精密工学会学術講演会講演論文集 2011S (0), 833-834, 2011
...本研究では、次世代リソグラフィー技術として期待されているナノインプリント技術において、その工程で生じる残膜の厚みを高精度に計測する手法として、近接場光を利用した計測法を提案し、プラズモン共鳴に基づいた近接場光検出機構を備えた膜厚計測装置の開発を進めている。本報では、環境擾乱の影響を軽減する事を目的として、近接場光学応答の特性を実験的に検討したので、報告する。...
長尾 天平, 池田 裕一, 高橋 哲, 高増 潔 精密工学会学術講演会講演論文集 2010S (0), 395-396, 2010
...本研究では、次世代リソグラフィー技術として期待されているナノインプリント技術において、その工程で生じる残膜の厚みを高精度に計測する手法として、近接場光を利用した計測法を検討している。前報では、金属プローブを用いて、ナノインプリント残膜に対する近接場光学応答の基礎的な挙動を確認した。本報では、より高精度かつ再現性の高い膜厚計測装置の開発を進めるとともに、その基本機能を検証したので、報告する。...
池田 裕一, 高橋 哲, 高増 潔 精密工学会学術講演会講演論文集 2010A (0), 529-530, 2010
...本研究では、次世代リソグラフィー技術として期待されているナノインプリント技術において、その工程で生じる残膜の厚みを高精度に計測する手法として、近接場光を利用した計測法を検討している。前報では、プラズモン共鳴に基づいた近接場光検出機構を備えた膜厚計測装置の開発及び、その基本機能を平面形状のサンプルを用いて検証した。本報では、開発した実験装置を用いて細線間における残膜厚の計測を試みたので、報告する。...
田川 精一 電気学会論文誌Ｃ（電子・情報・システム部門誌） 129 (3), 393-398, 2009
The beam application to nanoscience, especially next generation lithography producing the semiconductor devices, is expanded by so-called quantum beam technology. EUV (Extreme Ultraviolet) …
DOI Web Site Web Site 参考文献5件
長尾 天平, 池田 裕一, 高橋 哲, 高増 潔 精密工学会学術講演会講演論文集 2009A (0), 681-682, 2009
...本研究では、次世代リソグラフィー技術として期待されているナノインプリント技術において、その工程で生じる残膜の厚みを高精度に計測する方法として、近接場光を利用した計測法を検討している。本報では、前方で理論的に検討した、金属プローブを用いた散乱型検出法の適用可能性を検証するため、実際にナノインプリントサンプルに対して実験を行ったので、報告する。...
佐伯 昭紀, 古澤 孝弘, 田川 精一 日本原子力学会 年会・大会予稿集 2009f (0), 156-156, 2009
...半導体の微細化が進むにつれて、レジストパターンのナノスケールのラインエッジラフネス（LER）がデバイスの性能に対して大きな影響を与えるため、これらの低減はEUVなどの次世代リソグラフィの実現のために最も重要な問題の一つとされている。...
古澤 孝弘 放射線化学 87 (0), 2-, 2009
...現在主流の化学増幅型レジストは次世代リソグラフィにおいても重要な役割を果たすことが期待されるが，パターンの微細化に伴い，レジストに要求される感度・解像度等の性能は材料の極限に迫るものであり，LER（Line Edge Roughness）等の解決困難な問題が山積している。これらの問題の解決のためには反応機構の詳細を理解することが最も重要である。...
長尾 天平, 臼杵 深, 高橋 哲, 高増 潔 精密工学会学術講演会講演論文集 2008A (0), 253-254, 2008
...本研究では、次世代リソグラフィー技術として期待されている、ナノインプリント技術において、その工程で生じる残膜厚を高精度に測定する方法として、近接場光を利用した計測法を検討している。本報では、更なる高分解能化を目指して、金属探針プローブによる局在プラズモン共鳴現象の利用を提案し、その理論的検討をFDTDシミュレーションを用いて行ったので、報告する。...
毛利 悠理子, 倉島 優一, 宮本 岩男, 安藤 学, 沼田 敦史 精密工学会学術講演会講演論文集 2007A (0), 863-864, 2007
...次世代リソグラフィー技術の有力候補として，極端紫外線光を用いたEUVLが注目されている．EUVLには，機械研磨では限界となるような形状精度および表面粗さが0.2nm rms以下という高精度なSi/Moの多層膜非球面ミラーが必要である．本研究では，ULE表面にSiをコーティングした試料表面へ加速電圧1～3keVのAr+イオンを照射し，加工前後の表面粗さについて検討したので報告する．...
太田 陶子, 倉島 優一, 宮本 岩男, 安藤 学, 沼田 敦史 精密工学会学術講演会講演論文集 2007A (0), 861-862, 2007
...デザインルールが32 nm以降の次世代リソグラフィ技術としてEUVLが注目をされている。EUVLには、機械研磨では限界となるような、形状精度および表面粗さが0.2 nm rms以下という高精度なSi/Moの多層膜非球面ミラーが必要である。本研究ではアパーチャーを用いて、スパッタリング堆積加工で作製されたSi薄膜の表面粗さおよび堆積形状について調べることを目的とする。...
岡崎 信次 応用物理 75 (11), 1328-1334, 2006-11-10
...リソグラフィー技術の開発状況とその課題を紹介し，今後の動向を見通す．...
DOI Web Site 被引用文献4件 参考文献54件
藤岡 慎介, 西村 博明, 井澤 靖和 プラズマ・核融合学会誌 = Journal of plasma and fusion research / プラズマ・核融合学会編集委員会 編 82 (9), 609-616, 2006-09
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会
NDLデジタルコレクション Web Site 被引用文献1件 参考文献34件
山田 雄一 高分子 55 (2), 95-95, 2006
DOI 参考文献6件
藤岡,慎介, 西村,博明, 内田,成明, 島田,義則, 橋本,和久, 山浦,道照, 青田,達也, 上田,修義, 安藤,強史, 難波,愼一, 西原,功修, 村上,匡且, 姜永,光, 砂原,淳, 古河,裕之, 乗松,孝好, 長井,圭治, 保田,ゆづり, 井澤,靖和, 宮永,憲明, 三間,圀興 プラズマ・核融合学会年会予稿集 157-, 2005-11-20
NDLデジタルコレクション
高橋 聡志, 宇田川 真介, 前野 一夫, 豊田 和弘, 平柳 徳行, 白濱 一郎 精密工学会誌論文集 71 (6), 739-743, 2005
The evaluation apparatus on heat transfer characteristic for low-pressure gas of normal temperature is developed with the object of improving in the numerical prediction accuracy for thermal …
DOI Web Site 参考文献16件
吉田 知広, 難波 義治, 吉田 國雄, 神村 共住, 兒子 治, 熊田 崇弘 精密工学会学術講演会講演論文集 2005A (0), 907-908, 2005
...次世代リソグラフィー用光学材料のフッ化カルシウム単結晶の超精密加工と表面のレーザ損傷に関する研究の前段階として、各種フッ化カルシウム単結晶(111)面にYAGレーザの4倍高調波である波長266nmを照射し、内部レーザ損傷しきい値の測定を行った。その結果、レーザ損傷しきい値は結晶自身の転位密度と強い相関があることを明らかにした。...
出口 公吉, 芳賀 恒之 応用物理 73 (4), 455-461, 2004-04-10
...リソグラフィーとして期待されており，日米欧でコンソーシアムが中心となって要素技術の開発を精力的に進めている．この技術がメジャーになるためには，量産技術の開発時期と性能が世の中の要求に見合うものであるかということと経済性の検証が重要となる．...
DOI Web Site 参考文献35件
笹子 勝, 遠藤 政孝 応用物理 73 (2), 199-199, 2004-02-10
...やF2リソグラフィー技術を延長する開発が活発化されてきている．さらに，インプリントリソグラフィーも当初ナノテクノロジー分野での応用が主たるものであったが，最近半導体活用へ話題となってきている．本報では，光リソグラフィー技術の現状と次世代リソグラフィー技術の動向を世界の状況を加味しながら解説し，今後の半導体の微細化方向について言及した．...
西原 功修, 西村 博明, 望月 孝晏, 佐々木 明 レーザー研究 32 (5), 330-336, 2004
We describe properties of laser produced plasmas (LPP) for extreme ultra violet (EUV) light source for next generation lithography as an industrial application of LPP. We briefly present three …
DOI Web Site Web Site 被引用文献2件 参考文献48件
吉田 真司, 難波 義治 精密工学会学術講演会講演論文集 2003S (0), 420-420, 2003
...次世代リソグラフィー用光学材料として注目されている、遠紫外用フッ化カルシウム単結晶をフロート·ポリシングし、表面粗さの結晶面依存性を調べた。その結果、(111)面で表面粗さ0.11nm rmsが得られた。...
栗原 正彰 日本印刷学会 研究発表会 要旨集 110 (0), 5-5, 2003
近年のLSI回路のパターンの微細化及び光リソグラフィの延命等によりフォトマスクはキー技術となってきており、特に超解像技術であるＯＰＣマスク及び位相シフトマスクの重要性は益々高くなっている。マスクはリソグラフィのマスターパターンであり、微細化ロードマップに合せて電子線描画・外観検査、レジストプロセスに代表される高精度パターニング技術を継続して開発する必要がある。さらにＮＧＬの開発も本格化しており、…
野末 寛, 遠藤 章宏, 樋口 朗, 笠原 春生, 島津 信夫 応用物理 71 (4), 421-424, 2002
...リソグラフィー技術の本命として期待が大きくなっている.中でも低加速電子ビーム等倍近接転写 (LEEPL: Low Ertergv Electron Beam Proximity Projection Lithography) に対する期待は非常に大きく,本稿では最新のLEEPL開発状況に関して報告する....
溝口 計 レーザー研究 29 (10), 633-637, 2001
The DUV-VUV laser microlithography technology is main player from 250 nm to 70 nm node LSI patterningprocess. Trend of DUV light source device for micro-lithography is described. Also this paper …
DOI Web Site 被引用文献1件
佐々木 孝友 レーザー研究 29 (10), 632-632, 2001
遠藤 政孝, 笹子 勝, 中川 秀夫, 平井 義彦, 小川 一文, 石原 健 応用物理 56 (9), 1168-1172, 1987
...現在,エキシマレーザーを用いた露光方法が,次世代リソグラフィー技術の一つとして注目されている.エキシマレーザーの特徴は,短波長と高エネルギーにあり,これを用いることにより,0.5μm燃以下のレジストパターンを形成することが可能となる.本稿では,レジスト材料およびレジストパターン形成プロセスを中心に,エキシマレーザー・リソグラフィーの現状および将来展望について述べる....